di/dt在可控硅工作時(shí)注意事項(xiàng)

時(shí)間：2020-06-24作者：西安瑞新電力電子有限責(zé)任公司瀏覽：171

di/dt--指可控硅通態(tài)電流臨界上升率。

   隨著晶閘管在各類大功率感應(yīng)加熱電源、變頻器、交流開關(guān)、電機(jī)控制、脈沖功率等領(lǐng)域的應(yīng)用逐步擴(kuò)大，越來越多的用戶對(duì)晶閘管器件提出了較高的電流上升率要求。
   西安瑞新電力電子有限責(zé)任公司專業(yè)生產(chǎn)可控硅20年，通過優(yōu)化設(shè)計(jì)和嚴(yán)格的工藝控制，大大提升了器件的開通臨界電流上升率di/dt。經(jīng)測(cè)試，所生產(chǎn)的高頻、快速、普通系列可控硅di/dt性能均已達(dá)到國(guó)外同類產(chǎn)品水平。 

　　1．晶閘管的di/dt承受能力與其芯片結(jié)溫有直接關(guān)系，di/dt承受能力隨著溫度的上升會(huì)有明顯的下降。因此用戶在使用時(shí)必須保證器件的散熱條件。要求在工作過程中，普通晶閘管：Tj≤125°C，高頻、快速晶閘管：Tj≤115°C。

　　2．晶閘管的di/dt承受能力實(shí)際反映了器件的電流快速開通能力，它受器件門較觸發(fā)條件影響很大。采用上升率較陡的強(qiáng)觸發(fā)脈沖，可以明顯減小器件開通時(shí)間和開通損耗，增強(qiáng)器件di/dt承受能力。我們建議的觸發(fā)脈沖要求為：

　　觸發(fā)電流幅值：IGM=4-10IGT

　　觸發(fā)電流上升時(shí)間：tr小于1μs

　　3．晶閘管在承受過高的di/dt時(shí)，會(huì)在其芯片產(chǎn)生局部瞬時(shí)高溫，這種局部瞬時(shí)高溫在長(zhǎng)期工作中會(huì)影響器件的工作壽命。因此，使用者在任何時(shí)候，都應(yīng)保證di/dt不應(yīng)**過器件生產(chǎn)廠家給出的規(guī)定值，并且留有一定裕量。

　　4．晶閘管的di/dt與其開通損耗關(guān)系較大，晶閘管高di/dt應(yīng)用于高頻率場(chǎng)合時(shí)，需考慮開通損耗上升引起的結(jié)溫上升，用戶應(yīng)考慮降低器件通過的通態(tài)電流或增強(qiáng)器件散熱能力。


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