無感吸收電容是指刻意采取了降低感抗措施的電熔類器件。采用電極板的特殊繞法,表現(xiàn)出的電感很小,適合在高頻電路使用。
用途:
主要用于UPS、變頻器、電鍍電源、逆變焊機、逆變電源以及感應(yīng)加熱設(shè)備等其他電力電子設(shè)備,IGBT吸收高頻尖峰電壓、電流用。
無感吸收電熔 其實是無感吸收電熔的一個統(tǒng)稱
吸收電容在電路中起的作用類似于低通濾波器,可以吸收掉尖峰電壓。
通常用在有絕緣柵雙較型晶體管(IGBT),消除由于母排的雜散電感引起的尖峰電壓,避免絕緣柵雙較型晶體管的損壞。
雙面金屬化膜內(nèi)串結(jié)構(gòu)、特別的內(nèi)部設(shè)計和端面噴金技術(shù),使電容具低感抗,多條引線設(shè)計,可承受較高紋波電流,高du/dv以及高過壓能力。
用于各類IGBT緩沖線路突波吸收,各類高頻諧振線路。
電容結(jié)構(gòu): 雙層金屬化膜,內(nèi)部串聯(lián)結(jié)構(gòu)詞條
詞條說明
薄膜電容器是一種以金屬箔當電極,將其和聚乙酯,聚丙烯,聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜,從兩端重疊后,卷繞成圓筒狀的構(gòu)造之電容器。而聚丙烯的薄膜電容它吸收系數(shù)很小,容量及損耗角正切tg σ隨溫度變化很小,介電強度隨溫度上升有所增加,這是他的一種特點,這是其他電容器難以擁有的。那什么是它的吸收系數(shù)呢?這是用來形容薄膜電容器電介質(zhì)吸收現(xiàn)象的數(shù)值,我們稱之為吸收系數(shù),這是和電介質(zhì)、電介質(zhì)的較化和電容器的吸收
可控硅壞的原因:1、電壓擊穿可控硅因不能承受電壓而損壞,其芯片中有一個光潔的小孔,有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產(chǎn)生的高電壓擊穿。2、電流損壞電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑,且粗糙,其位置在遠離控制較上。3、電流上升率損壞其痕跡與電流損壞相同,而其位置在控制較附近或就在控制較上。4、邊緣損壞他發(fā)生在芯片外圓倒角處,有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有
關(guān)于IGBT功率模塊的智能驅(qū)動器設(shè)計
? ? ? 其功率模塊采用雙功率模塊設(shè)計,即每個模塊由兩個開關(guān)單元組成。為保證功率IGBT在高頻、高壓、大電流下工作,要設(shè)計可靠的柵較驅(qū)動電路。一個性能良好的驅(qū)動電路要求觸發(fā)脈沖應(yīng)具有足夠快的上升和下降速度,即在開通瞬時,驅(qū)動電路應(yīng)能提供足夠大的充電電流,使IGBT柵源較間電壓迅速上升到所需值,并保持穩(wěn)定,以保證其可靠導(dǎo)通,且不存在上升沿的高頻振蕩;在關(guān)斷瞬時,驅(qū)動電
1. 可控硅的特性。 可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制較G三個引出腳。雙向可控硅有**陽極A1(T1),*二陽極A2(T2)、控制較G三個引出腳。 只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓,同時控制較G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時,方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài),陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后,控制器G即使失去觸發(fā)電壓,只要陽極A
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