掃描電鏡SEM你了解嗎?掃描電子顯微鏡SEM應(yīng)用范圍: 1、材料表面形貌分析,微區(qū)形貌觀察 2、各種材料形狀、大小、表面、斷面、粒徑分布分析 3、各種薄膜樣品表面形貌觀察、薄膜粗糙度及膜厚分析 掃描電子顯微鏡樣品制備比透射電鏡樣品制備簡單,不需要包埋和切片。 樣品要求: 樣品必須是固體;滿足無毒,無放射性,無污染,無磁,無水,成分穩(wěn)定要求。 制備原則: 表面受到污染的試樣,要在不破壞試樣表面結(jié)構(gòu)的前提下進(jìn)行適當(dāng)清洗,然后烘干; 新斷開的斷口或斷面,一般不需要進(jìn)行處理,以免破壞斷口或表面的結(jié)構(gòu)狀態(tài); 要侵蝕的試樣表面或斷口應(yīng)清洗干凈并烘干; 磁性樣品預(yù)先去磁; 試樣大小要適合儀器**樣品座尺寸。 常用方法: 塊狀樣品 塊狀導(dǎo)電材料:*制樣,用導(dǎo)電膠把試樣粘結(jié)在樣品座上,直接觀察。 塊狀非導(dǎo)電(或?qū)щ娦阅懿睿┎牧希合仁褂缅兡しㄌ幚順悠?,以避免電荷累積,影響圖像質(zhì)量。 圖 塊狀樣品制備示意圖 粉末樣品 直接分散法: 雙面膠粘在銅片上,將被測樣品顆粒借助于棉球直接散落在上面,用洗耳球輕吹試樣,除去附著的和未牢固固定的顆粒。 把載有顆粒的玻璃片翻轉(zhuǎn)過來,對準(zhǔn)已備好的試樣臺,用小鑷子或玻璃棒輕輕敲打,使細(xì)顆粒均勻落在試樣臺。 超聲分散法:將少量的顆粒置于燒杯中,加入適量的乙醇,超聲震蕩5分鐘后,用滴管加到銅片上,自然干燥。 鍍膜法 真空鍍膜 真空蒸發(fā)鍍膜法(簡稱真空蒸鍍)是在真空室中,加熱蒸發(fā)容器中待形成薄膜的原材料,使其原子或分 子從表面氣化逸出,形成蒸氣流,入射到固體(稱為襯 底或基片)表面,凝結(jié)形成固態(tài)薄膜的方法。 離子濺射鍍膜 原理: 離子濺射鍍膜是在部分真空的濺射室中輝光放電,產(chǎn)生正的氣體離子;在陰極(靶)和陽極(試樣)間電壓的加速作用下,荷正電的離子轟擊陰極表面,使陰極表面材料原子化;形成的中性原子,從各個方向濺出,射落到試樣的表面,于是在試樣表面上形成一層均勻的薄膜。 特點: 對于任何待鍍材料,只要能做成靶材,就可實現(xiàn)濺射(適合制備難蒸發(fā)材料,不易得到高純度的化合物所對應(yīng)的薄膜材料); 濺射所獲得的薄膜和基片結(jié)合較好; 消耗貴金屬少,每次僅約幾毫克; 濺射工藝可重復(fù)性好,膜厚可控制,同時可以在大面積基片上獲得厚度均勻的薄膜。 濺射方法:直流濺射、射頻濺射、磁控濺射、反應(yīng)濺射。 1.直流濺射 圖 直流濺射沉積裝置示意圖 已很少用,因為沉積速率太低~0.1μm/min,基片升溫,靶材必須導(dǎo)電,高的直流電壓,較高的氣壓。 優(yōu)點:裝置簡單,*控制,支模重復(fù)性好。 缺點:工作氣壓高(10-2Torr),高真空泵不起作用; 沉積速率低,基片升溫高,只能用金屬靶(絕緣靶導(dǎo)致正離子累積) 2.射頻濺射 圖 射頻濺射工作示意圖 射頻頻率:13.56MHz 特點: 電子作振蕩運動,延長了路徑,不再需要高壓。 射頻濺射可制備絕緣介質(zhì)薄膜 射頻濺射的負(fù)偏壓作用,使之類似直流濺射。 3.磁控濺射 原理:以磁場改變電子運動方向,并束縛和延長電子的運動軌跡,提高了電子對工作氣體的電離幾率,有效利用了電子的能量。從而使正離子對靶材轟擊所引起的靶材濺射較加有效,可在較低的氣壓條件下進(jìn)行濺射,同時受正交電磁場束縛的電子又約束在靶附近,只能在其能量耗盡時才能沉積的基片上。 圖 磁控濺射原理示意圖 特點:低溫,高速,有效解決了直流濺射中基片溫升高和濺射速率低兩大難題。 缺點: 靶材利用率低(10%-30%),靶表面不均勻濺射; 反應(yīng)性磁控濺射中的電弧問題; 薄膜不夠均勻 濺射裝置比較復(fù)雜 反應(yīng)濺射 在濺射氣體中加入少量的反應(yīng)氣體如氮氣,氧氣,烷類等,使反應(yīng)氣體與靶材原子一起在襯底上沉積,對一些不易找到塊材制成靶材的材料,或濺射過程中薄膜成分*偏離靶材原成分的,都可利用此方法。 反應(yīng)氣體:O2,N2,NH3,CH4,H2S等 鍍膜操作 將制好的樣品臺放在樣品托內(nèi),置于離子濺射儀中,蓋好頂蓋,擰緊螺絲,打開電源抽真空。待真空穩(wěn)定后,約為5 X10-1mmHg,按下"啟動"按鈕,通過調(diào)節(jié)針閥將電流調(diào)至6~8mA,開始鍍金,鍍金一分鐘后自動停止,關(guān)閉電源,打開頂蓋螺絲,放氣,取出樣品即可。
詞條
詞條說明
半導(dǎo)體技術(shù)公益課:有需要線上分享可以安排時間講您擅長的領(lǐng)域,半導(dǎo)體相關(guān)的都?xì)g迎,話題 時長不限 名稱:半導(dǎo)體技術(shù)公益課講師征集 時間:每周五下午5-7點 時長:不限 方式:直播分享 演講者可以準(zhǔn)備ppt,發(fā)來題目,框架,時長,個人簡介,協(xié)調(diào)好時間后即可安排。 想做線上分享的,可以聊您擅長的領(lǐng)域,半導(dǎo)體相關(guān)的都?xì)g迎,話題,時長不限 IC失效分析實驗室 北軟檢測智能產(chǎn)品檢測實驗室于2015年底實施運營
失效分析(FA)是一門發(fā)展中的新興學(xué)科,近年開始從**向普通企業(yè)普及。它一般根據(jù)失效模式和現(xiàn)象,通過分析和驗證,模擬重現(xiàn)失效的現(xiàn)象,找出失效的原因,挖掘出失效的機(jī)理的活動。在提高產(chǎn)品質(zhì)量,技術(shù)開發(fā)、改進(jìn),產(chǎn)品修復(fù)及仲裁失效事故等方面具有很強(qiáng)的實際意義。其方法分為有損分析,無損分析,物理分析,化學(xué)分析等 北軟檢測失效分析 失效分析的意義:分析機(jī)械零器件失效原因,為事故責(zé)任認(rèn)定、偵破刑事犯罪案件、裁定
芯片失效分析方法: 1.OM 顯微鏡觀測,外觀分析 2.C-SAM(超聲波掃描顯微鏡) (1)材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu),雜質(zhì)顆粒,夾雜物,沉淀物, (2) 內(nèi)部裂紋。 (3)分層缺陷。(4)空洞,氣泡,空隙等。 3. X-Ray 檢測IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性,PCB制程中可能存在的缺陷如對齊不良或橋接,開路、短路或不正常連接的缺陷,封裝中的錫球完整性。(這幾種是芯片發(fā)生失
失效分析fib 1.IC芯片電路修改 用FIB對芯片電路進(jìn)行物理修改可使芯片設(shè)計者對芯片問題處作針對性的測試,以便較快較準(zhǔn)確的驗證設(shè)計方案。 若芯片部份區(qū)域有問題,可通過FIB對此區(qū)域隔離或改正此區(qū)域功能,以便找到問題的癥結(jié)。 FIB還能在較終產(chǎn)品量產(chǎn)之前提供部分樣片和工程片,利用這些樣片能加速終端產(chǎn)品的上市時間。利用FIB修改芯片可以減少不成功的設(shè)計方案修改次數(shù),縮短研發(fā)時間和周期。 2.Cro
公司名: 儀準(zhǔn)科技(北京)有限公司
聯(lián)系人: 趙
電 話: 01082825511-869
手 機(jī): 13488683602
微 信: 13488683602
地 址: 北京海淀中關(guān)村東升科技園
郵 編:
網(wǎng) 址: advbj123.cn.b2b168.com
公司名: 儀準(zhǔn)科技(北京)有限公司
聯(lián)系人: 趙
手 機(jī): 13488683602
電 話: 01082825511-869
地 址: 北京海淀中關(guān)村東升科技園
郵 編:
網(wǎng) 址: advbj123.cn.b2b168.com
BW-AH-5520 半導(dǎo)體自動溫度實驗系統(tǒng)
¥100001.00
¥999.00
¥66.00
¥99999.00