薄膜電容器是一種以金屬箔當(dāng)電極,將其和聚乙酯,聚丙烯,聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜,從兩端重疊后,卷繞成圓筒狀的構(gòu)造之電容器。而聚丙烯的薄膜電容它吸收系數(shù)很小,容量及損耗角正切tg σ隨溫度變化很小,介電強度隨溫度上升有所增加,這是他的一種特點,這是其他電容器難以擁有的。那什么是它的吸收系數(shù)呢?這是用來形容薄膜電容器電介質(zhì)吸收現(xiàn)象的數(shù)值,我們稱之為吸收系數(shù),這是和電介質(zhì)、電介質(zhì)的較化和電容器的吸收現(xiàn)象這三者相關(guān)的。這個系數(shù)并不是一樣的,不同的廠家、不同的型號批次的會不相同,甚至同樣的廠家型號批次生產(chǎn)出來的每一個薄膜電容都有可能不同。
薄膜電容器的電介質(zhì)吸收效應(yīng)決定電容器的低頻特性,吸收系數(shù)越小,這個薄膜電容器就越好,電容器充放電較快。在**理想的狀態(tài)下,如果吸收系數(shù)能為0,電介質(zhì)(即絕緣體)在外加電場的作用下無極化現(xiàn)象,電介質(zhì)表面對電荷無牽引束縛力,電容器充放電響應(yīng)無滯后。當(dāng)然,這個是理想的狀態(tài)下,實際上目前的技術(shù)還不能實現(xiàn)。
如果吸收系數(shù)過大,電容器充放電響應(yīng)滯后嚴(yán)重、**低頻平滑濾波器時間常數(shù)變大、直流放大器零點受擾動后,單向漂移、電源電路紋波加大等等想象會發(fā)生,因此薄膜電容的吸收系數(shù)要越小越好。
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詞條說明
1. 可控硅的特性。 可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制較G三個引出腳。雙向可控硅有**陽極A1(T1),*二陽極A2(T2)、控制較G三個引出腳。 只有當(dāng)單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓,同時控制較G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時,方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài),陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后,控制器G即使失去觸發(fā)電壓,只要陽極A
可控硅模塊使用時間長了,它的溫度就會升高,如果溫度過高就容易損壞,并且降低使用壽命,這就需要我們了解測試可控硅模塊的升溫方法:1、可控硅模塊環(huán)境溫度的測定:在距被測可控硅模塊表面1.5m處放置溫度計,溫度計測點距地面的高度與減速機軸心線等高,溫度計的放置應(yīng)不受外來輻射熱與氣流的影響,環(huán)境溫度數(shù)值的讀取與工作溫度數(shù)值的讀取應(yīng)同時進行。2、可控硅模塊溫升按下式計算:式中:Δt--可控硅模塊的溫升,℃。
熔斷器供應(yīng)商(m.qiwodz.b2b168.com)1.熔斷器類型的選用根據(jù)使用環(huán)境、負(fù)載性質(zhì)和短路電流的大小選用適當(dāng)類型的熔斷器。例如,對于容量較小的照明電路,可選用RT系列圓筒帽型熔斷器;相對于短路電流相當(dāng)大或有易燃?xì)怏w的地方,應(yīng)選用RT系列有填料密封管式熔斷器;在機床控制電路中,多選用RL系列螺旋式熔斷器;用于半導(dǎo)體功率元件及晶閘管的保護時,應(yīng)選用RS或RLS系列快速熔斷器。2.熔斷器額定
? ? ?熔斷器(fuse)是指當(dāng)電流**過規(guī)定值時,以本身產(chǎn)生的熱量使熔體熔斷,斷開電路的一種電器。熔斷器是根據(jù)電流**過規(guī)定值一段時間后,以其自身產(chǎn)生的熱量使熔體熔化,從而使電路斷開;運用這種原理制成的一種電流保護器。熔斷器廣泛應(yīng)用于高低壓配電系統(tǒng)和控制系統(tǒng)以及用電設(shè)備中,作為短路和過電流的保護器,是應(yīng)用較普遍的保護器件之一。工作原理利用金屬導(dǎo)體作為熔體串聯(lián)于電路中,
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