二極管算是半導(dǎo)體家族中的元老了,從1930年開(kāi)始,半導(dǎo)體整流器開(kāi)始投入市場(chǎng)。
二極管模塊分為:
快恢復(fù)二極管模塊,肖特基二極管模塊,整流二極管模塊、光伏防反二極管模塊等。
而二極管和二極管模塊主要區(qū)別是功率、速度和封裝不同。
二級(jí)管一般指電流、電壓、功率比較小的單管,一般電流在幾個(gè)安培以內(nèi),電壓較高1000多V,但是反向恢復(fù)素很快,只有幾個(gè)ns至幾十個(gè)ns,用在小功率開(kāi)關(guān)電源做輸出整流,或需要頻繁開(kāi)關(guān)的場(chǎng)合,其封裝一般是塑封、玻璃封裝、陶瓷封裝等。
二極管模塊指封裝成模塊的二極管,功率較大,幾十、幾百安培,
主要用于整流,在大功率設(shè)備上使用,如電焊機(jī)等,
反向恢復(fù)時(shí)間很快,但比二極管慢,一般在幾十個(gè)ns至幾百個(gè)ns之間。
詞條
詞條說(shuō)明
1. 可控硅的特性。 可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽(yáng)極A、陰極K、控制較G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有**陽(yáng)極A1(T1),*二陽(yáng)極A2(T2)、控制較G三個(gè)引出腳。 只有當(dāng)單向可控硅陽(yáng)極A與陰極K之間加有正向電壓,同時(shí)控制較G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí),方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài),陽(yáng)極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后,控制器G即使失去觸發(fā)電壓,只要陽(yáng)極A
薄膜電容器是一種以金屬箔當(dāng)電極,將其和聚乙酯,聚丙烯,聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜,從兩端重疊后,卷繞成圓筒狀的構(gòu)造之電容器。而聚丙烯的薄膜電容它吸收系數(shù)很小,容量及損耗角正切tg σ隨溫度變化很小,介電強(qiáng)度隨溫度上升有所增加,這是他的一種特點(diǎn),這是其他電容器難以擁有的。那什么是它的吸收系數(shù)呢?這是用來(lái)形容薄膜電容器電介質(zhì)吸收現(xiàn)象的數(shù)值,我們稱之為吸收系數(shù),這是和電介質(zhì)、電介質(zhì)的較化和電容器的吸收
熔斷器供應(yīng)商(m.qiwodz.b2b168.com)1.熔斷器類型的選用根據(jù)使用環(huán)境、負(fù)載性質(zhì)和短路電流的大小選用適當(dāng)類型的熔斷器。例如,對(duì)于容量較小的照明電路,可選用RT系列圓筒帽型熔斷器;相對(duì)于短路電流相當(dāng)大或有易燃?xì)怏w的地方,應(yīng)選用RT系列有填料密封管式熔斷器;在機(jī)床控制電路中,多選用RL系列螺旋式熔斷器;用于半導(dǎo)體功率元件及晶閘管的保護(hù)時(shí),應(yīng)選用RS或RLS系列快速熔斷器。2.熔斷器額定
可控硅壞的原因:1、電壓擊穿可控硅因不能承受電壓而損壞,其芯片中有一個(gè)光潔的小孔,有時(shí)需用擴(kuò)大鏡才能看見(jiàn)。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開(kāi)時(shí)產(chǎn)生的高電壓擊穿。2、電流損壞電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個(gè)凹坑,且粗糙,其位置在遠(yuǎn)離控制較上。3、電流上升率損壞其痕跡與電流損壞相同,而其位置在控制較附近或就在控制較上。4、邊緣損壞他發(fā)生在芯片外圓倒角處,有細(xì)小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有
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