KRI 考夫曼射頻離子源濺射制備微晶硅薄膜

時間：2024-01-12作者：伯東企業(yè)（上海）有限公司瀏覽：16

硅薄膜作為薄膜太陽能電池的材料越來越引起人們的重視, 非晶硅薄膜太陽能電池由于存在轉(zhuǎn)換效率低和由 S-W 效應引起的效率衰退等問題, 而微晶硅薄膜具有較高電導率、較高載流子遷移的電學性質(zhì)及優(yōu)良的光學穩(wěn)定性, 可以克服非晶硅薄膜的不足, 已成為光伏領(lǐng)域的研究熱點.

 

采用磁控濺射沉積硅薄膜不需要使用 SiH4 等有毒氣體及相應的尾氣處理裝置, 有利于降低設(shè)備成本, 且工藝參數(shù)控制, 因此經(jīng)過伯東工程師, 長沙某大學實驗室課題租在研究微晶硅薄膜時, 采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 輔助磁控濺沉積制備微晶硅薄膜.

 

KRI 射頻離子源 RFICP380 技術(shù)參數(shù):

射頻離子源型號	RFICP380
Discharge 陽	射頻 RFICP
離子束流	>1500 mA
離子動能	100-1200 V
柵直徑	30 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	15-50 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr
長度	39 cm
直徑	59 cm
中和器	LFN 2000

 

 

試驗結(jié)果:

在實驗中, 通過伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 輔助磁控濺沉積的方法, 可以在玻璃襯底上制備出結(jié)晶良好的微晶硅薄膜.

 

KRI 離子源的特功能實現(xiàn)了好的性能, 增強的性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實現(xiàn)的.

 

若您需要進一步的了解詳細信息或討論,  請參考以下聯(lián)絡(luò)方式:

上海伯東: 羅女士先生  


伯東企業(yè)（上海）有限公司專注于pfeiffer,氦質(zhì)譜檢漏儀,inTEST等

• 詞條

  詞條說明

• HVA 真空閥門 11000 用在 OLED 鍍膜機

  國內(nèi)某?OLED?鍍膜機廠家配置伯東美國?HVA?真空閥門?11000?系列，尺寸以?4”, 6”, 8”閥門口徑為主的標準不銹鋼氣動高真空閘閥,?HVA?不銹鋼真空閘閥?11000?系列標準技術(shù)規(guī)格:??閥門材質(zhì):?-?閥門主體?304&

• 氦質(zhì)譜檢漏儀 CVD 設(shè)備檢漏,滿足*三代半導體芯片量產(chǎn)

  氦質(zhì)譜檢漏儀?CVD 設(shè)備檢漏, 滿足*三代半導體芯片量產(chǎn)上海伯東某客戶是一家以**化合物半導體光電器件相關(guān)產(chǎn)品衍生智造為主業(yè)的創(chuàng)新型科技公司, **產(chǎn)品是物聯(lián)網(wǎng), 5G 通訊, 安防監(jiān)控等*三代半導體芯片. 芯片在生產(chǎn)過程中使用 CVD 設(shè)備做鍍膜處理, 在鍍膜過程中需要保持設(shè)備處于高真空狀態(tài), 這就要求腔體的泄漏率不能過 1E-10 mbrl l/s.CVD?設(shè)備檢漏要

• KRI 離子源用于IR-cut紅外濾光片制備

  ??紅外截止濾光片?(IRCF)?是利用精密光學鍍膜技術(shù)在光學基片上交替鍍上高低折射率的光學膜,?實現(xiàn)可見光區(qū)（400nm-630nm）高透,?近紅外（700nm-1100nm）截止的光學濾光片,?主要應用于可拍照手機攝像頭、電腦內(nèi)置攝像頭、汽車攝像頭和安防攝像頭等數(shù)碼成像領(lǐng)域,?用于紅外光線對?CCD/CM

• HVA 高真空閘閥應用于 OLED 鍍膜機

  因產(chǎn)品配置不同，價格貨期需要電議，圖片僅供參考，一切以實際成交合同為準。HVA?高真空閘閥應用于 OLED 鍍膜機OLED 鍍膜機主要面向半導體照明客戶, 需要鍍膜機性能穩(wěn)定, 器件效率高, *,HVA?高真空閘閥應用一般科研用鍍膜機的基片尺寸在 4”和6”大小, 本底真空度要求達到 5*10-7mbar 或 5*10-8mbar, 這時需要配置分子泵系統(tǒng)或低溫泵