電容器是電子設(shè)備中的重要元件。電容器種類較多,它們的首要失效形式和機(jī)理都不盡相同。多見(jiàn)的失效形式有擊穿短路、開(kāi)路、電參數(shù)退化(容量改變、損耗角正切值增大、漏電流增大和絕緣電阻降低),電解液洩漏和引線腐蝕等。
開(kāi)路和短路一類俄然發(fā)作并徹底失掉功用的失效叫做喪命失效(徹底失效),因電參數(shù)**差而逐漸失掉功用的失效叫做退化失效(部分失效)。其間喪命失效危害較大,但退化失效往往是喪命性失效的誘因和預(yù)兆。
電容器在工作應(yīng)力(電壓、電流、脈衝電壓、高頻電流、脈動(dòng)電壓)和環(huán)境應(yīng)力(溫度、相對(duì)濕度、日照、時(shí)刻、振蕩、衝擊、霉菌及有害氣體)的一起效果下會(huì)分別或一起發(fā)作某些失效形式和失效機(jī)理,隨著時(shí)刻推移一種失效機(jī)理還會(huì)衍生出另一種失效機(jī)理。即便在一種應(yīng)力效果下也可以一起誘發(fā)兩種以上的失效機(jī)理。因?yàn)楦鞣N電容器的資料構(gòu)造、制造技術(shù)、功能和運(yùn)用環(huán)境及條件的不一樣,其失效形式和機(jī)理也不相同。聯(lián)系電容器的特色,依據(jù)實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),有幾種應(yīng)力在激起電子元器件的內(nèi)部缺點(diǎn)方面特別有用。因而通常僅用幾種典型應(yīng)力進(jìn)行挑選。
詞條
詞條說(shuō)明
小容量的電容,通常在高頻電路中使用,如收音機(jī)、**機(jī)和振蕩器中。 大容量的電容往往是作濾波和存儲(chǔ)電荷用。而且還有一個(gè)特點(diǎn),一般1μF以上的電容均為電解電容,而1μF以下的電容多為瓷片電容。 當(dāng)然也有其他的,比如*石電容、滌綸電容、小容量的云母電容等。 把電容器的兩個(gè)電極分別接在電源的正、負(fù)極上,過(guò)一會(huì)兒即使把電源斷開(kāi),兩個(gè)引腳間仍然會(huì)有殘留電壓。 電容器較板間建立起電壓,積蓄起電能,這個(gè)過(guò)程稱為
貼片電感器種類繁多,形狀各異,較常見(jiàn)的有:?jiǎn)螌悠嚼@空芯電感線圈、間繞空芯電感線圈、脫胎空芯線圈、多層空芯電感線圈、蜂房式電感線圈、帶磁芯電感線圈、磁罐電感線圈、高頻阻流圈、低頻阻流圈、固定電感器等。 貼片電感器的主要參數(shù)是電感量和額定電流。電感量的基本單位是亨利,簡(jiǎn)稱亨,用字母“H”表示。在實(shí)際應(yīng)用中,一般常用毫亨(mH)或微亨(μH)作單位。它們之間的相互關(guān)系是:1H=1000 mH,1 mH
類似半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)或者薄膜物理這種任意面積遠(yuǎn)大于厚度的情形中,貼片RB薄膜有著廣泛的應(yīng)用。晶片上常用堆積有納米級(jí)厚度的薄膜,如果要注意這些薄膜的電阻阻值,就需要使用到薄膜RB電阻這一概念了比方,發(fā)光二級(jí)體的制造中,二較體PN結(jié)上作為電極而沉積的金屬的阻值很大程度影響了發(fā)光二較體的發(fā)光效率,所以需要將金屬半導(dǎo)體的接觸電阻小化,利用傳輸線模型丈量法以及四腳探針丈量法,就能夠確定金屬下方半導(dǎo)體層的薄膜電阻
壓敏電阻作為常見(jiàn)的一種插件電阻,要了解它的參數(shù)才能讓它在電路中發(fā)揮較好的作用。它的主要參數(shù)有標(biāo)稱電壓、電壓比、控制電壓、殘壓比、通流容量、漏電流、電壓溫度系數(shù)、電流溫度系數(shù)、電壓非線性系數(shù)、絕緣電阻、靜態(tài)電容等。 每通過(guò)1毫安的電流時(shí),壓敏電阻兩端的電壓值就是標(biāo)稱電壓。電壓比就是一個(gè)比值,指當(dāng)電流為1MA和0.1MA時(shí)壓敏電阻的電壓值之比。限制電壓是指壓敏電阻兩端所能承受的電壓值。殘壓比就是殘壓
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