給大家介紹鈮酸鋰晶體電光效應及應用

    據悉,鈮酸鋰調制器運用鈮酸鋰晶體的電光效應并根據光電子集成生產工藝而成,可以將電子數(shù)據轉換為光子信息,是實現(xiàn)電光轉換的主要元件。具體它有什么出眾之處,先要從其原材料鈮酸鋰晶體的電光效應及運用開始了解。

    鈮酸鋰晶體有兩個特點非常引人關注,一是鈮酸鋰晶體光電效應多,具備包括壓電效應、電光效應、非線性光學效應、光折變效應、光生伏打效應、光彈效應、聲光效應等多種光電性能;二是鈮酸鋰晶體的性能可調控性強,這是由鈮酸鋰晶體的晶格結構和充實的缺陷結構所引起,鈮酸鋰晶體的諸多性能可以從晶體組分、元素摻雜、價態(tài)控制等進行大幅度調控。

    另外鈮酸鋰晶體的物理化學性能非常穩(wěn)定,易于加工,光透過范圍寬,具有很大的雙折射,并且容易備制有**的光波導,所以基于鈮酸鋰晶體的光調制器在長距離通信中具有無可比擬的優(yōu)勢——不僅有著很小的啁啾(chirp)效應、高調制帶寬、良好消光比,并且穩(wěn)定性非常優(yōu)越,是高速器件中*,所以被普遍使用于高效高帶寬的長距離通信中。

    鈮酸鋰晶體的制備

    1、同成分鈮酸鋰晶體

    針對同成分鈮酸鋰晶體來講,其制備主要選用提拉法。盡管泡生法、導模法、溫梯法等方法也曾用來進行鈮酸鋰晶體的制備,可是與提拉法相比并沒明顯的優(yōu)勢或具備明確的應用需求,因此并未得到廣泛的關注。

    2、近化學計量比鈮酸鋰晶體

    近化學計量比鈮酸鋰晶體盡管具備諸多優(yōu)秀的光電性能,可是其配比偏離固液同成分共熔點,不能選用常規(guī)的提拉法生長高質量的晶體,目前主要是采用的制備方法有富鋰熔體法、助熔劑法、擴散法。

    3、鈮酸鋰單晶薄膜

    鈮酸鋰單晶薄膜可以運用在光波導、聲學器件等微納結構及其制備硅基等混合集成器件等領域,人們很早就開始探索鈮酸鋰單晶薄膜的制備,只不過真正得到應用的方法只有“離子切片”(IonSlicing)技術,目前已經實現(xiàn)了商品化,可以提供厚度為300~900nm的單晶薄膜產品。

    鈮酸鋰晶體集多種光電性能于一體且可以達到實用化性能要求,在光電材料中特別**。伴隨著鈮酸鋰晶體集成光子學芯片理論、制備及運用等**技術的發(fā)展與完善,鈮酸鋰晶體變成光子時代的“光學硅”材料,為集成光子學的發(fā)展提供戰(zhàn)略性基礎支撐。

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    詞條說明

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