可控硅有多種分類方法。
(一)按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類:可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門較關(guān)斷可控硅(GTO)、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。
(二)按引腳和極性分類:可控硅按其引腳和極性可分為二較可控硅、三較可控硅和四較可控硅。
(三)按封裝形式分類:可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中,金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種;塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。可控硅開關(guān)
(四)按電流容量分類:可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、率可控硅和小功率可控硅三種。通常,大功率可控硅多采用金屬殼封裝,而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。
(五)按關(guān)斷速度分類:可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅。
(六)過零觸發(fā)-一般是調(diào)功,即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發(fā),必須是過零點才觸發(fā),導(dǎo)通可控硅。
(七)非過零觸發(fā)-無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發(fā)導(dǎo)通可控硅,常見的是移相觸發(fā),即通過改變正弦交流電的導(dǎo)通角(角相位),來改變輸出百分比。
IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙較型晶體管芯片)與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品;封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上;
IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點;當(dāng)前市場上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品,一般所說的IGBT也指IGBT模塊;隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn),此類產(chǎn)品在市場上將越來越多見;
IGBT是能源變換與傳輸?shù)?*器件,俗稱電力電子裝置的“CPU”,作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用較廣。
詞條
詞條說明
英飛凌IGBT模塊檢測方法 :測試方式:用萬用表只能測量,但不全面,若IGBT損壞一般可以測量出來,但是,若IGBT是好的,它無法肯定是好的。IGBT損壞標(biāo)準(zhǔn):GE、EG、CE、GC、CG任意一組出現(xiàn)二極管檔有讀數(shù),即為損壞。(GE表示G接正表筆,E接負(fù)表筆;其它類同)IGBT的EC之間接有二極管,所以為導(dǎo)通狀態(tài),電壓為0.34V左右。若想完整測試IGBT需要用晶體管圖示儀。以英飛凌FF450R1
工欲善其事,必先利其器 -- 新版SemiSel V5 功率半導(dǎo)體選型工具
效率較高、設(shè)計較緊湊、功率密度較高,同時確保盡快上市、滿足目標(biāo)成本?……以上列舉的要求不過是電力電子開發(fā)人員所面臨的眾多挑戰(zhàn)的一部分。開發(fā)人員需要在變化多樣的產(chǎn)品市場中選擇合適的器件,SemiSel應(yīng)運而生。這一款高效的選型工具可以幫助產(chǎn)品開發(fā)人員在選型時做出正確的選擇。SemiSel迄今仍是同類工具中較全面的免費工具,可以用于研究不同運行條件下的各種電力電子電路。在用戶友好性、功能復(fù)雜
可控硅有多種分類方法。(一)按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類:可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門較關(guān)斷可控硅(GTO)、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。(二)按引腳和極性分類:可控硅按其引腳和極性可分為二較可控硅、三較可控硅和四較可控硅。(三)按封裝形式分類:可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中,金屬封裝可控
二極管檢測方法小功率晶體二極管1. 判別正、負(fù)電極(1)觀察外殼上的符號標(biāo)記。通常在二極管的外殼上標(biāo)有二極管的符號,帶有三角形箭頭的一端為正極,另一端是負(fù)極。??(2)觀察外殼上的色點。在點接觸二極管的外殼上,通常標(biāo)有極性色點(白色或紅色)。一般標(biāo)有色點的一端即為正極。還有的二極管上標(biāo)有色環(huán),帶色環(huán)的一端則為負(fù)極。?(3)以阻值較小的一次測量為準(zhǔn),黑表筆所接的一端為正
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