IGBT功率模塊

時間：2022-06-22作者：江蘇芯鉆時代電子科技有限公司瀏覽：251

     igbt功率模塊是以絕緣柵雙較型晶體管（igbt）構(gòu)成的功率模塊。由于igbt模塊為mosfet結(jié)構(gòu)，igbt的柵較通過一層氧化膜與**較實現(xiàn)電隔離，具有出色的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī)，變頻器，變頻家電等領(lǐng)域。
      igbt是**的*三代功率模塊，工作頻率1-20khz,主要應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動汽車、伺服控制器、ups、開關(guān)電源、斬波電源、無軌電車等。問世迄今有十年多歷史，幾乎己替代一切其它功率器件，例scr.gto,gtr,mosfet,雙較型達(dá)林頓管等淚今功率可高達(dá)1mw的低頻應(yīng)用中，單個元件電壓可達(dá)4.okv（pt結(jié)構(gòu)）一6.5kv（npt結(jié)構(gòu)），電流可達(dá)1.5ka,是較為理想的功率模塊。

江蘇芯鉆時代電子科技有限公司專注于igbt模塊價格,可控硅模塊批發(fā),江蘇芯鉆時代電子科技有限公司等

• 詞條

  詞條說明

• 整流橋原理

  ? ? ? 整流橋堆：整流橋堆一般用在全波整流電路中，它又分為全橋與半橋。? ? ? 全橋是由4只整流二極管按橋式全波整流電路的形式連接并封裝為一體構(gòu)成的，圖是其外形。? ? ? 全橋的正向電流有0.5A、1A、1.5A、2A、2.5A、3A、5A、10A、20A、35A、50A等多種規(guī)格，耐壓值(*高反向電

• 可控硅模塊批發(fā) 可控硅模塊的升溫3個方法

  可控硅模塊批發(fā) 可控硅模塊的升溫3個方法1.昆明二晶可控硅模塊環(huán)境溫度測量：溫度計放置在距被測硅模塊表面1.5m的溫度計中，溫度計測量點(diǎn)與減速器軸線的高度。溫度計的放置不受外部輻射熱和氣流的影響，環(huán)境溫度值和工作溫度值的讀取應(yīng)同時進(jìn)行。2.可控硅模塊的溫升按以下公式計算公式中:δt-可控硅模塊溫升，℃。3.可控硅模塊工作溫度測量：可控硅模塊溫升測量通常與減速器的承載能力和傳動效率測量同時進(jìn)行，也可

• 整流橋的作用

  ? ? ? ?整流橋通常帶有足夠大的電感性負(fù)載，因此整流橋不會出現(xiàn)電流斷續(xù)。整流橋負(fù)載端常接有平波電抗器，可將整流橋負(fù)載視為恒流源。整流橋的作用：1.可將交流發(fā)動機(jī)產(chǎn)生的交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟姡詫崿F(xiàn)向用電設(shè)備供電和向蓄電池進(jìn)行充電2.限制蓄電池電流倒轉(zhuǎn)回發(fā)動機(jī)，保護(hù)交流發(fā)動機(jī)不被燒壞。

• 可控硅模塊批發(fā) 如何處理可控硅模塊電流異?，F(xiàn)象

  可控硅模塊批發(fā) 如何處理可控硅模塊電流異常現(xiàn)象在實際應(yīng)用中，可控硅模塊中不一定總是有直流偏置電壓。非極性鉭電容器也可以制造，但價格昂貴，儲存后可能無法使用。如果兩個相同的可控硅模塊背靠背連接，則可以獲得非極性電容?？傠娙轂槊總€串聯(lián)電容的一半，即C/2。在連接電源的瞬間，萬用表的表針應(yīng)具有較大的擺動幅度。可控硅模塊的容量越大，表針的擺動幅度越大。擺動后，表針可逐漸返回到零位。如果可控硅模塊的指針在電