日日行,不怕千萬里;常常做,不怕千萬事。
導(dǎo)致翹曲的因素還包括諸如塑封料成分、模塑料濕氣、封裝的幾何結(jié)構(gòu)等等。通過對塑封材料和成分、工藝參數(shù)、封裝結(jié)構(gòu)和封裝前環(huán)境的把控,可以將封裝翹曲降低到較小。在某些情況下,可以通過封裝電子組件的背面來進(jìn)行翹曲的補(bǔ)償。例如,大陶瓷電路板或多層板的外部連接位于同一側(cè),對他們進(jìn)行背面封裝可以減小翹曲。
芯片破裂
封裝工藝中產(chǎn)生的應(yīng)力會(huì)導(dǎo)致芯片破裂。封裝工藝通常會(huì)加重前道組裝工藝中形成的微裂縫。晶圓或芯片減薄、背面研磨以及芯片粘結(jié)都是可能導(dǎo)致芯片裂縫萌生的步驟。
破裂的、機(jī)械失效的芯片不一定會(huì)發(fā)生電氣失效。芯片破裂是否會(huì)導(dǎo)致器件的瞬間電氣失效還取決于裂縫的生長路徑。例如,若裂縫出現(xiàn)在芯片的背面,可能不會(huì)影響到任何敏感結(jié)構(gòu)。
因?yàn)楣杈A比較薄且脆,晶圓級封裝較容易發(fā)生芯片破裂。因此,必須嚴(yán)格控制轉(zhuǎn)移成型工藝中的夾持壓力和成型轉(zhuǎn)換壓力等工藝參數(shù),以防止芯片破裂。3D堆疊封裝中因疊層工藝而容易出現(xiàn)芯片破裂。在3D封裝中影響芯片破裂的設(shè)計(jì)因素包括芯片疊層結(jié)構(gòu)、基板厚度、模塑體積和模套厚度等。
詞條
詞條說明
?蒸汽發(fā)生器(steamgenerator,sg)是核島內(nèi)的三大設(shè)備之一,核電廠功率損失中有80%是由其損壞引起的。核電廠運(yùn)行期間二回路系統(tǒng)材料的腐蝕產(chǎn)物進(jìn)入sg二次側(cè),蒸發(fā)、濃集沉積在傳熱管、管板和支撐板上及支撐板與傳熱管隙縫之間,形成硬狀泥渣,嚴(yán)重影響了sg的傳熱管的完整性、傳熱效率和sg的水位控制,必須得到有效的去除。 2系統(tǒng)組成 2.1系統(tǒng)描述 用于sg的水力沖洗裝置可以抽象為一
?1)柵較正向驅(qū)動(dòng)電壓的大小將對電路性能產(chǎn)生重要影響,必須正確選擇。當(dāng)正向驅(qū)動(dòng)電壓增大時(shí),.igbt的導(dǎo)通電阻下降,使開通損耗減小;但若正向驅(qū)動(dòng)電壓過大則負(fù)載短路時(shí)其短路電流ic隨uge增大而增大,可能使igbt出現(xiàn)擎住效應(yīng),導(dǎo)致門控失效,從而造成igbt的損壞;若正向驅(qū)動(dòng)電壓過小會(huì)使igbt退出飽和導(dǎo)通區(qū)而進(jìn)入線性放大區(qū)域,使igbt過熱損壞;使用中選12v≤uge≤18v為好。柵較負(fù)
?ADL-300EL用于三相回路二次原理圖 用于3個(gè)獨(dú)立的單相回路二次原理如圖6所示。 SSUTWN08 THOMSON BEARING Banner Engineering IVUC-1215? Fortress E Stop XD132001272M? SMC NAV2000-N02-5DZ? SMC Pressure Regulator Assembl
? 鍋爐汽包的液位控制采用三沖量控制,即汽包進(jìn)水量,汽包的飽和蒸汽量,汽包液位,三個(gè)參數(shù)經(jīng)過計(jì)算后,通過控制汽包進(jìn)水控制閥來控制汽包液位。汽包液位是主控變量,引入蒸汽流量信號,是為了及時(shí)克服蒸汽流量波動(dòng)對汽包液位的影響,并有效地“假液位”現(xiàn)象引起控制系統(tǒng)的誤動(dòng)作;引入給水流量信號的目的是將給水流量信號作為副變量,利用串級控制系統(tǒng)中副回路克服干擾快速性來及時(shí)地克服給水壓力變化對汽包液位的影
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