【回收三菱IGBT】IGBT是什么

時間：2021-04-19作者：深圳市寶安區(qū)誠芯源電子商行瀏覽：1088

IGBT全稱是絕緣柵雙較型晶體管，是由MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）和BIT（雙較型三極管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動型電力電子器件，本質(zhì)上是一個場效應(yīng)晶體管，只是在漏較和漏區(qū)之間多了一個P型層。想了解更多工業(yè)電路板、電梯電路板、變頻器相關(guān)知識請關(guān)注“從零開始變頻器維修”。

功率模塊的好壞判斷主要是對功率模塊內(nèi)的續(xù)流二極管的判斷。對于IGBT模塊還需判斷在有觸發(fā)電壓的情況下能否正常導(dǎo)通和關(guān)斷。

將數(shù)字萬用表撥到二極管測試檔，測試IGBT模塊cl原el、c2原e2 之間以及柵較G 與el、e2 之間正反向二極管特性來判斷IGBT模塊是否完好。




IGBT 的驅(qū)動電路有什么特點？

驅(qū)動電路的作用是將微處理器輸出的脈沖進行功率放大，以驅(qū)動IGBT，保證IGBT的可靠工作。驅(qū)動電路有著至關(guān)重要的作用，IGBT 驅(qū)動電路有以下基本特點：

（1）提供適當(dāng)?shù)恼蚝头聪蜉敵鲭妷?，使IGBT可靠的開通和關(guān)斷。

（2）提供足夠大的瞬時電流或瞬態(tài)功率，使IGBT能迅速建立柵控電場而導(dǎo)通。

（3）具有盡可能小的輸入輸出延遲時間，以提高工作效率。

（4）具有足夠高的輸入輸出電氣隔離性能，使信號電路與柵較驅(qū)動電路絕緣。

（5）具有靈敏的過流保護能力。




變頻器上的IGBT

IGBT為逆變管的變頻器的特點？

以IGBT為逆變管的變頻器的逆變電路與GTR 等其他逆變電路基本相同，但IGBT 逆變電路具有以下特點：

（1）功耗減小。由于IGBT的驅(qū)動電路取用電流較小，幾乎不消耗功率。而GTR基較回路取用電流常常是安培級的，消耗功率不可小視。

（2）載波頻率高。大多數(shù)變頻器的載波頻率可在（3耀15 kHz）的范圍內(nèi)任意可調(diào)。載波頻率越高，電流的諧波成分越小。想了解更多工業(yè)電路板、電梯電路板、變頻器相關(guān)知識請關(guān)注“從零開始變頻器維修”。








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• 回收三菱IGBT發(fā)展趨勢

  發(fā)展趨勢1、低功率IGBTIGBT應(yīng)用范圍一般都在600V、1KA、1KHz以上區(qū)域，為滿足家電行業(yè)的發(fā)展需求，摩托羅拉、ST半導(dǎo)體、三菱等公司推出低功率IGBT產(chǎn)品，實用于家電行業(yè)的微波爐、洗衣機、電磁灶、電子整流器、照相機等產(chǎn)品的應(yīng)用。2、U-IGBTU（溝槽結(jié)構(gòu)）--IGBT是在管芯上刻槽，芯片元胞內(nèi)部形成溝槽式柵較。采用溝道結(jié)構(gòu)后，可進一步縮小元胞尺寸，減少溝道電阻，進步電流密度，制造相同

• 為什么要回收三菱IGBT

  IGBT是將強電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。當(dāng)集電極被施加一