LED手電筒外殼及LED發(fā)光原理

      LED手電筒外殼LED發(fā)光原理
       發(fā)光二極管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化鎵)、GaP(磷化鎵)、GaAsP(磷砷化鎵)等半導(dǎo)體制成的,其**是PN結(jié)。因此它具有一般P-N結(jié)的I-N特性,即正向?qū)?,反向截止、擊穿特性。此外,在一定條件下,它還具有發(fā)光特性。在正向電壓下,電子由N區(qū)注入P區(qū),空穴由P區(qū)注入N區(qū)。進(jìn)入對(duì)方區(qū)域的少數(shù)載流子(少子)一部分與多數(shù)載流子(多子)復(fù)合而發(fā)光。
      假設(shè)發(fā)光是在P區(qū)中發(fā)生的,那么注入的電子與價(jià)帶空穴直接復(fù)合而發(fā)光,或者先被發(fā)光中心捕獲后,再與空穴復(fù)合發(fā)光。除了這種發(fā)光復(fù)合外,還有些電子被非發(fā)光中心(這個(gè)中心介于導(dǎo)帶、介帶中間附近)捕獲,而后再與空穴復(fù)合,每次釋放的能量不大,不能形成可見(jiàn)光。發(fā)光的復(fù)合量相對(duì)于非發(fā)光復(fù)合量的比例越大,光**效率越高。由于復(fù)合是在少子擴(kuò)散區(qū)內(nèi)發(fā)光的,所以光僅在靠近PN結(jié)面數(shù)μm以內(nèi)產(chǎn)生。
      理論和實(shí)踐證明,光的峰值波長(zhǎng)λ與發(fā)光區(qū)域的半導(dǎo)體材料禁帶寬度Eg有關(guān),即
      λ≈1240/Eg(mm)
      式中Eg的單位為電子伏特(eV)。若能產(chǎn)生可見(jiàn)光(波長(zhǎng)在380nm紫光~780nm紅光),半導(dǎo)體材料的Eg應(yīng)在3.26~1.63eV之間。比紅光波長(zhǎng)長(zhǎng)的光為紅外光。現(xiàn)在已有紅外、紅、黃、綠及藍(lán)光發(fā)光二極管,但其中藍(lán)光二極管成本、價(jià)格很高,使用不普遍。
    LED的特性
    極限參數(shù)的意義:
       1.允許功耗Pm:允許加于LED兩端正向直流電壓與流過(guò)它的電流之積的較大值。**過(guò)此值,LED發(fā)熱、損壞。
       2.較大正向直流電流IFm:允許加的較大的正向直流電流。**過(guò)此值可損壞二極管。
       3.較大反向電壓VRm:所允許加的較大反向電壓。**過(guò)此值,發(fā)光二極管可能被擊穿損壞。
       4.工作環(huán)境topm:發(fā)光二極管可正常工作的環(huán)境溫度范圍。**或**此溫度范圍,發(fā)光二極管將不能正常工作,效率大大降低。
      現(xiàn)在發(fā)光二極管作為光源的強(qiáng)光手電筒已經(jīng)不斷的走進(jìn)生活。隨著前幾年的LED二極管手電的出現(xiàn)到現(xiàn)在的單燈大功率 1W、3W的出現(xiàn),不斷的豐富大家的手電選擇。尤其是航空鋁合金的金屬手電的出現(xiàn)讓很多買家心動(dòng)。


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  • 詞條

    詞條說(shuō)明

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