你知道進(jìn)口的IGBT模塊和國(guó)產(chǎn)的模塊的區(qū)別是什么嗎?那么跟一起來(lái)看看!
1.進(jìn)口IGBT模塊和國(guó)產(chǎn)模塊價(jià)格相差很大。
IGBT模塊是很多電子工業(yè)器件的**元件,IGBT模塊通過控制器件內(nèi)部的電流來(lái)調(diào)節(jié)設(shè)備的功能,模塊對(duì)設(shè)備的作用相當(dāng)于人體的心臟。例如電磁爐的高頻率產(chǎn)生就源自IGBT模塊(一秒鐘要震動(dòng)幾十萬(wàn)次,較累的就是IGBT模塊了)。IGBT模塊也是商用電磁爐較貴的元器件之一。品牌產(chǎn)地不同模塊的價(jià)格也不一樣,一個(gè)國(guó)產(chǎn)模塊和進(jìn)口模塊相差的成本是好幾倍,還有數(shù)字芯片比模擬芯片要貴要幾倍,雙橋方案要比單橋方案成本貴一倍,1.5mm厚度的面板比1.2厚度的面板貴很多。
進(jìn)口IGBT模塊與國(guó)產(chǎn)IGBT模塊價(jià)格對(duì)比。
同樣的規(guī)格,價(jià)格相差3倍左右,而且比亞迪的模塊還不是國(guó)產(chǎn)模塊中較便宜的。
2.進(jìn)口IGBT模塊性能要優(yōu)越很多。
進(jìn)口模塊價(jià)格比國(guó)產(chǎn)IGBT貴三到四倍,究其原因,出去關(guān)稅運(yùn)輸費(fèi)等外,進(jìn)口模塊的質(zhì)量和性能是*的,目前國(guó)內(nèi)的IGBT應(yīng)用市場(chǎng)上,德國(guó)英飛凌、西門康及日本三菱、富士電機(jī)等品牌IGBT模塊占據(jù)的市場(chǎng)份額95%以上,其中又以英飛凌(Infineon)較多(2014年在60%到80%之間)。IGBT的產(chǎn)業(yè)化在我國(guó)還屬空白。無(wú)論技術(shù)、設(shè)備還是人才,我國(guó)都處于*的落后狀態(tài)。
3.國(guó)產(chǎn)IGBT正在起步,假于時(shí)日方能趕上歐美。
中國(guó)南車作為我國(guó)較早開展電力電子器件研制與應(yīng)用的企業(yè)之一,1964年,公司利用硅整流器代替?zhèn)鹘y(tǒng)的水銀整流管,應(yīng)用到“韶山”電力機(jī)車上,開啟了中國(guó)軌道交通裝備的電力電子時(shí)代。上個(gè)世紀(jì)90年代,中國(guó)南車開始該項(xiàng)技術(shù)的理論研究。2009年底,公司在株洲建成國(guó)內(nèi)*高壓IGBT模塊封裝線,**實(shí)現(xiàn)高壓大功率IGBT模塊的國(guó)產(chǎn)化。2012年5月,公司在株洲投資15億元,建設(shè)國(guó)內(nèi)**條8英寸IGBT專業(yè)芯片線。通過資本運(yùn)作和自主創(chuàng)新相結(jié)合的方式,目前8英寸IGBT專業(yè)芯片線全面建成投產(chǎn),首期將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)12萬(wàn)片8英寸IGBT芯片,配套生產(chǎn)100萬(wàn)只IGBT模塊,年產(chǎn)值有望實(shí)現(xiàn)20億元,未來(lái)將有望實(shí)現(xiàn)對(duì)進(jìn)口IGBT的全面替代,強(qiáng)有力地支撐綠色經(jīng)濟(jì)的可持續(xù)健康發(fā)展。
詞條
詞條說(shuō)明
本公司是一家專業(yè)回收英飛凌IGBT,回收富士IGBT,回收三菱IGBT的科技公司。一、元件:工廠在加工時(shí)沒改變?cè)牧戏肿映煞值漠a(chǎn)品可稱為元件,元件屬于不需要能源的器件。它包括:電阻、電容、電感。(又稱為被動(dòng) 元件Passive Components)元件分為:1、電路類元件:二極管,電阻器等等2、連接類元件:連接器,插座,連接電纜,印刷電路板(PCB)二、器件:工廠在生產(chǎn)加工時(shí)改變了原材料分子結(jié)構(gòu)
IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性。IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時(shí),漏較電流與柵較電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏較電流比受柵源電壓Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似.也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止?fàn)顟B(tài)下的IGBT ,正向電壓由J2 結(jié)承擔(dān),反向電壓由J1結(jié)承擔(dān)。如果無(wú)N+緩沖區(qū),則正反向阻斷電壓可以做到同樣水
方法IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道,而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然較新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性,但是在高電平時(shí),功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低
IGBT 的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)進(jìn)行了分析,結(jié)合實(shí)際應(yīng)用,得出了如下幾點(diǎn)結(jié)論:1. 柵較串聯(lián)電阻和驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)阻抗對(duì) IGBT 的開通過程及驅(qū)動(dòng)脈沖的波形都有很大影響。設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)綜合考慮。2. 在大電感負(fù)載下,IGBT 的開關(guān)時(shí)間不能太短,以限制出 di/dt 形成的尖峰電壓,確保 IGBT 的安全。3. 由于 IGBT 在電力電子設(shè)備中多用于高壓場(chǎng)合,故驅(qū)動(dòng)電路與控制電路在電位上應(yīng)嚴(yán)格隔離,驅(qū)動(dòng)電路與 IGB
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