為什么無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)用方波而不用正弦波
直流無(wú)刷電bai機(jī)的驅(qū)動(dòng)方式有方波和正弦波,一du般而言方波驅(qū)動(dòng)對(duì)zhi于主芯片的運(yùn)算能力dao要求不高,用普通的8位機(jī)就可以實(shí)現(xiàn),而要做正弦波驅(qū)動(dòng)需要的運(yùn)算資源更多,所以在很多應(yīng)用無(wú)刷電機(jī)的應(yīng)用場(chǎng)合是選擇用方波驅(qū)動(dòng)。
但目前的正弦波驅(qū)動(dòng)技術(shù)已經(jīng)成熟,無(wú)論是有霍爾還是無(wú)霍爾都能實(shí)現(xiàn)(無(wú)霍爾帶載啟動(dòng)目前還是世界上的難題),所以直流無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)方波還是正弦波沒有一定的要求,都是根據(jù)實(shí)際的應(yīng)用要求來(lái)定。
深圳市鑫海文科技有限公司致力于直流無(wú)刷電機(jī)和驅(qū)動(dòng)器定制開發(fā)多年,擁有豐富的定制開發(fā)和應(yīng)用經(jīng)驗(yàn),在各行業(yè)都有成熟應(yīng)用,支持客戶多樣化定制要求
詞條
詞條說(shuō)明
從名字表面的角度來(lái)看MOSFET的命名,事實(shí)上會(huì)讓人得到錯(cuò)誤的印象。因?yàn)镸OSFET里代表“metal”的**個(gè)字母M在當(dāng)下大部分同類的元件里是不存在的。早期MOSFET的柵較(gate?electrode)使用金屬作為其材料,但隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步,隨后MOSFET柵較使用多晶硅取代了金屬。在處理器中,多晶硅柵已經(jīng)不是主流技術(shù),從英特爾采用45納米線寬的P1266處理器開始,柵較開始重
功率級(jí)設(shè)計(jì)UCC3626可為主電路功率級(jí)提供六個(gè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)。對(duì)于不需要制動(dòng)功能但需要兩或四象限控制的情況,可采用如圖6(a)所示的電路。而在很多情況下,系統(tǒng)需要制動(dòng)功能,這時(shí)可采用如圖6 (b)和圖6(c)所示電路,該電路每個(gè)橋臂都需要串聯(lián)二極管,而且低側(cè)續(xù)流二極管一定要接地,以避免制動(dòng)電流流過(guò)下半橋。圖6(c)所示電路適用于需要制動(dòng)功能且為四象限控制的場(chǎng)合,附加的傳感電阻可用來(lái)檢查PWM的OFF
? ? 金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。?? ? MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“
電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片是集成有CMOS控制電路和DMOS功率器件的芯片,利用它可以與主處理器、電機(jī)和增量型編碼器構(gòu)成一個(gè)完整的運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)。可以用來(lái)驅(qū)動(dòng)直流電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)和繼電器等感性負(fù)載。功能電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片采用標(biāo)準(zhǔn)的TTL邏輯電平信號(hào)控制,具有兩個(gè)使能控制端,在不受輸入信號(hào)影響的情況下允許或禁止器件工作,有一個(gè)邏輯電源輸入端,使內(nèi)部邏輯電路部分在低電壓下工作;可以外接檢測(cè)電阻,將變化量反饋給控制電路。原理電
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