UVC LED相關(guān)技術(shù)原理

時間：2022-01-27作者：深圳市科電電子有限公司瀏覽：482

1. 芯片：UVC芯片以倒裝句芯片為現(xiàn)階段流行，但還不一定是較佳構(gòu)造。豎直芯片也是有其與眾不同優(yōu)點，如電流量拓展較強，吸光度少，排熱好等。但因材料主要是AlN，要將其與藍(lán)色寶石襯底脫離，必須光波長短、動能大的準(zhǔn)分子激光器才可以保證，但這又會對外延性材料導(dǎo)致比較嚴(yán)重?fù)p害。

2. 封裝形式：關(guān)鍵考慮到UVC LED的排熱和出光。在材料層面，通過十幾年的發(fā)展趨勢，現(xiàn)階段目前市面上UVC LED基本上以倒裝句芯片配搭高傳熱氮化鋁基材的計劃方案為主導(dǎo)。固晶方法有導(dǎo)電銀漿、助焊膏、金錫碳化物焊，在其中碳化物方法關(guān)鍵根據(jù)助焊膏開展電焊焊接，相對性能合理提高芯片與基材的融合抗壓強度，導(dǎo)熱率，較加靠譜，有益于UVC LED的產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)管。

3. 使用壽命：UVC LED長期工作光損造成衰老，特別是在對功率大的UVC LED而言，光損問題較為比較嚴(yán)重。在考量UVC LED的使用壽命時，只是以燈的毀壞做為UVC LED使用壽命的終點站是**不夠的，應(yīng)當(dāng)以UVC LED的光損耗百分?jǐn)?shù)來要求LED的使用壽命?，F(xiàn)階段從產(chǎn)業(yè)鏈流行水準(zhǔn)看，在UVC LED運用中，消費性商品L70(1000H)、家用電器產(chǎn)品達(dá)L50（10000H）較好。

4. 閃光效率：一般指UVC LED的外界**效率（EQE），是器件內(nèi)部**效率與取出效率的相乘。內(nèi)部**效率（IQE）關(guān)鍵與器件自身的特點（如器件材料的可帶、缺點、殘渣）、外延片材料及構(gòu)造等有關(guān)。而器件的取出效率指的是器件內(nèi)部造成的光**在通過器件自身的消化吸收、映射、反射面后，具體在器件外界可精確測量到的數(shù)據(jù)信息。因而，危害取出效率的要素包含了器件材料自身的消化吸收、透射、構(gòu)造及封裝形式材料的折光率差等。

·內(nèi)部**效率（IQE）：關(guān)鍵與器件自身的特點，如器件材料的可帶、缺點、殘渣、外延片材料及構(gòu)造等有關(guān)；

·取出效率：器件內(nèi)部造成的光**在通過器件自身的消化吸收、映射、反射面后，具體在器件外界可精確測量到的數(shù)量；

·外界**效率（EQE）：器件內(nèi)部**效率與取出效率的相乘；

·光電變換效率（WPE）：最后制成品插電后，有多少電磁能轉(zhuǎn)化成了聚光。關(guān)鍵考慮輸入功率、EQE和芯片狀況，是現(xiàn)階段較常見來評定閃光效率的主要指標(biāo)值；


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