閩臺(tái)STANSON STC4614 NP40V 10A SOP-8原廠直銷

時(shí)間：2020-05-14作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司瀏覽：216

描述

stc4614是N和P溝道采用高密度增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管

DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度的過(guò)程，特別是量身定制，以盡量減少對(duì)狀態(tài)的阻力

并提供優(yōu)越的開關(guān)性能。該裝置特別適合于低電壓應(yīng)用

如筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路，在高側(cè)

開關(guān)，低的在線功率損耗和電阻瞬態(tài)是必要的

特征

N溝道

40V/10.0A，RDS(ON)= 25mΩ(典型值)

@ VGS = 10V

40V/6A，RDS(ON)= 32mΩ

@ VGS = 4.5V

P溝道

- 40V / -10.0a，RDS(上)= 37mΩ(典型值

@ VGS = - 10V

- 40V / -5.0a，RDS(上)= 43mΩ

@ VGS = - 4.5V

!**高密度電池設(shè)計(jì)

較低的RDS(on)

!特殊的阻力和大

直流電流的能力

!SOP-8封裝


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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 肖特基二極管封裝_肖特基二極管作用

  肖特基二極管是以其**肖特基博士研究生（Schottky）取名的，SBD是肖特基能隙二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的通稱。SBD并不是運(yùn)用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體觸碰產(chǎn)生PN結(jié)基本原理制做的，反而是運(yùn)用金屬材料與半導(dǎo)體材料觸碰產(chǎn)生的金屬材料－半導(dǎo)體材料結(jié)基本原理制做的。因而，SBD也稱之為金屬材料－半導(dǎo)體材料（觸碰）二極管或表面能隙二極管，它是一種熱自由電子二極管

• STN4102 TO-252 N30V 15A司坦森原廠

  STN410D替代AOD400、AOD410、AOD420描述stn4102是N溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管邏輯它是利用高密度，DMOS器件溝道技術(shù)。有了stn410d特別設(shè)計(jì)，以提高直流/直流轉(zhuǎn)換器的整體效率無(wú)論是同步或傳統(tǒng)的開關(guān)型脈寬調(diào)制控制器。它已被優(yōu)化低柵較電荷，低的RDS(on)和快速開關(guān)速度。特征30V / 15.0A，RDS(ON)= 32mΩ@ VGS = 10V30V / 8.0A

• ST25N10 TO-252 N100V 12A 閩臺(tái)STANSON/司坦森

  描述st25n10是N溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管邏輯它是利用高密度，DMOS器件溝道技術(shù)。有了st16n10特別設(shè)計(jì)，以提高直流/直流轉(zhuǎn)換器的整體效率無(wú)論是同步或傳統(tǒng)的開關(guān)型脈寬調(diào)制控制器。它已被優(yōu)化低柵較電荷，低的RDS(on)和快速開關(guān)速度。特征100V/12.0A，RDS(ON)= 40mΩ@ VGS = 10V100V/10.0A，RDS(ON)= 45mΩ@ VGS = 4.5V**高密度

• STC4614

  STC4614是N和P溝道采用高密度增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度的過(guò)程，特別是量身定制，以盡量減少對(duì)狀態(tài)的阻力并提供優(yōu)越的開關(guān)性能。該裝置特別適合于低電壓應(yīng)用如筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路，在高側(cè)開關(guān)，低的在線功率損耗和電阻瞬態(tài)是必要的特征N溝道40V／10.0A，RDS（ON）=?25mΩ（典型值）@?VGS?=?10V4