臺產(chǎn)STC4614 NP40V 10A可替代Si4567 AO4614A Si4599DY Si4564DY原廠庫存充足

時間：2020-01-05作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司瀏覽：559

STANSON 閩臺司坦森原廠直銷供貨，庫存充足，價格優(yōu)勢，質(zhì)量保證

STC4614可替代其它品牌：

STC4616替代AO4611、Si4567、AO4614A、UD606、UTM4052、UD4614、Si4599DY、Si4564DY、SN4066CSK、


STC4614產(chǎn)品介紹
STC4614是N和P溝道采用高密度增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管
DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對狀態(tài)的阻力
并提供優(yōu)越的開關(guān)性能。該裝置特別適合于低電壓應(yīng)用
如筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路，在高側(cè)
開關(guān)，低的在線功率損耗和電阻瞬態(tài)是必要的

STC4614 產(chǎn)品參數(shù)
N溝道
40V／10.0A，RDS（ON）= 25mΩ（典型值）
@ VGS = 10V
40V／6A，RDS（ON）= 32mΩ
@ VGS = 4.5V
P溝道

- 40V / -10.0a，RDS（上）= 37mΩ（典型值
@ VGS = - 10V
- 40V / -5.0a，RDS（上）= 43mΩ
@ VGS = - 4.5V
**高密度電池設(shè)計(jì)
較低的RDS（on）
特殊的阻力和大
直流電流的能力
SOP-8封裝








司坦森集成電路（深圳）有限公司專注于STP6621,STN4438等

• 詞條

  詞條說明

• STC6301D

  STC6301D是采用高電池密度的N+P雙溝道增強(qiáng)模式電場效應(yīng)晶體管mos戰(zhàn)壕技術(shù)。這種高密度的過程特別適合將狀態(tài)阻力降到低并提供優(yōu)越的切換性能。這種裝置特別適用于低壓應(yīng)用如電源管理，其中高側(cè)開關(guān)、低在線功率損耗和暫態(tài)電阻是被需要的。特征N溝道60v/8.00a,rd(上)=37mr@vgs=10v60v/5.0a,rd=28mω@vgs=4.5vP-溝道-60v/-5.0a,RDS=46mω@v

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• 閩臺STANSON廠家STC4614 規(guī)格參數(shù)NP40V 10A

  描述STC4614是N和P溝道采用高密度增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對狀態(tài)的阻力并提供優(yōu)越的開關(guān)性能。該裝置特別適合于低電壓應(yīng)用如筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路，在高側(cè)開關(guān)，低的在線功率損耗和電阻瞬態(tài)是必要的STC4614 參數(shù)：N溝道40V／10.0A，RDS（ON）= 25mΩ（典型值）@ VGS = 10V40V／6A，RDS