聚焦離子束,F(xiàn)ocused Ion beam 服務介紹:FIB(聚焦離子束,F(xiàn)ocused Ion beam)是將液態(tài)金屬離子源產(chǎn)生的離子束經(jīng)過離子槍加速,聚焦后照射于樣品表面產(chǎn)生二次電子信號**電子像,此功能與SEM(掃描電子顯微鏡)相似,或用強電流離子束對表面原子進行剝離,以完成微、納米級表面形貌加工。 服務范圍:工業(yè)和理論材料研究,半導體,數(shù)據(jù)存儲,自然資源等領域 服務內(nèi)容:1.芯片電路修改和布局驗證 2.Cross-Section截面分析 3.Probing Pad 4.**切割 掃描電鏡(SEM) 服務介紹:SEM/EDX(形貌觀測、成分分析)掃描電鏡(SEM)可直接利用樣品表面材料的物質性能進行微觀成像。EDX是借助于分析試樣發(fā)出的元素特征X射線波長和強度實現(xiàn)的,根據(jù)不同元素特征X射線波長的不同來測定試樣所含的元素。通過對比不同元素譜線的強度可以測定試樣中元素的含量。通常EDX結合電子顯微鏡(SEM)使用,可以對樣品進行微區(qū)成分分析。 服務范圍:**,航天,半導體,**材料等 服務內(nèi)容:1.材料表面形貌分析,微區(qū)形貌觀察 2.材料形狀、大小、表面、斷面、粒徑分布分析 3.薄膜樣品表面形貌觀察、薄膜粗糙度及膜厚分析 4.納米尺寸量測及標示 5.微區(qū)成分定性及定量分析 芯片失效分析實驗室介紹,能夠依據(jù)**、國內(nèi)和行業(yè)標準實施檢測工作,開展從底層芯片到實際產(chǎn)品,從物理到邏輯全面的檢測工作,提供芯片預處理、側信道攻擊、光攻擊、侵入式攻擊、環(huán)境、電壓毛刺攻擊、電磁注入、放射線注入、物理安全、邏輯安全、功能、兼容性和多點激光注入等安全檢測服務,同時可開展模擬重現(xiàn)智能產(chǎn)品失效的現(xiàn)象,找出失效原因的失效分析檢測服務,主要包括點針工作站(Probe Station)、反應離子刻蝕(RIE)、微漏電偵測系統(tǒng)(EMMI)、X-Ray檢測,缺陷切割觀察系統(tǒng)(FIB系統(tǒng))等檢測試驗。實現(xiàn)對智能產(chǎn)品質量的評估及分析,為智能裝備產(chǎn)品的芯片、嵌入式軟件以及應用提供質量保證。
詞條
詞條說明
失效分析(FA)是一門發(fā)展中的新興學科,近年開始從**向普通企業(yè)普及。它一般根據(jù)失效模式和現(xiàn)象,通過分析和驗證,模擬重現(xiàn)失效的現(xiàn)象,找出失效的原因,挖掘出失效的機理的活動。在提高產(chǎn)品質量,技術開發(fā)、改進,產(chǎn)品修復及仲裁失效事故等方面具有很強的實際意義。其方法分為有損分析,無損分析,物理分析,化學分析等 失效分析的意義:分析機械零器件失效原因,為事故責任認定、偵破刑事犯罪案件、裁定賠償責任、保險業(yè)務
半導體技術公益課:有需要線上分享可以安排時間講您擅長的領域,半導體相關的都歡迎,話題 時長不限 名稱:半導體技術公益課講師征集 時間:每周五下午5-7點 時長:不限 方式:直播分享 演講者可以準備ppt,發(fā)來題目,框架,時長,個人簡介,協(xié)調好時間后即可安排。 想做線上分享的,可以聊您擅長的領域,半導體相關的都歡迎,話題,時長不限 IC失效分析實驗室 北軟檢測智能產(chǎn)品檢測實驗室于2015年底實施運營
半導體技術公益課 2020年4月18日(周六) 題 目: 芯片流片前的物理驗證 簡 介: 1.**部分drc; 2.*二部分lvs; 時 長: 10分鐘 主 講 人: Allen 產(chǎn)品工程師 時 間 : 11:00-11:10 題 目:芯片失效分析方法及流程 簡 介:失效分析方法; 失效分析流程; 失效分析案例; 失效分析實驗室介紹。 分享時長:45分鐘 主 講人:趙俊紅就職于科委檢測中心,集成電
微量元素含量測試方法 近年來,元素含量測試儀器發(fā)展十分*,常見的測試儀器有原子反射光譜法(AES)、原子吸收光譜法(AAS)、X射線熒光光譜法(XRF)、電感耦合等離子體原子**光譜(ICP-AES)和質譜(ICP-MS)等,由于各個儀器的技術方法存在局限性,如何對待測元素“量體裁衣”尤為重要。下面主要從元素含量測試儀器原理、適用范圍兩個方面作簡要介紹。 1.原子**光譜(AES) 原子**光譜
公司名: 儀準科技(北京)有限公司
聯(lián)系人: 趙
電 話: 01082825511-869
手 機: 13488683602
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地 址: 北京海淀中關村東升科技園
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網(wǎng) 址: advbj123.cn.b2b168.com
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