氧化鋁拋光粉(VK-L30F)在藍(lán)寶石襯底拋光中的應(yīng)用
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目前, 在藍(lán)寶石的CMP 工藝中, 常用的磨料主要包括金剛石、二氧化硅溶膠、氧化鈰和氧化鋁等磨料。
實驗數(shù)據(jù)表明,a-氧化鋁拋光粉(VK-L30F,0.3um,球型)在藍(lán)寶石拋光過程中的優(yōu)勢逐漸明顯。
金剛石只用于傳統(tǒng)的機(jī)械拋光,其硬度(莫氏10)比藍(lán)寶石(莫氏9)硬度高,容易產(chǎn)生劃傷,藍(lán)寶石表面損傷度高,良率低。氧化鋁(VK-L30F)的硬度與藍(lán)寶石相當(dāng),顆粒球型,拋光速率高,良率高,是比較理想的拋光材料。而SiO2硬度(莫氏硬度7.5)比藍(lán)寶石低,拋光速率比氧化鋁拋光粉慢很多,拋光比較耗時。
在拋光C-平面藍(lán)寶石襯底時,a-氧化鋁拋光粉(VK-L30F,0.3um)制成的研磨液的拋光性能(去除速率和表面質(zhì)量等)**其他磨料,具體表現(xiàn)如下:
1,形成的水化層增加,拋光過程中,在藍(lán)寶石基底上持續(xù)形成水化層,它比基底層軟,該層的形成有利于材料的去除,并產(chǎn)生高質(zhì)量表面。
2,表面質(zhì)量改善,a-氧化鋁與基底藍(lán)寶石的硬度一樣,因此,磨料劃傷藍(lán)寶石的可能性很小。
3,去除速率增加,a-氧化鋁磨料經(jīng)歷了與基底藍(lán)寶石一樣的表面水化,在基底寶石與磨料水化層之間的化學(xué)機(jī)械作用加速了材料去除,當(dāng)磨料和基底藍(lán)寶石的表面在拋光壓力下靠在一起并剪切時,就相互粘附,進(jìn)一步的剪切就會使粒子撕開鍵合的水化層,通過粒子的前邊沿促進(jìn)材料去除。表面粗糙度能小于0.2um.
4,氧化鋁拋光液在循環(huán)過程中穩(wěn)定性較好,二氧化硅拋光液在使用過程中溫度**嚴(yán)格控制,以防止結(jié)塊,但氧化鋁研磨液就比較穩(wěn)定,也顯示了很好的潔凈度。
實驗1:采用氧化鋁拋光粉對藍(lán)寶石襯底進(jìn)行拋光,拋光液的pH為10時拋光效果較好,表面粗糙度RMS可達(dá)0.2um。 拋光壓力在0. 12Mpa 至0. 15Mpa ,拋光液濃度為10%時較佳。濃度越高,拋光速率越快。
目前很多良好的藍(lán)寶石加工廠正在評估并使用基于氧化鋁研磨液用于較大直徑晶圓拋光。
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實驗1:采用氧化鋁拋光粉對藍(lán)寶石襯底進(jìn)行拋光,拋光液的pH為10時拋光效果較好,表面粗糙度RMS可達(dá)0.2um。 拋光壓力在0. 12Mpa 至0. 15Mpa ,拋光液濃度為10%時較佳。濃度越高,拋光速率越快。
目前很多良好的藍(lán)寶石加工廠正在評估并使用基于氧化鋁研磨液用于較大直徑晶圓拋光。
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詞條說明
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