ETC門架數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)可選用國產(chǎn)3D鐵電存儲(chǔ)器PB85RS128，性能兼容賽普拉斯

時(shí)間：2023-01-09

為了實(shí)現(xiàn)高速公路不停車電子收費(fèi)，減少擁堵，ETC門架系統(tǒng)的設(shè)立實(shí)現(xiàn)了電子不停車快捷收費(fèi)、圖像識(shí)別和多種支付手段相融合的技術(shù)路徑。隨著ETC門架系統(tǒng)建設(shè)的推進(jìn)，要求存儲(chǔ)器可以穩(wěn)定可靠的長時(shí)間存儲(chǔ)系統(tǒng)的數(shù)據(jù)，并且需要有較高的數(shù)據(jù)采集和處理速度，某高速公路采用了拍字節(jié)的新型3D鐵電存儲(chǔ)器(VFRAM) PB85RS128應(yīng)用于ETC門架系統(tǒng)中，該方案大大提升了ETC門架系統(tǒng)的數(shù)據(jù)讀寫速度，加強(qiáng)了系統(tǒng)的可靠性和安全性。

PB85RS128鐵電存儲(chǔ)器是不需要備用電池就可以保持數(shù)據(jù)，和EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器相比，具有優(yōu)越的耐高溫、高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。且支持SOIC8封裝形式，可PIN TO PIN兼容賽普拉斯5V01-G和富士通MB85RS128B等業(yè)內(nèi)其它廠商器件。

從產(chǎn)品架構(gòu)上看，拍字節(jié)的新型3D鐵電存儲(chǔ)器PB85RS128采用了新開發(fā)的High-K材料，實(shí)現(xiàn)全新的3D架構(gòu)，較大提升了存儲(chǔ)器密度，也解決了傳統(tǒng)的鐵電存儲(chǔ)器材料的強(qiáng)污染問題。

從容量上看，拍字節(jié)新型3D鐵電存儲(chǔ)器突破了傳統(tǒng)鐵電的限制，單顆粒容量達(dá)到8Mb~128Mb。

從應(yīng)用領(lǐng)域上看，拍字節(jié)新型3D鐵電存儲(chǔ)器是一種可按字節(jié)尋址的非易失性存儲(chǔ)器，其高速寫入、高讀寫次數(shù)以及**低功耗特性，可應(yīng)用于需要“實(shí)時(shí)大量數(shù)據(jù)記錄”、“頻繁數(shù)據(jù)讀寫”場景。還滿足了“省去保持?jǐn)?shù)據(jù)用的電池”、“反復(fù)讀寫而需要高讀寫次數(shù)的存儲(chǔ)器”、“保存斷電前瞬間數(shù)據(jù)”等要求；用于打印耗材等耗材認(rèn)證領(lǐng)域、智能卡及IC卡等卡片領(lǐng)域、電力儀表及產(chǎn)業(yè)設(shè)備等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，以及醫(yī)療設(shè)備及醫(yī)療RFID標(biāo)簽等醫(yī)療領(lǐng)域。近年來，還被應(yīng)用于智能物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、可穿戴設(shè)備、工業(yè)機(jī)器人以及中，也就意味著新型3D鐵電存儲(chǔ)器即將進(jìn)入主流存儲(chǔ)市場。

如上所述，國芯思辰的拍字節(jié)鐵電存儲(chǔ)產(chǎn)品擁有強(qiáng)大技術(shù)能力支撐與穩(wěn)定的產(chǎn)品供貨，且價(jià)格也非常有優(yōu)勢，如需樣品，可以在國芯思辰官網(wǎng)進(jìn)行申請。

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