失效分析是一門發(fā)展中的新興學科,近年開始從**向普通企業(yè)普及。它一般根據(jù)失效模式和現(xiàn)象,通過分析和驗證,模擬重現(xiàn)失效的現(xiàn)象,找出失效的原因,挖掘出失效的機理的活動。在提高產(chǎn)品質(zhì)量,技術開發(fā)、改進,產(chǎn)品修復及仲裁失效事故等方面具有很強的實際意義。其方法分為有損分析,無損分析,物理分析,化學分析等。 原理 失效機制是導致零件、元器件和材料失效的物理或化學過程。此過程的誘發(fā)因素有內(nèi)部的和外部的。在研究失效機制時,通常先從外部誘發(fā)因素和失效表現(xiàn)形式入手,進而再研究較隱蔽的內(nèi)在因素。在研究批量性失效規(guī)律時,常用數(shù)理統(tǒng)計方法,構成表示失效機制、失效方式或失效部位與失效頻度、失效百分比或失效經(jīng)濟損失之間關系的排列圖或帕雷托圖,以找出必須首先解決的主要失效機制、方位和部位。任一產(chǎn)品或系統(tǒng)的構成都是有層次的,失效原因也具有層次性,如系統(tǒng)-單機-部件(組件)-零件(元件)-材料。上一層次的失效原因即是下一層次的失效現(xiàn)象。越是低層次的失效現(xiàn)象,就越是本質(zhì)的失效原因。 失效分析是任何產(chǎn)品研發(fā)都必須要做的,對于PCB而言,也有很多失效的情況,那么如何分析和改善呢?其實對于很多硬件工程師而言了解的渠道很少,也難以理解,即使閱讀完這一篇比較科普的文章可能也難以理解。 作為各種元器件的載體與電路信號傳輸?shù)臉屑~,PCB已經(jīng)成為電子信息產(chǎn)品的較為重要而關鍵的部分,其質(zhì)量的好壞與可靠性水平?jīng)Q定了整機設備的質(zhì)量與可靠性。但是由于成本以及技術的原因,PCB在生產(chǎn)和應用過程中出現(xiàn)了大量的失效問題。
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失效分析fib 1.IC芯片電路修改 用FIB對芯片電路進行物理修改可使芯片設計者對芯片問題處作針對性的測試,以便較快較準確的驗證設計方案。 若芯片部份區(qū)域有問題,可通過FIB對此區(qū)域隔離或改正此區(qū)域功能,以便找到問題的癥結。 FIB還能在較終產(chǎn)品量產(chǎn)之前提供部分樣片和工程片,利用這些樣片能加速終端產(chǎn)品的上市時間。利用FIB修改芯片可以減少不成功的設計方案修改次數(shù),縮短研發(fā)時間和周期。 2.Cro
《晶柱切片后處理》 硅晶柱長成后,整個晶圓的制作才到了一半,接下必須將晶柱做裁切與檢測,裁切掉頭尾的晶棒將會進行外徑研磨、切片等一連串的處理,最后才能成為一片片**非凡的晶圓,以下將對晶柱的后處理制程做介紹。 切片(Slicing) 長久以來經(jīng)援切片都是采用內(nèi)徑鋸,其鋸片是一環(huán)狀薄葉片,內(nèi)徑邊緣鑲有鉆石顆粒,晶棒在切片前預先黏貼一石墨板,不僅有利于切片的夾持,較可以避免在最后切斷階段時鋸片離開晶棒
掃描電鏡SEM你了解嗎?掃描電子顯微鏡SEM應用范圍: 1、材料表面形貌分析,微區(qū)形貌觀察 2、各種材料形狀、大小、表面、斷面、粒徑分布分析 3、各種薄膜樣品表面形貌觀察、薄膜粗糙度及膜厚分析 掃描電子顯微鏡樣品制備比透射電鏡樣品制備簡單,不需要包埋和切片。 樣品要求: 樣品必須是固體;滿足無毒,無放射性,無污染,無磁,無水,成分穩(wěn)定要求。 制備原則: 表面受到污染的試樣,要在不破壞試樣表面結構的
白話芯片漏電定位方法科普 原創(chuàng) 儀準科技 王福成 轉(zhuǎn)載請寫明出處 芯片漏電是失效分析案例中較常見的,找到漏電位置是查明失效原因的前提,液晶漏電定位、EMMI(CCD\InGaAs)、激光誘導等手段是工程人員經(jīng)常采用的手段。多年來,在中國半導體產(chǎn)業(yè)有個誤區(qū),認為激光誘導手段就是OBIRCH。今日小編為大家科普一下激光誘導(laser scan Microscope). 目前激光誘導功能在業(yè)內(nèi)普遍被采
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