氦質(zhì)譜檢漏儀 CVD 設(shè)備檢漏, 滿(mǎn)足*三代半導(dǎo)體芯片量產(chǎn)
上海伯東某客戶(hù)是一家以**化合物半導(dǎo)體光電器件相關(guān)產(chǎn)品衍生智造為主業(yè)的創(chuàng)新型科技公司, **產(chǎn)品是物聯(lián)網(wǎng), 5G 通訊, 安防監(jiān)控等*三代半導(dǎo)體芯片. 芯片在生產(chǎn)過(guò)程中使用 CVD 設(shè)備做鍍膜處理, 在鍍膜過(guò)程中需要保持設(shè)備處于高真空狀態(tài), 這就要求腔體的泄漏率不能過(guò) 1E-10 mbrl l/s.
CVD 設(shè)備檢漏要求
真空模式下, 漏率不能過(guò) 1E-10 mbrl l/s
快速抽空, 清潔無(wú)損的檢漏
上海伯東氦質(zhì)譜檢漏儀 CVD 設(shè)備檢漏方案
根據(jù)客戶(hù) CVD 抽氣腔體大小和要求清潔無(wú)油的測(cè)試環(huán)境, 上海伯東推薦德國(guó) Pfeiffer 無(wú)油干式氦質(zhì)譜檢漏儀 ASM 340D 搭配日本 IWATA ISP-500C 渦旋干泵進(jìn)行 CVD 設(shè)備檢漏.
檢漏過(guò)程: 真空模式檢漏, CVD 設(shè)備, 氦質(zhì)譜檢漏儀 ASM340 D 和 ISP-500C 渦旋泵搭建為三通系統(tǒng), 檢漏流程是先把 CVD 設(shè)備封閉, 再打開(kāi)檢漏的接口, 然后啟動(dòng)渦旋泵預(yù)抽腔體真空至 1500 Pa. 腔體真空度穩(wěn)定在 1500 Pa 后, 啟動(dòng)氦質(zhì)譜檢漏儀, 設(shè)定檢漏儀漏率為 1E-10 mbrl l/s, 從腔體外面噴氦氣 He(在懷疑有漏的部位,比如閥門(mén), 接口, 焊接處等地方), 如果漏率** 1E-10 mbrl l/s, 則判定為設(shè)備泄漏率是合格的, 如果泄漏率** 1E-10 mbrl l/s, 檢漏儀會(huì)報(bào)警, 并**定量顯示噴氦氣的位置和漏率.
型號(hào) | ASM 340 D | |
對(duì)氦氣的小檢測(cè)漏率 | 5E-13 Pa m3/s | |
檢測(cè)模式 | 真空模式和吸式 | |
檢測(cè)氣體 | 4He, 3He, H2 | |
啟動(dòng)時(shí)間 min | 3 | |
對(duì)氦氣的抽氣速度 l/s | 2.5 | |
進(jìn)氣口大壓力 hPa | 25 | |
前級(jí)泵抽速 m3/h | 隔膜泵 3.4 m3/ | |
重量 kg | 45 |
結(jié)合了 Pfeiffer 與 Adixen 兩家檢漏儀的技術(shù)優(yōu)勢(shì), 上海伯東德國(guó) Pfeiffer 推出全系列新型號(hào)氦質(zhì)譜檢漏儀, 從便攜式檢漏儀到工作臺(tái)式檢漏儀滿(mǎn)足各種不同的應(yīng)用. 氦質(zhì)譜檢漏儀替代傳統(tǒng)泡沫檢漏和壓差檢漏, 利用氦氣作為示蹤氣體可定位, 定量漏點(diǎn). 氦質(zhì)譜檢漏儀滿(mǎn)足單機(jī)檢漏, 也可集成在檢漏系統(tǒng)或 PLC. 推薦氦質(zhì)譜檢漏儀應(yīng)用 >>
鑒于客戶(hù)信息保密, 若您需要進(jìn)一步的了解 CVD 設(shè)備檢漏, 請(qǐng)聯(lián)絡(luò)上海伯東葉女士
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詞條說(shuō)明
美國(guó) KRi 霍爾離子源輔助鍍膜 IBAD 應(yīng)用
上海伯東美國(guó)?KRi 霍爾離子源?EH 系列, 提供高電流低能量寬束型離子束, KRi?霍爾離子源可以以納米精度來(lái)處理薄膜及表面, 多種型號(hào)滿(mǎn)足科研及工業(yè), 半導(dǎo)體應(yīng)用.?霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率, 低能量減少離子轟擊損傷表面, 寬束設(shè)計(jì)提高吞吐量和覆蓋沉積區(qū). 整體易操作, 易維護(hù), 安裝于各類(lèi)真空設(shè)備中, 例如 e-beam 電子束鍍膜機(jī), lo
?? ? ? 1064nm 窄帶濾光片是在各類(lèi)玻璃材質(zhì)表面通過(guò)特殊的鍍膜工藝而形成的光學(xué)元件, 可以從入射光中選取任意所需求的波長(zhǎng), 半峰值一般在 5nm~50nm之間, 具有波長(zhǎng)定位準(zhǔn)確、透過(guò)高、截止深、溫漂小、性好、光潔度好的特點(diǎn), 是激光設(shè)備應(yīng)用中常見(jiàn)的濾光片解決方案.?? ? ? 1064nm 窄帶濾光片使用在
KRi 離子源 e-beam 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)輔助鍍膜應(yīng)用
上海伯東美國(guó)?KRi 考夫曼離子源?e-beam 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)輔助鍍膜應(yīng)用上海伯東美國(guó)?KRi 考夫曼離子源?KDC 系列, 通過(guò)加熱燈絲產(chǎn)生電子, 是典型的考夫曼型離子源, 離子源增強(qiáng)設(shè)計(jì)輸出低電流高能量寬束型離子束, 通過(guò)同時(shí)的或連續(xù)的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 實(shí)現(xiàn)輔助鍍膜 IBAD.?e-beam?電子束蒸
上海伯東提供適用于薄膜太陽(yáng)能電池生產(chǎn)的離子源和真空系統(tǒng)
? ? ?在沒(méi)有真空的情況下,可再生能源的發(fā)展是不可能的。以光伏發(fā)電(Photovoltaics,PV)為例,這是一種為大家所熟知的能源轉(zhuǎn)化方式,通過(guò)太陽(yáng)能電池將太陽(yáng)輻射能轉(zhuǎn)化為電子流,進(jìn)而生成電能。? ? ? ?太陽(yáng)能電池技術(shù)有許多種類(lèi),其中一種主要的技術(shù)是基于薄膜沉積。這種方法的主要優(yōu)點(diǎn)在于,它在制造太陽(yáng)能電池時(shí)消耗的材料較
公司名: 伯東企業(yè)(上海)有限公司
聯(lián)系人: 葉南晶
電 話: 021-50463511
手 機(jī): 13918837267
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地 址: 上海浦東高橋上海浦東新區(qū)新金橋路1888號(hào)36號(hào)樓7樓702室
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