失效分析簡(jiǎn)介

時(shí)間：2020-03-24作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：146

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 半導(dǎo)體分析樣品制備

  失效分析樣品準(zhǔn)備： 失效分析 趙工 半導(dǎo)體元器件失效分析可靠性測(cè)試 1月6日 失效分析樣品準(zhǔn)備： 失效分析是芯片測(cè)試重要環(huán)節(jié)，無(wú)論對(duì)于量產(chǎn)樣品還是設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)亦或是客退品，失效分析可以幫助降低成本，縮短周期。 常見(jiàn)的失效分析方法有Decap，X-RAY，IV，EMMI，F(xiàn)IB，SEM，EDX，Probe，OM，RIE等，因?yàn)槭Х治鲈O(shè)備昂貴，大部分需求單位配不了或配不齊需要的設(shè)備，因此借用外力，使用對(duì)

• 失效分析的作用

  失效分析的作用 1、失效分析是要找出失效原因，采取有效措施，使同類失效事故不再重復(fù)發(fā)生，可避免較大的經(jīng)濟(jì)損失和人員傷亡； 2、促進(jìn)科學(xué)技術(shù)的發(fā)展 a. 19世紀(jì)工業(yè)革命，蒸汽機(jī)的使用促進(jìn)鐵路運(yùn)輸，但連續(xù)發(fā)生多起因火車軸斷裂，列車出軌事故。 b. 大量斷軸分析和試驗(yàn)研究表明：裂紋均從輪座內(nèi)緣尖角處開(kāi)始。認(rèn)識(shí)到：金屬在交變應(yīng)力下，即使應(yīng)力遠(yuǎn)**金屬的抗拉強(qiáng)度，經(jīng)一定循環(huán)積累，也會(huì)發(fā)生斷裂，即“疲勞”

• 晶柱成長(zhǎng)制程

  《晶柱成長(zhǎng)制程》 硅晶柱的長(zhǎng)成，首先需要將純度相當(dāng)高的硅礦放入熔爐中，并加入預(yù)先設(shè)定好的金屬物質(zhì)，使產(chǎn)生出來(lái)的硅晶柱擁有要求的電性特質(zhì)，接著需要將所有物質(zhì)融化后再長(zhǎng)成單晶的硅晶柱，以下將對(duì)所有晶柱長(zhǎng)成制程做介紹。 長(zhǎng)晶主要程序︰ 融化（MeltDown） 此過(guò)程是將置放于石英坩鍋內(nèi)的塊狀復(fù)晶硅加熱制**攝氏1420度的融化溫度之上，此階段中較重要的參數(shù)為坩鍋的位置與熱量的供應(yīng)，若使用較大的功率來(lái)

• FIB/SEM/EDX技術(shù)指標(biāo)

  聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術(shù)指標(biāo) 一、技術(shù)指標(biāo) 1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； 2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； 6、離