薄膜電阻和厚膜電阻有什么差異？

時間：2019-04-30作者：深圳市新晨陽電子有限公司瀏覽：7

類似半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)或者薄膜物理這種任意面積遠大于厚度的情形中，貼片RB薄膜有著廣泛的應(yīng)用。晶片上常用堆積有納米級厚度的薄膜，如果要注意這些薄膜的電阻阻值，就需要使用到薄膜RB電阻這一概念了比方，發(fā)光二級體的制造中，二較體PN結(jié)上作為電極而沉積的金屬的阻值很大程度影響了發(fā)光二較體的發(fā)光效率，所以需要將金屬半導(dǎo)體的接觸電阻小化，利用傳輸線模型丈量法以及四腳探針丈量法，就能夠確定金屬下方半導(dǎo)體層的薄膜電阻阻值和電阻的大小。




1、制造工藝的差別：

而貼片RB薄膜采用的工藝是磁控濺射、真空蒸發(fā)等。厚膜RM電阻采用的工藝一般是絲網(wǎng)印刷工藝。

2、膜厚的差別：

膜厚小于10μm一般是薄膜RB電阻，膜厚大于10μm一般是厚膜RM電阻。事實上，薄膜RB電阻通常都小于10μm。

3、性能的差異，取決材料和工藝：

1) ? 厚膜RM電阻的**精度是±1%±5%±10%精度較差。而薄膜RB電阻的精度較好，能做到±0.10%±0.1%等。

2) ? 薄膜RB電阻的溫度系數(shù)能達到±5ppm這個溫度系數(shù)就非常小了所以阻值比較穩(wěn)定可靠，貼片RM厚膜的溫度系數(shù)通常比較大，不好控制。常被用于電源、電力設(shè)備、儀器儀表等產(chǎn)品上。





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