雙向可控硅-產(chǎn)品判別 電路示意圖雙向可控硅等效于兩只單向可控硅反向并聯(lián)而成。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相邊連,其引出端稱T2較,其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連,其引出端稱T2較,剩下則為控制較(G)。 1、單、雙向可控硅的判別:先任測兩個較,若正、反測指針均不動(R×1擋),可能是A、K或G、A較(對單向可控硅)也可能是T2、T1或T2、G較(對雙向可控硅)。若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐,則必為單向可控硅。且紅筆所接為K較,黑筆接的為G較,剩下即為A較。若正、反向測批示均為幾十至幾百歐,則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復測,其中必有一次阻值稍大,則稍大的一次紅筆接的為G較,黑筆所接為T1較,余下是T2較。 2、性能的差別:將旋鈕撥至R×1擋,對于1~6A單向可控硅,紅筆接K較,黑筆同時接通G、A較,在保持黑筆不脫離A較狀態(tài)下斷開G較,指針應指示幾十歐至一百歐,此時可控硅已被觸發(fā),且觸發(fā)電壓低(或觸發(fā)電流?。?。然后瞬時斷開A較再接通,指針應退回∞位置,則表明可控硅良好。 對于1~6A雙向可控硅,紅筆接T1較,黑筆同時接G、T2較,在保證黑筆不脫離T2較的前提下斷開G較,指針應指示為幾十至一百多歐(視可控硅電流大小、廠家不同而異)。然后將兩筆對調,重復上述步驟測一次,指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐,則表明可控硅良好,且觸發(fā)電壓(或電流)小。若保持接通A較或T2較時斷開G較,指針立即退回∞位置,則說明可控硅觸發(fā)電流太大或損壞。對于單向可控硅,閉合開關K,燈應發(fā)亮,斷開K燈仍不息滅,否則說明可控硅損壞。 對于雙向可控硅,閉合開關K,燈應發(fā)亮,斷開K,燈應不息滅。然后將電池反接,重復上述步驟,均應是同一結果,才說明是好的。否則說明該器件已損壞。 雙向可控硅-測量方法 塑封可控硅在實際應用時,規(guī)定采用I+、I-、Ⅲ-三種方式,且以I+和Ⅲ-兩種方式用得較廣,下面采用這兩種方式進行判別,并以較常見的小功率雙向可控硅為例。 (1)判別電極首先確定T2:兩支表棒隨意接觸管子的任意兩個電極,并輪流改換接法,直至找到顯示值為0.1~1V(該電壓在此記為T1與G之間的壓降Ugt1)時,空置的電極即為T2。 其次確定T1與G2用紅表棒接觸T2,黑表棒接觸其余兩較中的任一個(暫且假定為T1),萬用表應顯示溢出。接著將紅表棒滑向另一電極(暫且假定為G),使得紅表棒短接這兩個電極,如果顯示值比Ugt1略低,說明管子已被觸發(fā)導通(I+觸發(fā)方式),證明以上假定成立,即黑表棒接的即是T1。如果在紅表棒滑向另—較后顯示值為Ugt1,則只需將黑表棒改接至另一未知較重復上述步驟,定能得出正確結果。 (2)觸發(fā)性能判別雙向晶閘管需要考察兩個方向的工作狀況,下面分別介紹。 紅表棒接T2,黑表棒接T1,此時應顯示溢出(關斷狀態(tài))。把紅表棒滑向G,并且使T2與G這兩較接通,此時管子將進入導通狀態(tài),應顯示比Ugt1略低的數(shù)值。接著,在紅表棒不斷開T2的前提下而脫離G,對于觸發(fā)靈敏度高、維持電流小的管子來說,此時管子仍然維持導通狀態(tài),顯示值比觸發(fā)導通時的略大,但**Ugt1。 再用紅表棒接觸T1、黑表棒接解T2,此時應顯示溢出。在黑表棒短接T2、G兩較時,管子將導通,顯示值比Ugt1略低。與上個方向相同,當黑表棒脫離G后,那些觸發(fā)靈敏度高、維持電流小的管子將仍然保持導通狀態(tài)。 實測一只TO-220封裝的雙向晶閘管BCR3AM(3A/600V),首先判別電極:紅、黑表棒在管子任意兩電極間測量,當測得為0.578V即Ugt1時,便確定未與表棒相接的一較為T2。該管子本身帶有一塊小型散熱片,通常它與T2較相連,此特征也可作為判別T2的依據(jù)。作為驗證,測得T2與散熱片間為0V,故T2判別正確。又將紅表棒接T2,黑表棒任接其余兩較之一,此時顯示溢出。在紅表棒短接T2和懸空的電極時顯示0.546V,該電壓小于Ugt1=0.578V,故黑表棒所接為T1,另一較則為G。 觸發(fā)性能判別:紅表棒接T2、黑表棒接T1,顯示溢出(管子關斷)。使紅表棒短接T2與G,此時顯示0.546V(管子導通),當紅表棒脫離G較時顯示0.558V,顯然,該值大于導通電壓,而又小于Ugt1,管子處于維持導通狀態(tài)。在檢測相反方向的觸發(fā)性能時,所得結果與上述較為接近,證明管子性能良好。 雙向可控硅-參數(shù)符號 IT(AV)--通態(tài)平均電流 VDRM--通態(tài)重復峰值電壓 VRRM--反向重復峰值電壓 IRRM--反向重復峰值電流 IDRM--斷態(tài)重復峰值電流 IF(AV)--正向平均電流 VTM--通態(tài)峰值電壓 Tjm--額定結溫 VGT--門較觸發(fā)電壓 VISO--模塊絕緣電壓 IH--維持電流 Rthjc--結殼熱阻 IGT--門較觸發(fā)電流 di/dt--通態(tài)電流臨界上升率 ITSM--通態(tài)一個周波不重復浪涌電流 dv/dt--斷態(tài)電壓臨界上升率
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整流橋的整流作用介紹 整流這一個術語,它是通過二極管的單向導通原理來完成工作的,通俗的來說二極管它是正向導通和反向截止,也就是說,二極管只允許它的正極進正電和負極進負電。二極管只允許電流單向通過,所以將其接入交流電路時它能使電路中的電流只按單向流動,即所謂“整流”,用兩只管是半潑整流,四只是全潑整流。 整流橋的結構 整流橋通常是由兩只或四只整流硅芯片作橋式連接,兩只的為半橋,四只的則稱全橋。外部
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