STANSON STC6614 可替代Si4559A SM6041SCK NCE603S

時(shí)間：2020-03-03作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司瀏覽：175

STC6614替代Si4559ADY、SM6041SCK

描述
stc6614是N和P溝道采用高密度增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度的過(guò)程，特別是量身定制，以盡量減少對(duì)狀態(tài)的阻力
并提供優(yōu)越的開關(guān)性能。該裝置特別適合于低電壓應(yīng)用
如筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路，在高側(cè)
開關(guān)，低的在線功率損耗和電阻瞬態(tài)是必要的。

特征
N溝道
60V /幅，RDS（ON）= 35mΩ（典型值）
@ VGS = 10V
60V / 4.0A，RDS（ON）= 40mΩ
@ VGS = 4.5V
P溝道
- 60V / -5.0a，RDS（上）= 60mΩ（典型值）
@ VGS = - 10V
- 60V / -3.0a，RDS（上）= 80mΩ
@ VGS = 4.5v
**高密度電池設(shè)計(jì)
較低的RDS（on）
特殊的阻力和較大
直流電流的能力
SOP-8封裝





司坦森集成電路（深圳）有限公司專注于STP6621,STN4438等

• 詞條

  詞條說(shuō)明

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