司坦森場(chǎng)效應(yīng)管原廠STN442D TO-252 參數(shù)**0V 37A 24mΩ用于按摩器
STN442D可替代型號(hào)STN442D替代AOD4130、2SK3416、AOD442、
描述
場(chǎng)效應(yīng)管STN442D使用溝槽技術(shù),提供優(yōu)良的RDS(ON)和柵較電荷。
這些設(shè)備是適合作為負(fù)載開(kāi)關(guān)或在應(yīng)用程序使用。
特征
60V / 20.0a,RDS(上)= 24mΩ(典型值)
@ VGS = 10V
60V / 20.0a,RDS(上)= 31mΩ
@ VGS = 4.5V
**高密度電池設(shè)計(jì)
較低的RDS(on)
特殊的阻力和
大直流電流能力
TO-252封裝設(shè)計(jì)
詞條
詞條說(shuō)明
閩臺(tái)STANSON STC4614 NP40V 10A SOP-8原廠直銷(xiāo)
描述stc4614是N和P溝道采用高密度增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度的過(guò)程,特別是量身定制,以盡量減少對(duì)狀態(tài)的阻力并提供優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能。該裝置特別適合于低電壓應(yīng)用如筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路,在高側(cè)開(kāi)關(guān),低的在線功率損耗和電阻瞬態(tài)是必要的特征N溝道40V/10.0A,RDS(ON)= 25mΩ(典型值)@ VGS = 10V40V/6A,RDS(ON)= 32m
STN410D替代AOD400、AOD410、AOD420描述stn4102是N溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管邏輯它是利用高密度,DMOS器件溝道技術(shù)。有了stn410d特別設(shè)計(jì),以提高直流/直流轉(zhuǎn)換器的整體效率無(wú)論是同步或傳統(tǒng)的開(kāi)關(guān)型脈寬調(diào)制控制器。它已被優(yōu)化低柵較電荷,低的RDS(on)和快速開(kāi)關(guān)速度。特征30V / 15.0A,RDS(ON)= 32mΩ@ VGS = 10V30V / 8.0A
二極管,(英文:Diode),電子元器件之中,一種具備2個(gè)金屬電極的設(shè)備,只容許電流由單一方位穿過(guò),很多的運(yùn)用是應(yīng)用其整流器的功能。而變?nèi)荻O管(VaricapDiode)則用于作為電子式的可調(diào)式電力電容器。絕大多數(shù)二極管所擁有的電流專(zhuān)一性大家通常稱(chēng)作“整流器(Rectifying)”功能。二極管較廣泛的功能便是只容許電流由單一方位根據(jù)(稱(chēng)為正向偏壓),反方向時(shí)阻隔(稱(chēng)為反向偏壓)。因而,二極管可
肖特基二極管是以其**肖特基博士研究生(Schottky)取名的,SBD是肖特基能隙二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫(xiě)成SBD)的通稱(chēng)。SBD并不是運(yùn)用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體觸碰產(chǎn)生PN結(jié)基本原理制做的,反而是運(yùn)用金屬材料與半導(dǎo)體材料觸碰產(chǎn)生的金屬材料-半導(dǎo)體材料結(jié)基本原理制做的。因而,SBD也稱(chēng)之為金屬材料-半導(dǎo)體材料(觸碰)二極管或表面能隙二極管,它是一種熱自由電子二極管
公司名: 司坦森集成電路(深圳)有限公司
聯(lián)系人: 羅小姐
電 話:
手 機(jī): 17603024289
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地 址: 廣東深圳福田區(qū)深圳市福田區(qū)福田街道福田區(qū)福明路雷圳大廈2605室
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英飛凌IRF7832 N30V 20A替代用閩臺(tái)STN4488L N30V 20A
閩臺(tái)STANSON STN4438 SOP-8 60V 8.5A 30mΩ
威世SI4436DY **0V 8A用閩臺(tái)司坦森STN4438 替代
大中SM6029NSK **0V 5.2A用閩臺(tái)STN4438 替代
美國(guó)萬(wàn)代AO4498 N30V 18A替代用閩臺(tái)STN4488L N30V 20A
威世SI4162DY N30V 19A替代用閩臺(tái)STN4488L N30V 20A
美國(guó)萬(wàn)代AOD609 NP40V 替代用閩臺(tái)STC4301D NP40V
新潔能NCE609 NP40V 替代用閩臺(tái)STC4301D NP40V
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