STN454D TO-252 N40V 10A 規(guī)格書 中文資料PDF

時(shí)間：2020-03-24作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司瀏覽：136

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• STN4828 N60V 10A STANSON 原廠替代Si4900、AO4828

  STANSON/司坦森原廠 STN4828替代Si4900、AO4828、STM6930、MDS5951、SM4041DSK、Si9945BDY、Si4946CDY描述STN4828是雙N溝道邏輯增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管是利用高密度，DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度的過(guò)程，特別是量身定制，以盡量減少對(duì)狀態(tài)的阻力。這些裝置特別適合于低電壓應(yīng)用，筆記本電腦電源管理和其他電池供電的電路，高側(cè)開關(guān)特征60V

• STANSON原廠現(xiàn)貨STP4435參數(shù)P30V 10A用于車燈 可替代Si9804、AO4419

  STP4435A替代Si9804、AO4419、AO4411、Si4425、Si4435、Si4431、AO4405E、AO4449、FDS8435、FDS4435、FDS6675、AO4405、Si4431CDY、SM4310PSK、SM4915PSK、AO4415、AO4459描述stp4435是P溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管邏輯它是利用高密度，DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度過(guò)程是特別定制，以

• STP4925 SOP-8 P30V 7.2A stanson廠家大量現(xiàn)貨

  描述stp4925是雙P溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管邏輯使用的是高密度，DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度過(guò)程是特別定制，以盡量減少對(duì)國(guó)家的阻力。這些器件特別適合于低電壓應(yīng)用，筆記本電腦電源管理，和其他電池供電的電路，高側(cè)開關(guān)特征-30V / -7.2a，RDS（上）= 20mΩ（典型值@ VGS = - 10V-30V / -5.6a，RDS（上）= 25mΩ@ VGS = 4.5v**高密度電池設(shè)計(jì)

• 臺(tái)產(chǎn)MOS管 STN4438 參數(shù)N60V 8.5A用于風(fēng)扇 原廠交貨快

  STN4438替代ME4436、Si4436DY、SM6029NSK描述stn4438是N溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管邏輯的采用高密度，DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度過(guò)程是特別定制，以盡量減少對(duì)國(guó)家的阻力。這些器件特別適合于低電壓應(yīng)用，如電源管理和其他高側(cè)開關(guān)的電池供電電路。特征60V / 8.2A，RDS（ON）= 25毫歐（典型值）@ VGS = 10V60V / 7.6A，RDS（ON）＝3