描述
st25n10是N溝道增強型功率場效應(yīng)晶體管邏輯
它是利用高密度,DMOS器件溝道技術(shù)。有了st16n10
特別設(shè)計,以提高直流/直流轉(zhuǎn)換器的整體效率
無論是同步或傳統(tǒng)的開關(guān)型脈寬調(diào)制控制器。它已被優(yōu)化
低柵較電荷,低的RDS(on)和快速開關(guān)速度。
特征
100V/12.0A,RDS(ON)= 40mΩ
@ VGS = 10V
100V/10.0A,RDS(ON)= 45mΩ
@ VGS = 4.5V
**高密度電池設(shè)計
較低的RDS(on)
特殊的阻力和
大直流電流能力
TO-252封裝設(shè)計
詞條
詞條說明
STN410D替代AOD400、AOD410、AOD420描述stn4102是N溝道增強型功率場效應(yīng)晶體管邏輯它是利用高密度,DMOS器件溝道技術(shù)。有了stn410d特別設(shè)計,以提高直流/直流轉(zhuǎn)換器的整體效率無論是同步或傳統(tǒng)的開關(guān)型脈寬調(diào)制控制器。它已被優(yōu)化低柵較電荷,低的RDS(on)和快速開關(guān)速度。特征30V / 15.0A,RDS(ON)= 32mΩ@ VGS = 10V30V / 8.0A
司坦森場效應(yīng)管原廠STN442D?TO-252?參數(shù)**0V?37A?24mΩ用于按摩器STN442D可替代型號STN442D替代AOD4130、2SK3416、AOD442、描述場效應(yīng)管STN442D使用溝槽技術(shù),提供優(yōu)良的RDS(ON)和柵較電荷。這些設(shè)備是適合作為負(fù)載開關(guān)或在應(yīng)用程序使用。特征60V?/?20.0a,RDS(上)=&
肖特基二極管是以其**肖特基博士研究生(Schottky)取名的,SBD是肖特基能隙二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的通稱。SBD并不是運用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體觸碰產(chǎn)生PN結(jié)基本原理制做的,反而是運用金屬材料與半導(dǎo)體材料觸碰產(chǎn)生的金屬材料-半導(dǎo)體材料結(jié)基本原理制做的。因而,SBD也稱之為金屬材料-半導(dǎo)體材料(觸碰)二極管或表面能隙二極管,它是一種熱自由電子二極管
穩(wěn)壓二極管是什么_穩(wěn)壓二極管與整流二極管區(qū)別
文中主要是詳細(xì)介紹穩(wěn)壓二極管是啥_穩(wěn)壓二極管與整流器二極管區(qū)別,二極管,(英文:Diode),電子元器件之中,一種具備2個金屬電極的設(shè)備,只準(zhǔn)許電流量由單一方位穿過,很多的運用是應(yīng)用其整流器的作用。而變?nèi)荻O管(VaricapDiode)則用于作為電子式的可調(diào)式電力電容器。 穩(wěn)壓二極管 穩(wěn)壓二極管,英語名Zenerdiode,又叫齊納二極管。利用pn結(jié)反向穿透情況,其電流量可在非常大范疇內(nèi)轉(zhuǎn)變而電
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英飛凌IRF7832 N30V 20A替代用閩臺STN4488L N30V 20A
閩臺STANSON STN4438 SOP-8 60V 8.5A 30mΩ
威世SI4436DY **0V 8A用閩臺司坦森STN4438 替代
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