雪崩擊穿
另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數值時,外加電場使電子漂移速度加快,從而與共價鍵中的價電子相碰撞,把價電子撞出共價鍵,產生新的電子-空穴對。新產生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子,載流子雪崩式地增加,致使電流急劇增加,這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿,若對其電流不加限制,都可能造成PN結性損壞。標準二極管模塊
特點:*JEDEC TO-240 AA **標準封裝
*直接銅敷 Al2O3 陶瓷底板*平面鈍化芯片
*隔離電壓3600伏
*阻斷電壓高達1800伏*低正向壓降
*適用于PCB焊接的引線端子
*符合 UL認證,E 148688應用:
*直流電流設備*脈寬逆變器的輸入整流器
*脈寬逆變器的直流電源*直流電機接地電源
*直流電源電池詞條
詞條說明
整流橋是橋式整流電路的實物產品,那么實物產品該如何接線到實際電路中呢?一般來講整流橋4個腳位都會有明顯的極性說明,工程設計接線圖的時候已經將安裝方式固定下來了,那么在實際應用過程中只需要,對應線路板的安裝孔就好了。整流橋連接方法主要分兩種,一個是實物產品與電路圖的對應方式。左側為橋式整流電路內部結構圖,B3作為整流正極輸出,C4作為整流負極輸出,A1與A2共同作為交流輸入端。整流橋實物產品圖樣式,
可控硅結構大家使用的是單向晶閘管,也就是人們常說的普通晶閘管,它是由四層半導體材料組成的,有三個PN結,對外有三個電極〔圖2(a)〕:**層P型半導體引出的電極叫陽極A,*三層P型半導體引出的電極叫控制較G,*四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號〔圖2(b)〕可以看到,它和二極管一樣是一種單方向導電的器件,關鍵是多了一個控制較G,這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。以硅單晶為基
進口晶閘管工作原理詳解1、晶閘管(SCR)晶體閘流管簡稱晶閘管,也稱為可控硅整流元件(SCR),是由三個PN結構成的一種大功率半導體器件。在性能上,晶閘管不僅具有單向導電性,而且還具有比硅整流元件較為可貴的可控性,它只有導通和關斷兩種狀態(tài)。晶閘管的優(yōu)點很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數高達幾十萬倍;反應較快,在微秒級內開通、關斷;無觸點運行,無火花、無噪聲;效率高,成本低等。因此,特別是
可控硅調速是用改變可控硅導通角的方法來改變電機端電壓的波形,從而改變電機端電壓的有效值,達到調速的目的。當可控硅導通角=180時,電機端電壓波形為正弦波,即全導通狀態(tài);當可控硅導通角<180時,即非全導通狀態(tài),電壓有效值減小;導通角越小,導通狀態(tài)越少,則電壓有效值越小,所產生的磁場越小,則電機的轉速越低。由以上的分析可知,采用可控硅調速其電機的轉速可連續(xù)調節(jié)。CPU⑥腳輸出的驅動信號經Q5放
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