MOS管STN2610 參數(shù) **0V 50A 應(yīng)用于電子測量儀器原廠庫存足交貨快

時(shí)間：2020-03-26

作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司

詞條
詞條說明
細(xì)說MOS管（二）
從上文《細(xì)說MOS管（一）》的內(nèi)容，大家已經(jīng)初步了解什么是MOS管，還有就是MOS的基本構(gòu)造，今天小編繼續(xù)帶領(lǐng)大家深入了解MOS管的構(gòu)造原理以及應(yīng)用領(lǐng)域，j今天我們來繼續(xù)深入了借MOS管，基于《細(xì)說MOS管一》的基礎(chǔ)上，首先我們可以看看MOS管的構(gòu)造圖：結(jié)合上圖和之前的知識(shí)點(diǎn)，我們將MOS管的知識(shí)劃分成九個(gè)問題分類點(diǎn)來進(jìn)行深入了解（如果還沒看過細(xì)說MOS管一的話，先可以點(diǎn)擊鏈接入口《細(xì)說MOS管一
STANSON 貼片MOS STN442D 規(guī)格書N60V 37A 應(yīng)用于按摩椅主板原廠直銷交貨快
STN442D替代AOD4130、2SK3416、AOD442描述STN442D使用溝槽技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS（ON）和柵較電荷。這些設(shè)備是適合作為負(fù)載開關(guān)或在應(yīng)用程序使用。特征60V / 20.0a，RDS（上）= 24mΩ（典型值@ VGS = 10V60V / 20.0a，RDS（上）= 31mΩ@ VGS = 4.5V**高密度電池設(shè)計(jì)較低的RDS（on）特殊的阻力和較大直流電流能力TO-2
MOS管失效原因是什么？
MOS管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator） —半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。目前在市場應(yīng)用方面，排名**的是消費(fèi)類電子電源適配器產(chǎn)
STANSON STC6614 可替代Si4559A SM6041SCK NCE603S
STC6614替代Si4559ADY、SM6041SCK描述stc6614是N和P溝道采用高密度增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對(duì)狀態(tài)的阻力并提供優(yōu)越的開關(guān)性能。該裝置特別適合于低電壓應(yīng)用如筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路，在高側(cè)開關(guān)，低的在線功率損耗和電阻瞬態(tài)是必要的。特征N溝道60V /幅，RDS（ON）= 35mΩ（典型值）@ VG