晶閘管的外形有平面型,螺栓型,還有小型塑封型等幾種。下圖是常見晶閘管外形;
晶閘管有四層半導(dǎo)體組成。
晶閘管有以下三點工作特點;
1;晶閘管導(dǎo)通必須具備兩個條件:一是晶閘管陽極與陰極間必須接反向電壓,二是控制較與陰極之間也要接正向電壓。
2;晶閘管一旦導(dǎo)通后,降低或去掉控制較電壓時,晶閘管仍然導(dǎo)通。
3;導(dǎo)通后的晶閘管要關(guān)斷時,必須減小其陽極電流使其小于晶閘管的維持電流。
晶閘管的主要參數(shù)有以下四點;
1,額定正向平均電流,在規(guī)定的環(huán)境溫度和散熱條件下,允許通過陽極和陰極之間的電流的平均值。例如;晶閘管是5A,即指它的額定正向平均電流是5A。
2,維持電流,在規(guī)定的環(huán)境溫度,控制較斷開的條件下,要保持晶閘管處于導(dǎo)通狀態(tài)所需的較小正向電流。規(guī)格不同,數(shù)值不同,可有幾毫安到幾十毫安。
3,控制較觸發(fā)電壓和電流,在規(guī)定的環(huán)境溫度及一定的正向電壓條件下,使晶閘管從關(guān)斷到導(dǎo)通,控制較所需的較小電壓和電流。
4,正向阻斷峰值電壓,控制較斷開,加正向電壓晶閘管截止的狀態(tài)稱正向阻斷。此時允許加到晶閘管上的正向電壓較大值稱正向阻斷峰值電壓。
5,反向阻斷峰值電壓,控制較斷開,加反向電壓晶閘管截止的狀態(tài)稱反向阻斷,此時允許加到晶閘管上的反向電壓較大值稱反向阻斷峰值電壓。
詞條
詞條說明
焊機的工況是間斷式的。即晶閘管在工作時結(jié)溫升高,停止工作時結(jié)溫又降到某一值。再次工作,結(jié)溫又在此值基礎(chǔ)上升高。這里就要用到“晶閘管設(shè)計實例1”中提到的“瞬態(tài)熱阻”的概念。在此工況下,熱平衡條件是由所安裝的散熱器及晶閘管的瞬態(tài)熱阻之和決定的。計算公式見圖1。幾種常見的負載條件下等效結(jié)溫的計算公式(一)舉例說明。例一:某焊機采用六相半波帶平衡電抗整流線路。滿負荷工作時,導(dǎo)通角120°。每只晶閘管通過的
一、什么是芯片芯片,又稱微電路(microcircuit)、微芯片(microchip)、集成電路(integrated circuit, IC),是指內(nèi)含集成電路的硅片,體積很小,常常是計算機或其他電子設(shè)備的一部分。芯片(chip)就是半導(dǎo)體元件產(chǎn)品的統(tǒng)稱,是 集成電路(IC, integrated circuit)的載體,由晶圓分割而成。硅片是一塊很小的硅,內(nèi)含集成電路,它是計算機或者其他電子
半導(dǎo)體芯片的應(yīng)用涵蓋了哪些領(lǐng)域?
1、新能源領(lǐng)域在可再生能源領(lǐng)域,在將風(fēng)電和太陽能電力接入電網(wǎng)以及減少輸電損耗方面,都發(fā)揮了較其重要的作用;綠色能源、電動汽車、綠色電子照明等新興領(lǐng)域正在成為功率器件市場應(yīng)用的新熱點,需求強勁。2、信息通訊設(shè)備領(lǐng)域增強型氮化鎵電晶體表現(xiàn)出高耐輻射性能,從而適用于通訊和科學(xué)衛(wèi)星的功率和通訊系統(tǒng);點到點通信、衛(wèi)星通信、各種雷達和新型工業(yè)/醫(yī)療應(yīng)用都將從這些大功率氮化鎵器件的應(yīng)用中獲益。3、4C產(chǎn)業(yè)國內(nèi)各
高耐壓能力:整流管芯片的PN結(jié)面積大,具有較高的耐壓能力,可以承受高電壓的工作環(huán)境。高電流承受能力:整流管芯片的結(jié)構(gòu)和材料選擇能夠承受較高的電流,可以在高電流的電路中工作。適用于高頻電路:整流管芯片具有較快的開關(guān)速度和響應(yīng)速度,適用于高頻電路中??煽啃愿撸赫鞴苄酒慕Y(jié)構(gòu)簡單,體積小,具有較高的可靠性和穩(wěn)定性,能夠在惡劣環(huán)境下工作,并且不易損壞。應(yīng)用廣泛:整流管芯片可以應(yīng)用于交流電轉(zhuǎn)直流電的整流電
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