FIB/SEM/EDX技術指標

時間：2020-04-15作者：儀準科技（北京）有限公司瀏覽：134

聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術指標
一、技術指標
1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA；
2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式
3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV)
4、大束流Sidewinder離子鏡筒；
5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）；
6、離子束束流1.5pA-65nA，15孔光闌。

二、配置情況
1、GIS氣體注入：Pt沉積
2、ETD SE、T1（筒內(nèi)低位）、T（高位）探頭
3、Nav-camTM：樣品室內(nèi)光學導航相機
4、AutoTEM4、Autoslice、Map for3D自動拼圖、NanoBuilder納米加工軟件。

三、適用樣品
半導體、金屬、陶瓷材料微納加工及觀察分析，成分分析

四、檢測內(nèi)容
1、IC芯片電路修改
2、Cross-Section 截面分析
3、Probing Pad
4、FIB微納加工
5、材料鑒定
6、EDX成分分析

五、設備簡介
FEI Scios 2 DualBeam系統(tǒng)在Scios系統(tǒng)的基礎上進行了升級，較加適用于金屬、復合材料和涂層，特點是適用磁性樣品、借助漂移抑制對不導電的樣品可以進行操作、Trinity檢測套件可同步檢測材料、形態(tài)和邊緣對比對度，大大提高效率、軟件可以實現(xiàn)三維數(shù)據(jù)立方體分析金屬中夾雜物大小和分布、*有的工作流模式，可以設定程序，降低操作員的難度。在**大樣品倉中集成了大尺寸的五軸電動樣品臺，XY軸具有110mm移動范圍，Z方向具有85mm升降空間。


儀準科技（北京）有限公司專注于手動探針臺,probe,station等

• 詞條

  詞條說明

• 微光顯微鏡技術介紹

  儀準科技*生產(chǎn)的微光顯微鏡，失效分析設備，失效分析實驗室建設 就半導體元器件故障失效分析而言，微光顯微鏡EMMI是一種相當有用且效率較高的分析工具。主要偵測IC內(nèi)部所放出光子。在IC元件中，EHP(Electron Hole Pairs) Recombination會放出光子(Photon)。 舉例說明：在P-N 結(jié)加偏壓，此時N阱的電子很*擴散到P阱，而P的空穴也*擴散至N然後與P端的

• 微納加工應用

  聚焦離子束，F(xiàn)ocused Ion beam 服務介紹：FIB（聚焦離子束，F(xiàn)ocused Ion beam）是將液態(tài)金屬離子源產(chǎn)生的離子束經(jīng)過離子槍加速，聚焦后照射于樣品表面產(chǎn)生二次電子信號**電子像，此功能與SEM（掃描電子顯微鏡）相似，或用強電流離子束對表面原子進行剝離，以完成微、納米級表面形貌加工。 服務范圍：工業(yè)和理論材料研究，半導體，數(shù)據(jù)存儲，自然資源等領域 服務內(nèi)容：1.芯片電路修改

• 科研測試補貼90% 附申請鏈接

  科研測試補貼90% 附申請鏈接 半導體元器件失效分析可靠性測試 今天 在北京地區(qū)注冊，具有獨立法人資格，在職正式職工不多于100人，營業(yè)收入1000萬元以下，注冊資金不**2000萬元，具有健全的財務機構(gòu)，管理規(guī)范，無不良誠信記錄； 每年度符合補貼要求的業(yè)務合同金額 10萬元及以下的部分按照較高不**過90%的比例核定； **過10萬元至50萬元的部分按照較高不**過60%的比例核定； **過50萬元至1

• 失效分析分類方法

  失效分析分類 1 按功能分類 由失效的定義可知,失效的判據(jù)是看規(guī)定的功能是否喪失。因此,失效的分類可以按功能進行分類。例如,按不同材料的規(guī)定功能可以用各種材料缺陷(包括成分、性能、組織、表面完整性、品種、規(guī)格等方面)來劃分材料失效的類型。對機械產(chǎn)品可按照其相應規(guī)定功能來分類。 2 按材料損傷機理分類 根據(jù)機械失效過程中材料發(fā)生變化的物理、化學的本質(zhì)機理不同和過程特征差異, 3 按機械失效的時間特征