stasnon 原廠STC4606規(guī)格參數(shù)NP30V 6.5A大量現(xiàn)貨

    STANSONSTC4606可替代型號(hào):

    STC4606替代Si4532CDY、AO4606、NCE4606、AO4616、AO4624、FDS8958、WSP4620、SM9435PSK、GF6706A、AO4627、AO4629、UD4606、UP2790


    STC4606產(chǎn)品介紹:
    stc4606是N和P溝道采用高密度增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
    DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度的過(guò)程,特別是量身定制,以盡量減少對(duì)狀態(tài)的阻力
    并提供優(yōu)越的開關(guān)性能。該裝置特別適合于低電壓應(yīng)用
    如筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路,在高側(cè)
    開關(guān),低的在線功率損耗和電阻瞬態(tài)是必要的。

    STC4606 參數(shù):
    N溝道
    30V / 6.9a,RDS(ON)=30mΩ(典型值
    @ VGS = 10V
    30V / 6.0A,RDS(ON)= 46mΩ
    @ VGS = 4.5V
    P溝道
    - 30V / -6.0a,RDS(上)= 51mΩ(典型值
    @ VGS = - 10V
    - 30V / -5.0a,RDS(上)= 70mΩ
    @ VGS = - 4.5V
    **高密度電池設(shè)計(jì)
    較低的RDS(on)
    特殊的阻力和較大
    直流電流的能力

    SOP-8封裝



    司坦森集成電路(深圳)有限公司專注于STP6621,STN4438等

  • 詞條

    詞條說(shuō)明

  • STANSON STC6614 可替代Si4559A SM6041SCK NCE603S

    STC6614替代Si4559ADY、SM6041SCK描述stc6614是N和P溝道采用高密度增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度的過(guò)程,特別是量身定制,以盡量減少對(duì)狀態(tài)的阻力并提供優(yōu)越的開關(guān)性能。該裝置特別適合于低電壓應(yīng)用如筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路,在高側(cè)開關(guān),低的在線功率損耗和電阻瞬態(tài)是必要的。特征N溝道60V /幅,RDS(ON)= 35mΩ(典型值)@ VG

  • STANSON品牌STC6614 雙溝道NP60V 7A應(yīng)用于風(fēng)扇

    STC6614替代Si4559ADY、SM6041SCK產(chǎn)品描述STC6614是N和P溝道采用高密度增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度的過(guò)程,特別是量身定制,以盡量減少對(duì)狀態(tài)的阻力,并提供優(yōu)越的開關(guān)性能.該裝置特別適合于低電壓應(yīng)用如筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路,在高側(cè)開關(guān),低的在線功率損耗和電阻瞬態(tài)是必要的。參數(shù)N溝道60V /10A,RDS(ON)= 35mΩ(典型值

  • STANSON原廠STP9527規(guī)格 P40V 10A 40mΩ SOP-8應(yīng)用于汽車燈按摩器主板

    STP9527替代AO4443、AO4485、Si4447ADY描述stp9527是P溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管邏輯的采用高密度,DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于較小化狀態(tài)電阻。這些器件特別適合于低電壓應(yīng)用,noteook電源管理和**電池供電的電路中的高側(cè)開關(guān)。特征- 40V / -10.0a,RDS(上)= 32ma(典型值)@ VGS = -10V- 40V / -8.0a,R

  • 細(xì)說(shuō)MOS管(二)

    從上文《細(xì)說(shuō)MOS管(一)》的內(nèi)容,大家已經(jīng)初步了解什么是MOS管,還有就是MOS的基本構(gòu)造,今天小編繼續(xù)帶領(lǐng)大家深入了解MOS管的構(gòu)造原理以及應(yīng)用領(lǐng)域,j今天我們來(lái)繼續(xù)深入了借MOS管,基于《細(xì)說(shuō)MOS管一》的基礎(chǔ)上,首先我們可以看看MOS管的構(gòu)造圖:結(jié)合上圖和之前的知識(shí)點(diǎn),我們將MOS管的知識(shí)劃分成九個(gè)問(wèn)題分類點(diǎn)來(lái)進(jìn)行深入了解(如果還沒(méi)看過(guò)細(xì)說(shuō)MOS管一的話,先可以點(diǎn)擊鏈接入口《細(xì)說(shuō)MOS管一

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