STC4614

時間：2021-05-28

作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司

STC4614是N和P溝道采用高密度增強型功率場效應晶體管

DMOS器件溝道技術。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對狀態(tài)的阻力

并提供優(yōu)越的開關性能。該裝置特別適合于低電壓應用

如筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路，在高側(cè)

開關，低的在線功率損耗和電阻瞬態(tài)是必要的

特征

N溝道

40V／10.0A，RDS（ON）= 25mΩ（典型值）

@ VGS = 10V

40V／6A，RDS（ON）= 32mΩ

@ VGS = 4.5V

P溝道

- 40V / -10.0a，RDS（上）= 37mΩ（典型值

@ VGS = - 10V

- 40V / -5.0a，RDS（上）= 43mΩ

@ VGS = - 4.5V

！**高密度電池設計

較低的RDS（on）

！特殊的阻力和大

直流電流的能力

！SOP-8封裝

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詞條
詞條說明
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