熱插拔帶來的EOS損壞

時間：2020-04-13作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：128

熱插拔帶來的EOS損壞
\使用USB接口的產(chǎn)品，如果熱插拔設(shè)計存在問題的話，*帶來EOS破壞。
產(chǎn)品熱插拔的時候，可能會帶來瞬時的大電流，這種大電流，是一種震蕩波，首先，可能直接破壞芯片或器件，而是激發(fā)芯片產(chǎn)生大電流的latchup效應(yīng)，最后燒壞芯片或器件。
某產(chǎn)品試用時，插拔時頻頻出現(xiàn)損壞，經(jīng)過比對電性分析，發(fā)現(xiàn)電性明顯異常，進(jìn)行EMMI測試，發(fā)現(xiàn)芯片表面異常亮點(diǎn)，在顯微鏡下，發(fā)現(xiàn)鋁線燒損，判斷是大部分返修單板均是由于EOS導(dǎo)致內(nèi)部鋁線融化，導(dǎo)致芯片失效。
進(jìn)一步分析電路，發(fā)現(xiàn)電路設(shè)計應(yīng)用不當(dāng)問題，未采用保護(hù)電路，使帶電插拔產(chǎn)生的電浪涌導(dǎo)致芯片產(chǎn)生latchup效應(yīng)，越來越大的大電流最后燒壞芯片，模擬試驗(yàn)再現(xiàn)了同樣的失效現(xiàn)象。
改進(jìn)措施：在設(shè)計更改中，增強(qiáng)電路防插拔設(shè)計，增強(qiáng)保護(hù)管的電流瀉放能力。在PCB版設(shè)計中，增加限流設(shè)計。
芯片開封實(shí)驗(yàn)室介紹，能夠依據(jù)**、國內(nèi)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施檢測工作，開展從底層芯片到實(shí)際產(chǎn)品，從物理到邏輯全面的檢測工作，提供芯片預(yù)處理、側(cè)信道攻擊、光攻擊、侵入式攻擊、環(huán)境、電壓毛刺攻擊、電磁注入、放射線注入、物理安全、邏輯安全、功能、兼容性和多點(diǎn)激光注入等安全檢測服務(wù)，同時可開展模擬重現(xiàn)智能產(chǎn)品失效的現(xiàn)象，找出失效原因的失效分析檢測服務(wù)，主要包括點(diǎn)針工作站（Probe Station）、反應(yīng)離子刻蝕（RIE）、微漏電偵測系統(tǒng)（EMMI）、X-Ray檢測，缺陷切割觀察系統(tǒng)（FIB系統(tǒng)）等檢測試驗(yàn)。實(shí)現(xiàn)對智能產(chǎn)品質(zhì)量的評估及分析，為智能裝備產(chǎn)品的芯片、嵌入式軟件以及應(yīng)用提供質(zhì)量保證。

失效分析實(shí)驗(yàn)室
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  詞條說明

• 芯片開封技術(shù)介紹decap

  開封, 即開蓋/開帽, 指去除ic封膠, 同時保持芯片功能的完整無損, 保持 die, bond pads, bond wires乃至lead-frame不受損傷, 為下一步芯片失效分析實(shí)驗(yàn)做準(zhǔn)備. 去封范圍：* 普通封裝* COB、BGA * 陶瓷、金屬等其它特殊封裝 芯片開封機(jī)介紹： 美國RKD生產(chǎn)的RKD 酸開封機(jī)是一臺自動混酸開封機(jī)，通過整合了***的特點(diǎn)使得它可以獲得較高的產(chǎn)能。新開封機(jī)

• 芯片開封方式

  芯片封裝如何去除？---芯片開封介紹 芯片開封也就是給芯片做外科手術(shù)，通過開封我們可以直觀的觀察芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，開封后可以結(jié)合OM分析判斷樣品現(xiàn)狀和可能產(chǎn)生的原因。 開封的含義：Decap即開封，也稱開蓋，開帽，指給完整封裝的IC做局部腐蝕，使得IC可以暴露出來，同時保持芯片功能的完整無損, 保持 die, bond pads, bond wires乃至lead-不受損傷, 為下一步芯片失效分析實(shí)

• 失效分析實(shí)驗(yàn)室選擇

  失效分析技術(shù)，失效分析實(shí)驗(yàn)室，失效機(jī)制是導(dǎo)致零件、元器件和材料失效的物理或化學(xué)過程。此過程的誘發(fā)因素有內(nèi)部的和外部的。在研究失效機(jī)制時，通常先從外部誘發(fā)因素和失效表現(xiàn)形式入手，進(jìn)而再研究較隱蔽的內(nèi)在因素。在研究批量性失效規(guī)律時，常用數(shù)理統(tǒng)計方法，構(gòu)成表示失效機(jī)制、失效方式或失效部位與失效頻度、失效百分比或失效經(jīng)濟(jì)損失之間關(guān)系的排列圖或帕雷托圖，以找出必須首先解決的主要失效機(jī)制、方位和部位。任一產(chǎn)品

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