中國三代半導體行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及需求潛力分析報告2023-2029年

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中國三代半導體行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及需求潛力分析報告2023-2029年
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[報告編號] 375956
[出版日期] 2023年8月
[出版機構] 中研華泰研究院
[交付方式] EMIL電子版或特快專遞
[價格] 紙質版:6500元 電子版:6800元 紙質版+電子版:7000元
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**章　*三代半導體相關概述
1.1　*三代半導體基本介紹
1.1.1　基礎概念界定
1.1.2　主要材料簡介
1.1.3　歷代材料性能
1.1.4　產(chǎn)業(yè)發(fā)展意義
1.2　*三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程分析
1.2.1　材料發(fā)展歷程
1.2.2　產(chǎn)業(yè)演進全景
1.2.3　產(chǎn)業(yè)轉移路徑
1.3　*三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈構成及特點
1.3.1　產(chǎn)業(yè)鏈結構簡介
1.3.2　產(chǎn)業(yè)鏈圖譜分析
1.3.3　產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)體系
1.3.4　產(chǎn)業(yè)鏈體系分工
*二章　2021-2023年***三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
2.1　2021-2023年***三代半導體產(chǎn)業(yè)運行狀況
2.1.1　標準制定情況
2.1.2　**產(chǎn)業(yè)格局
2.1.3　市場發(fā)展規(guī)模
2.1.4　SiC創(chuàng)新進展
2.1.5　GaN創(chuàng)新進展
2.1.6　企業(yè)競爭格局
2.1.7　企業(yè)發(fā)展布局
2.1.8　企業(yè)合作動態(tài)
2.2　美國
2.2.1　經(jīng)費投入規(guī)模
2.2.2　產(chǎn)業(yè)技術優(yōu)勢
2.2.3　技術創(chuàng)新中心
2.2.4　項目研發(fā)情況
2.2.5　項目建設動態(tài)
2.2.6　戰(zhàn)略層面部署
2.3　日本
2.3.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展計劃
2.3.2　封裝技術聯(lián)盟
2.3.3　產(chǎn)業(yè)重視原因
2.3.4　技術良好狀況
2.3.5　企業(yè)發(fā)展布局
2.3.6　**合作動態(tài)
2.4　歐盟
2.4.1　項目研發(fā)情況
2.4.2　產(chǎn)業(yè)發(fā)展基礎
2.4.3　*企業(yè)格局
2.4.4　未來發(fā)展熱點
*三章　2021-2023年中國三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境PEST分析
3.1　政策環(huán)境（Political）
3.1.1　*部委政策
3.1.2　地方**扶持政策
3.1.3　行業(yè)標準現(xiàn)行情況
3.1.4　中美貿(mào)易摩擦影響
3.2　經(jīng)濟環(huán)境（Economic）
3.2.1　宏觀經(jīng)濟概況
3.2.2　工業(yè)經(jīng)濟運行
3.2.3　投資結構優(yōu)化
3.2.4　宏觀經(jīng)濟展望
3.3　社會環(huán)境（Social）
3.3.1　社會教育水平
3.3.2　知識**水平
3.3.3　研發(fā)經(jīng)費投入
3.3.4　技術人才儲備
3.4　技術環(huán)境（Technological）
3.4.1　專利申請狀況
3.4.2　科技計劃專項
3.4.3　制造技術成熟
3.4.4　產(chǎn)業(yè)技術聯(lián)盟
*四章　2021-2023年中國三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
4.1　中國三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展特點
4.1.1　數(shù)字基建打開成長空間
4.1.2　背光市場空間逐步擴大
4.1.3　襯底和外延是關鍵環(huán)節(jié)
4.1.4　各國**高度重視發(fā)展
4.1.5　產(chǎn)業(yè)鏈向國內(nèi)轉移明顯
4.2　2021-2023年中國三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展運行綜述
4.2.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
4.2.2　產(chǎn)能項目規(guī)模
4.2.3　產(chǎn)業(yè)標準規(guī)范
4.2.4　國產(chǎn)替代狀況
4.2.5　行業(yè)發(fā)展空間
4.3　2021-2023年中國三代半導體市場運行狀況分析
4.3.1　市場發(fā)展規(guī)模
4.3.2　細分市場規(guī)模
4.3.3　市場應用分布
4.3.4　企業(yè)競爭格局
4.3.5　產(chǎn)品發(fā)展動力
4.4　2021-2023年中國三代半導體上游原材料市場發(fā)展分析
4.4.1　上游金屬硅產(chǎn)能釋放
4.4.2　上游金屬硅價格走勢
4.4.3　上游氧化鋅市場現(xiàn)狀
4.4.4　上游材料產(chǎn)業(yè)鏈布局
4.4.5　上游材料競爭狀況分析
4.5　中國三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展問題分析
4.5.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展問題
4.5.2　市場推進難題
4.5.3　技術發(fā)展挑戰(zhàn)
4.5.4　材料發(fā)展挑戰(zhàn)
4.6　中國三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展建議及對策
4.6.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展建議
4.6.2　建設發(fā)展聯(lián)盟
4.6.3　加強企業(yè)培育
4.6.4　集聚產(chǎn)業(yè)人才
4.6.5　推動應用**
4.6.6　材料發(fā)展思路
*五章　2021-2023年*三代半導體氮化鎵（GAN）材料及器件發(fā)展分析
5.1　GaN材料基本性質及制備工藝發(fā)展狀況
5.1.1　GaN產(chǎn)業(yè)鏈條
5.1.2　GaN結構性能
5.1.3　GaN制備工藝
5.1.4　GaN材料類型
5.1.5　技術**情況
5.1.6　技術發(fā)展趨勢
5.2　GaN材料市場發(fā)展概況分析
5.2.1　市場供給情況
5.2.2　材料價格走勢
5.2.3　材料技術水平
5.2.4　應用市場結構
5.2.5　應用市場預測
5.2.6　市場競爭狀況
5.3　GaN器件及產(chǎn)品研發(fā)情況
5.3.1　器件產(chǎn)品類別
5.3.2　GaN晶體管
5.3.3　射頻器件產(chǎn)品
5.3.4　電力電子器件
5.3.5　光電子器件
5.4　GaN器件應用領域及發(fā)展情況
5.4.1　電子電力器件應用
5.4.2　高頻功率器件應用
5.4.3　應用實現(xiàn)條件與對策
5.5　GaN器件發(fā)展面臨的挑戰(zhàn)
5.5.1　器件技術難題
5.5.2　電源技術瓶頸
5.5.3　風險控制建議
*六章　2021-2023年*三代半導體碳化硅（SIC）材料及器件發(fā)展分析
6.1　SiC材料基本性質與制備技術發(fā)展狀況
6.1.1　SiC性能特點
6.1.2　SiC制備工藝
6.1.3　SiC產(chǎn)品類型
6.1.4　單晶技術**
6.1.5　技術發(fā)展路線
6.2　SiC材料市場發(fā)展概況分析
6.2.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展階段
6.2.2　產(chǎn)業(yè)鏈條分析
6.2.3　材料價格走勢
6.2.4　材料市場規(guī)模
6.2.5　材料技術水平
6.2.6　市場應用情況
6.2.7　企業(yè)競爭格局
6.3　SiC器件及產(chǎn)品研發(fā)情況
6.3.1　電力電子器件
6.3.2　功率模塊產(chǎn)品
6.3.3　器件產(chǎn)品布局
6.3.4　產(chǎn)品發(fā)展趨勢
6.4　SiC器件應用領域及發(fā)展情況
6.4.1　應用整體技術路線
6.4.2　電網(wǎng)應用技術路線
6.4.3　電力牽引應用技術路線
6.4.4　電動汽車應用技術路線
6.4.5　家用電器和消費類電子應用
*七章　2021-2023年*三代半導體其他材料發(fā)展狀況分析
7.1　Ⅲ族氮化物半導體材料發(fā)展分析
7.1.1　基礎概念介紹
7.1.2　材料結構性能
7.1.3　材料制備工藝
7.1.4　主要器件產(chǎn)品
7.1.5　應用發(fā)展狀況
7.1.6　發(fā)展建議對策
7.2　寬禁帶氧化物半導體材料發(fā)展分析
7.2.1　基本概念介紹
7.2.2　材料結構性能
7.2.3　材料制備工藝
7.2.4　主要應用器件
7.3　氧化鎵（Ga2O3）半導體材料發(fā)展分析
7.3.1　材料結構性能
7.3.2　材料應用優(yōu)勢
7.3.3　材料國外進展
7.3.4　國內(nèi)研究成果
7.3.5　器件應用發(fā)展
7.3.6　未來發(fā)展前景
7.4　金剛石半導體材料發(fā)展分析
7.4.1　材料結構性能
7.4.2　材料研究背景
7.4.3　材料發(fā)展特點
7.4.4　主要器件產(chǎn)品
7.4.5　應用發(fā)展狀況
7.4.6　國產(chǎn)替代機遇
7.4.7　材料發(fā)展難點
*八章　2021-2023年*三代半導體下游應用領域發(fā)展分析
8.1　*三代半導體下游產(chǎn)業(yè)應用領域發(fā)展概況
8.1.1　下游應用產(chǎn)業(yè)分布
8.1.2　下游產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢特點
8.1.3　下游產(chǎn)業(yè)需求旺盛
8.2　2021-2023年電子電力領域發(fā)展狀況
8.2.1　**市場發(fā)展規(guī)模
8.2.2　國內(nèi)市場發(fā)展規(guī)模
8.2.3　國內(nèi)器件應用分布
8.2.4　國內(nèi)應用市場規(guī)模
8.2.5　器件廠商布局分析
8.2.6　器件產(chǎn)品價格走勢
8.3　2021-2023年微波射頻領域發(fā)展狀況
8.3.1　射頻器件市場規(guī)模
8.3.2　射頻器件市場結構
8.3.3　射頻器件市場需求
8.3.4　基站應用規(guī)模
8.3.5　射頻器件發(fā)展趨勢
8.4　2021-2023年半導體照明領域發(fā)展狀況
8.4.1　發(fā)展政策支持
8.4.2　行業(yè)發(fā)展規(guī)模
8.4.3　產(chǎn)業(yè)鏈分析
8.4.4　應用市場分布
8.4.5　技術發(fā)展方向
8.4.6　行業(yè)發(fā)展展望
8.5　2021-2023年半導體激光器發(fā)展狀況
8.5.1　市場規(guī)?，F(xiàn)狀
8.5.2　企業(yè)發(fā)展格局
8.5.3　應用研發(fā)現(xiàn)狀
8.5.4　主要技術分析
8.5.5　國產(chǎn)化趨勢
8.6　2021-2023年5G新基建領域發(fā)展狀況
8.6.1　5G建設進程
8.6.2　應用市場規(guī)模
8.6.3　基站需求規(guī)模
8.6.4　應用發(fā)展方向
8.6.5　產(chǎn)業(yè)發(fā)展展望
8.7　2021-2023年新能源汽車領域發(fā)展狀況
8.7.1　行業(yè)市場規(guī)模
8.7.2　主要應用場景
8.7.3　企業(yè)布局情況
8.7.4　市場應用空間
8.7.5　市場需求預測
*九章　2021-2023年*三代半導體材料產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展分析
9.1　2021-2023年*三代半導體產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展概況
9.1.1　產(chǎn)業(yè)區(qū)域分布
9.1.2　區(qū)域建設回顧
9.2　京津翼地區(qū)*三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.2.1　北京產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況
9.2.2　順義產(chǎn)業(yè)扶持政策
9.2.3　保定產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況
9.2.4　應用聯(lián)合創(chuàng)新基地
9.2.5　區(qū)域未來發(fā)展趨勢
9.3　中西部地區(qū)*三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.3.1　成都產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況
9.3.2　重慶產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況
9.3.3　西安產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況
9.4　珠三角地區(qū)*三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.4.1　廣東產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策
9.4.2　廣州市產(chǎn)業(yè)支持
9.4.3　深圳產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況
9.4.4　東莞產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況
9.4.5　區(qū)域未來發(fā)展趨勢
9.5　華東地區(qū)*三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.5.1　江蘇產(chǎn)業(yè)發(fā)展概況
9.5.2　蘇州工業(yè)園區(qū)發(fā)展
9.5.3　山東產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃
9.5.4　廈門產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況
9.5.5　區(qū)域未來發(fā)展趨勢
9.6　*三代半導體產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展建議
9.6.1　提高資源整合效率
9.6.2　補足SiC領域短板
9.6.3　開展關鍵技術研發(fā)
9.6.4　鼓勵地方加大投入
*十章　2020-2023年*三代半導體產(chǎn)業(yè)重點企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.1　三安光電股份有限公司
10.1.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.1.2　業(yè)務布局動態(tài)
10.1.3　經(jīng)營效益分析
10.1.4　業(yè)務經(jīng)營分析
10.1.5　財務狀況分析
10.1.6　**競爭力分析
10.1.7　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.1.8　未來前景展望
10.2　北京賽微電子股份有限公司
10.2.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.2.2　相關業(yè)務布局
10.2.3　經(jīng)營效益分析
10.2.4　業(yè)務經(jīng)營分析
10.2.5　財務狀況分析
10.2.6　**競爭力分析
10.2.7　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.2.8　未來前景展望
10.3　廈門乾照光電股份有限公司
10.3.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.3.2　經(jīng)營效益分析
10.3.3　業(yè)務經(jīng)營分析
10.3.4　財務狀況分析
10.3.5　**競爭力分析
10.3.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.3.7　未來前景展望
10.4　湖北臺基半導體股份有限公司
10.4.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.4.2　經(jīng)營效益分析
10.4.3　業(yè)務經(jīng)營分析
10.4.4　財務狀況分析
10.4.5　**競爭力分析
10.4.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.4.7　未來前景展望
10.5　華燦光電股份有限公司
10.5.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.5.2　經(jīng)營效益分析
10.5.3　業(yè)務經(jīng)營分析
10.5.4　財務狀況分析
10.5.5　**競爭力分析
10.5.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.5.7　未來前景展望
10.6　聞泰科技股份有限公司
10.6.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.6.2　經(jīng)營效益分析
10.6.3　業(yè)務經(jīng)營分析
10.6.4　財務狀況分析
10.6.5　**競爭力分析
10.6.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.6.7　未來前景展望
10.7　株洲中車時代電氣股份有限公司
10.7.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.7.2　經(jīng)營效益分析
10.7.3　業(yè)務經(jīng)營分析
10.7.4　財務狀況分析
10.7.5　**競爭力分析
10.7.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.7.7　未來前景展望
*十一章　*三代半導體產(chǎn)業(yè)投資**綜合評估
11.1　行業(yè)投資背景
11.1.1　行業(yè)投資規(guī)模
11.1.2　投資市場周期
11.1.3　行業(yè)投資前景
11.2　行業(yè)投情況
11.2.1　**投資案例
11.2.2　國內(nèi)投資項目
11.2.3　**企業(yè)并購
11.2.4　國內(nèi)企業(yè)并購
11.2.5　企業(yè)動態(tài)
11.3　行業(yè)投資壁壘
11.3.1　技術壁壘
11.3.2　資金壁壘
11.3.3　貿(mào)易壁壘
11.4　行業(yè)投資風險
11.4.1　企業(yè)經(jīng)營風險
11.4.2　技術迭代風險
11.4.3　行業(yè)競爭風險
11.4.4　產(chǎn)業(yè)政策變化風險
11.5　行業(yè)投資建議
11.5.1　積極把握5G通訊市場機遇
11.5.2　收購企業(yè)實現(xiàn)關鍵技術突破
11.5.3　關注新能源汽車催生需求
11.5.4　國內(nèi)企業(yè)向IDM模式轉型
11.5.5　加強高校與科研院所合作
11.6　投資項目案例
11.6.1　項目基本概述
11.6.2　項目建設必要性
11.6.3　項目建設可行性
11.6.4　項目資金概算
11.6.5　項目經(jīng)濟效益
*十二章　2023-2029年*三代半導體產(chǎn)業(yè)前景與趨勢預測
12.1　*三代半導體未來發(fā)展趨勢
12.1.1　產(chǎn)業(yè)成本趨勢
12.1.2　未來發(fā)展趨勢
12.1.3　應用領域趨勢
12.2　*三代半導體未來發(fā)展前景
12.2.1　重要發(fā)展窗口期
12.2.2　產(chǎn)業(yè)應用前景
12.2.3　產(chǎn)業(yè)發(fā)展機遇
12.2.4　產(chǎn)業(yè)市場機遇
12.2.5　產(chǎn)業(yè)發(fā)展展望
12.3　2023-2029年中國三代半導體行業(yè)預測分析
12.3.1　2023-2029年中國三代半導體行業(yè)影響因素分析
12.3.2　2023-2029年中國三代半導體產(chǎn)業(yè)電子電力和射頻電子總產(chǎn)值預測
 附錄
 附錄一：新時期促進集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質量發(fā)展的若干政策
 附錄二：關于促進中關村順義園*三代半導體等*半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的若干措施

圖表目錄
 
圖表1　*三代半導體特點
 圖表2　*三代半導體主要材料
 圖表3　不同半導體材料性能比較（一）
 圖表4　不同半導體材料性能比較（二）
 圖表5　碳化硅、氮化鎵的性能優(yōu)勢
 圖表6　半導體材料發(fā)展歷程及現(xiàn)狀
 圖表7　半導體材料頻率和功率特性對比
 圖表8　*三代半導體產(chǎn)業(yè)演進示意圖
 圖表9　*三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈
 圖表10　*三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈
 圖表11　*三代半導體襯底制備流程
 圖表12　*三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈全景圖譜
 圖表13　*三代半導體健康的產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系
 圖表14　**電工**（IEC）*三代半導體標準
 圖表15　固態(tài)技術標準協(xié)會（JEDEC）*三代半導體標準
 圖表16　**部分汽車電子標準
 圖表17　2018-2020年RF GaN HEMT和Si LDMOS平均價格
 圖表18　1990-2020年國外SiC技術進展
 圖表19　**上已經(jīng)商業(yè)化的SiC SBD的器件性能
 圖表20　2020年**企業(yè)新推出的SiC MOSFET產(chǎn)品
 圖表21　**已經(jīng)商業(yè)化的SiC晶體管器件性能
 圖表22　2020年**企業(yè)新推出的SiC功率模塊產(chǎn)品
 圖表23　**上已經(jīng)商業(yè)化的GaN電力電子器件性能
 圖表24　**上商業(yè)化的GaN射頻產(chǎn)品性能
 圖表25　2020年**企業(yè)推出的GaN射頻產(chǎn)品
 圖表26　**主要三代半上市企業(yè)較新業(yè)績
 圖表27　2022年*三代半導體**相關企業(yè)動向
 圖表28　2022年**部分企業(yè)*三代半導體相關擴產(chǎn)項目
 圖表29　2020年主要*三代半導體企業(yè)合作動態(tài)
 圖表30　美國下一代功率電子技術國家制造業(yè)創(chuàng)新中心組成成員（一）
 圖表31　美國下一代功率電子技術國家制造業(yè)創(chuàng)新中心組成成員（二）
 圖表32　2020年美國設立的部分*三代半導體相關研發(fā)項目
 圖表33　日本下一代功率半導體封裝技術開發(fā)聯(lián)盟成員（一）
 圖表34　日本下一代功率半導體封裝技術開發(fā)聯(lián)盟成員（二）
 圖表35　2020年歐盟和英國設立的部分*三代半導體相關研發(fā)項目
 圖表36　歐洲LAST POWER產(chǎn)學研項目成員
 圖表37　《新時期促進集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質量發(fā)展的若干政策》中*三代半導體相關內(nèi)容
 圖表38　2019-2021年國家層面*三代半導體支持政策匯總
 圖表39　2022年*三代半導體相關政策的分布情況
 圖表40　2022年*三代半導體領域地方**部分政策法規(guī)列表
 圖表41　中國三代半導體現(xiàn)行國家標準和行業(yè)標準
 圖表42　CASA聯(lián)盟*三代半導體團體標準
 圖表43　2017-2021年中國生產(chǎn)總值及其增長速度
 圖表44　2017-2021年中國三次產(chǎn)業(yè)增加值占國內(nèi)生產(chǎn)總值比重
 圖表45　2022年二季度和上半年GDP初步核算數(shù)據(jù)
 圖表46　2017-2021年全部工業(yè)增加值及其增長速度
 圖表47　2021年主要工業(yè)產(chǎn)品產(chǎn)量及其增長速度
 圖表48　2021-2022年中國規(guī)模以上工業(yè)增加值同比增長速度
 圖表49　2022年規(guī)模以上工業(yè)生產(chǎn)主要數(shù)據(jù)
 圖表50　2017-2021年本?？?、中等職業(yè)及普通高中人數(shù)
 圖表51　2016-2020年研究與試驗發(fā)展（R&D）經(jīng)費支出及其增長速度
 圖表52　2020年專利申請、授權和有效**情況
 圖表53　2021年財政科學技術支出情況
 圖表54　2021年分行業(yè)規(guī)模以上工業(yè)企業(yè)研究與試驗發(fā)展（R&D）經(jīng)費情況
 圖表55　國內(nèi)高校、研究所與企業(yè)的技術合作與轉化
 圖表56　截至2021年底中國三代半導體領域專利申請TOP10
 

 


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