晶圓探針測(cè)試工藝介紹-電

時(shí)間：2021-11-12作者：泰克半導(dǎo)體裝備（深圳）有限公司瀏覽：2739

晶圓探針測(cè)試也被稱為中間測(cè)試（中測(cè)），是集成電路生產(chǎn)中的重要一環(huán)。晶圓探針測(cè)試的目的就是確保在芯片封裝前，盡可能地把壞的芯片篩選出來(lái)以節(jié)約封裝費(fèi)用。這步測(cè)試是晶圓生產(chǎn)過(guò)程的成績(jī)單，它不僅是節(jié)約芯片封裝成本的一種方法，現(xiàn)今已成為工藝控制、成品率管理、產(chǎn)品質(zhì)量以及降低總測(cè)試成本的一個(gè)關(guān)鍵因素。晶圓探針測(cè)試過(guò)程中，不合格的晶粒會(huì)被標(biāo)上記號(hào)，而后當(dāng)晶片依晶粒為單位切割成獨(dú)立的晶粒時(shí)，標(biāo)有記號(hào)的不合格晶粒會(huì)被淘汰，不再進(jìn)行下一個(gè)制程，以免徒增不必要的成本。
晶圓探針測(cè)試主要設(shè)備有探針測(cè)試臺(tái)，探針測(cè)試機(jī)，探針測(cè)試卡三部分，全部由測(cè)試系統(tǒng)應(yīng)用測(cè)試程序來(lái)執(zhí)行測(cè)試。
探針測(cè)試臺(tái)可分為手動(dòng)、半自動(dòng) / 全自動(dòng)探針臺(tái)，主要負(fù)責(zé)探針測(cè)試卡的探針和晶圓上的每個(gè)晶粒上的Test Pattern之間一一對(duì)應(yīng)精密接觸，其接觸的好壞將直接影響測(cè)試結(jié)果。其中的位置控制模塊根據(jù)工作指令，控制承片臺(tái)的運(yùn)動(dòng)，將晶片進(jìn)行定位并精確的送到測(cè)試位置，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)測(cè)試。
探針測(cè)試機(jī)主要實(shí)現(xiàn)電性測(cè)試的任務(wù)，測(cè)試程序的下載，施加電壓電流，采集測(cè)試數(shù)據(jù)功能。在測(cè)試時(shí)，測(cè)試系統(tǒng)按照所測(cè)芯片的類別，提取相應(yīng)的測(cè)試程序。測(cè)試程序?qū)⒖刂铺结槣y(cè)試機(jī)完成初始設(shè)置，并通過(guò)測(cè)試系統(tǒng)發(fā)出測(cè)試信號(hào)，開(kāi)始測(cè)試芯片，收存測(cè)試結(jié)果，并加以分類，給出測(cè)試結(jié)果報(bào)告。
探針測(cè)試卡是測(cè)試系統(tǒng)和晶圓間的連接，由電路板和探針組成。其中電路板部分與探針測(cè)試機(jī)連接，探針是用來(lái)與晶片上的焊墊（Pad）接觸，以便直接收集晶片的輸入信號(hào)或檢查輸出值。根據(jù)所測(cè)芯片的類別，測(cè)試卡的結(jié)構(gòu)多種多樣，測(cè)試卡上的探針數(shù)量和布局也各不相同。
隨著芯片制造技術(shù)的飛速提升，晶圓探針測(cè)試已經(jīng)體現(xiàn)出越來(lái)越重要的產(chǎn)業(yè)**。同時(shí)晶圓探針測(cè)試面臨的挑戰(zhàn)也越來(lái)越多，芯片的面積增大和密度提高使得芯片需要較長(zhǎng)的測(cè)試時(shí)間以及較加精密復(fù)雜的程序、機(jī)械裝置和電源來(lái)執(zhí)行測(cè)試工作以及監(jiān)控測(cè)試結(jié)果。


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  詞條說(shuō)明

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