失效分析fib

時(shí)間：2020-03-25作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：94

失效分析fib
1.IC芯片電路修改
用FIB對(duì)芯片電路進(jìn)行物理修改可使芯片設(shè)計(jì)者對(duì)芯片問(wèn)題處作針對(duì)性的測(cè)試,以便較快較準(zhǔn)確的驗(yàn)證設(shè)計(jì)方案。 若芯片部份區(qū)域有問(wèn)題,可通過(guò)FIB對(duì)此區(qū)域隔離或改正此區(qū)域功能,以便找到問(wèn)題的癥結(jié)。
FIB還能在較終產(chǎn)品量產(chǎn)之前提供部分樣片和工程片,利用這些樣片能加速終端產(chǎn)品的上市時(shí)間。利用FIB修改芯片可以減少不成功的設(shè)計(jì)方案修改次數(shù)，縮短研發(fā)時(shí)間和周期。
2.Cross-Section 截面分析
用FIB在IC芯片特定位置作截面斷層,以便觀測(cè)材料的截面結(jié)構(gòu)與材質(zhì),**分析芯片結(jié)構(gòu)缺陷。
3.Probing Pad
在復(fù)雜IC線路中任意位置引出測(cè)試點(diǎn), 以便進(jìn)一步使用探針臺(tái)(Probe- station) 或 E-beam 直接觀測(cè)IC內(nèi)部信號(hào)。
4.FIB透射電鏡樣品制備
這一技術(shù)的特點(diǎn)是從納米或微米尺度的試樣中直接切取可供透射電鏡或高分辨電鏡研究的薄膜。試樣可以為IC芯片、納米材料、顆?；虮砻娓男院蟮陌差w粒，對(duì)于纖維狀試樣，既可以切取橫切面薄膜也可以切取縱切面薄膜。對(duì)含有界面的試樣或納米多層膜，該技術(shù)可以制備研究界面結(jié)構(gòu)的透射電鏡試樣。技術(shù)的另一重要特點(diǎn)是對(duì)原始組織損傷很小。
5.材料鑒定
材料中每一個(gè)晶向的排列方向不同，可以利用遂穿對(duì)比圖像進(jìn)行晶界或晶粒大小分布的分析。另外，也可加裝EDS或SIMS進(jìn)行元素組成分析。


儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司專(zhuān)注于手動(dòng)探針臺(tái),probe,station等

• 詞條

  詞條說(shuō)明

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• FIB功能介紹

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