PCBA線路板清洗合明科技分析：錫須和電路板清潔度

時(shí)間：2019-06-16作者：深圳市合明科技有限公司瀏覽：78

錫須和電路板清潔度


文章關(guān)鍵詞導(dǎo)讀：PCBA線路板、錫須、電路板清洗

無鉛錫須是備受關(guān)注的領(lǐng)域。大量的調(diào)查研究了包括晶須形成的化學(xué)和物理的參數(shù)特性。錫合金暴露于高的溫度和濕度時(shí)，在低密度水平形成一個(gè)薄的錫氧化膜。低密度和錫氧化層量的增加引起沉積顆粒邊界外部壓力增加，使內(nèi)部壓力上升。錫須的生長(zhǎng)減輕了錫內(nèi)部壓力。值得注意的是，這些錫須能使導(dǎo)線間有連橋造成短路。
研究人員發(fā)現(xiàn)當(dāng)大量錫暴露在離子污染環(huán)境時(shí)，錫須從大塊錫中長(zhǎng)出。作為一個(gè)基于焊錫合金形成的實(shí)例，當(dāng)暴露的銅突然與在相鄰的錫里接觸時(shí)，腐蝕作用顯著加速。較大可能生長(zhǎng)晶須發(fā)生在焊錫合金的底部，在這里有較大濃度的助焊劑殘留物。錫須和小丘狀的錫穿過助焊劑殘留伸出并且長(zhǎng)到了140μm。腐蝕通過在內(nèi)部錫樹枝狀空間的共晶區(qū)域傳播。在大塊錫中擴(kuò)散耗盡了錫銀銅合金中的銀和銅。耗盡了錫的區(qū)域或許經(jīng)歷著余錫的壓力。銅基下面和錫基合金之間為晶須的生長(zhǎng)創(chuàng)造了條件。
在再流焊接期間，當(dāng)錫合金凝固時(shí)，錫膏中的助焊劑流出。含大量氯離子和溴離子的助焊劑殘留物產(chǎn)生了晶須，而低污染區(qū)域沒有晶須生長(zhǎng)。為了較好地理解這一影響，Snugovsky et al.設(shè)計(jì)了一個(gè)實(shí)驗(yàn)來檢測(cè)污染物對(duì)錫須形成的影響。這個(gè)實(shí)驗(yàn)評(píng)估了接收態(tài)元器件、清洗后的元器件、被氯化鈉和硫酸鈉的溶液污染的元器件。元器件暴露在溫度85℃[185°F]/85%相對(duì)濕度條件500小時(shí)。結(jié)果接收態(tài)元器件有短的晶須；清洗后的元器件沒有晶須；被污染的元器件有長(zhǎng)的晶須。*二部分測(cè)試組件用SAC305組裝到測(cè)試基板上。組裝后被清洗的元器件就沒有晶須，而接收后和沒清洗就使用的就會(huì)形成短的晶須。故意污染的元器件會(huì)導(dǎo)致長(zhǎng)的晶須。作者總結(jié)認(rèn)為，干凈元器件的使用和組裝后清洗明顯降低了在無鉛組裝中晶須形成的傾向。
Hillman（2010）報(bào)道關(guān)于評(píng)估由氯污染物引發(fā)的潛在錫須生長(zhǎng)的研究。在有應(yīng)力的銅基板上電鍍錫的樣品在三個(gè)不同氯溶液中放置72小時(shí)，接著在高溫、高濕條件處理。樣品1被浸入一個(gè)飽和的氯化鈉溶液中，樣品2被浸入在半飽和的氯化鈉溶液中，樣品3浸入到0.001M鹽酸溶液中。測(cè)試樣品被放在85℃[185°F]/85%相對(duì)濕度的溫循箱中。在五個(gè)*的位置用電子掃描顯微鏡檢查。數(shù)據(jù)結(jié)果發(fā)現(xiàn)晶須受離子污染水平影響，高離子水平導(dǎo)致很大的晶須密度。
研究發(fā)生了晶須的影響范圍和離子污染程度及腐蝕之間的關(guān)系。熱、濕度和離子污染導(dǎo)致腐蝕和應(yīng)力。*二個(gè)影響是助焊劑殘留量及分布。


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