**封測(cè)產(chǎn)業(yè)景氣在歷經(jīng)金融海嘯沖擊后,產(chǎn)值于2007年見(jiàn)到473.4億美元高點(diǎn),隨即出現(xiàn)連續(xù)2年衰退,并于2009年見(jiàn)到380.3億美元低點(diǎn)。
2010年在**景氣自谷底快速?gòu)?fù)蘇帶動(dòng)下,加上包括智慧型手機(jī)、平板電腦(TabletPC)等可攜式電子產(chǎn)品出貨量的大幅成長(zhǎng),亦帶動(dòng)**封測(cè)產(chǎn)業(yè)景氣亦出現(xiàn)2位數(shù)百分點(diǎn)的大幅成長(zhǎng),產(chǎn)值達(dá)470.7億美元,年成長(zhǎng)率達(dá)23.8%。
然而自2010年下半,導(dǎo)因于美債問(wèn)題懸而未決影響,**景氣成長(zhǎng)動(dòng)能明顯趨緩,加上2011年天災(zāi)人禍不斷,先有日本東北于3月11日發(fā)生芮氏規(guī)模9.0級(jí)強(qiáng)震,使得***2大消費(fèi)國(guó)的日本GDP年成長(zhǎng)率出現(xiàn)0.7%衰退,2011年7月較在歐債問(wèn)題惡化影響下,**景氣能見(jiàn)度明顯下降,終端需求成長(zhǎng)力道亦隨之減弱,11月泰國(guó)發(fā)生水患,不僅重創(chuàng)泰國(guó)經(jīng)濟(jì),亦讓硬碟機(jī)供應(yīng)鏈缺貨疑慮升高,進(jìn)而影響PC相關(guān)半導(dǎo)體出貨狀況。
在種種天災(zāi)人禍影響下,亦讓2011年**封測(cè)產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值僅達(dá)483.8億美元,年成長(zhǎng)率2.8%,成長(zhǎng)動(dòng)能不如預(yù)期。
展望2012年,在**景氣趨向樂(lè)觀并逐季改善的預(yù)期,加上主要半導(dǎo)體廠商連續(xù)3季打消庫(kù)存的策略下,存貨金額居高不下的疑慮亦漸消去,*2季后半回補(bǔ)庫(kù)存需求亦會(huì)開(kāi)始升溫。
從終端需求市場(chǎng)觀察,智慧型手機(jī)、平板電腦等可攜式電子產(chǎn)品出貨量仍將**會(huì)大幅成長(zhǎng),加上PC部門(mén)下半年出貨量亦將**會(huì)出現(xiàn)較上半年出現(xiàn)接近20%成長(zhǎng)的帶動(dòng)下,DIGITIMES預(yù)估,2012年**半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣將會(huì)出現(xiàn)5%成長(zhǎng),而封測(cè)產(chǎn)業(yè)則在產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)充,代工價(jià)格持平的預(yù)期下,表現(xiàn)****半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)平均。
2004~2011年**封測(cè)產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值變化
詞條
詞條說(shuō)明
2012年半導(dǎo)體芯片市場(chǎng)增長(zhǎng)預(yù)測(cè)或下調(diào)
倫敦消息:根據(jù)市場(chǎng)研究公司Future Horizons Ltd. (Sevenoaks, England)消息,2012年,**半導(dǎo)體市場(chǎng)將增長(zhǎng)4%。 該分析公司CEO Malcolm Penn表示,由于歐洲危機(jī)繼續(xù)等宏觀經(jīng)濟(jì)的影響導(dǎo)致經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇周期延長(zhǎng),所以他下調(diào)先前8%的增長(zhǎng)預(yù)測(cè)。但是,Malcolm Penn表示,2013年和2014年,市場(chǎng)將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的增長(zhǎng),分別至15.6%和16.0%。
據(jù)預(yù)測(cè),今年半導(dǎo)體管座用硅出廠量將維持去年同等水平。 **半導(dǎo)體裝備材料協(xié)會(huì)(SEMI)10月11日預(yù)測(cè),今年**半導(dǎo)體用硅出廠量將為89億100萬(wàn)平方英寸(in2),同比去年出廠量(88億1300萬(wàn)in2)增長(zhǎng)了1%。 半導(dǎo)體管座**材料——硅出廠量自2010年刷新了歷史較高紀(jì)錄后(91億2100萬(wàn)平方英寸)去年呈現(xiàn)了小幅下降,預(yù)計(jì)今年也無(wú)望呈大幅增長(zhǎng)。 SEMI社長(zhǎng)表示,雖然經(jīng)濟(jì)不確定性不斷增
凱高達(dá)科技新品上市,在國(guó)慶之后推出一款大絕緣封裝的產(chǎn)品——ITO-247封裝,內(nèi)部采用**的陶瓷絕緣,同外部散熱底板完全絕緣,絕緣耐壓等級(jí)達(dá)4KV以上。可提供75A、90A、110A、130A的單向可控硅,60A、80A、100A的雙向可控硅。 絕緣型高壓?jiǎn)蜗蚩煽毓瑁?GSA75-1800,75A/1800V GSA90-1800,90A/1800V GSA110-1800,110A/1800V
3D工藝成為半導(dǎo)體微細(xì)加工技術(shù)到達(dá)物理極限之后的必然趨勢(shì)
3D已經(jīng)成為半導(dǎo)體微細(xì)加工技術(shù)到達(dá)物理極限之后的必然趨勢(shì),目前正處于3D工藝的探索期。在這一過(guò)程中,以及今后在實(shí)現(xiàn)3D工藝的發(fā)展趨勢(shì)中,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展模式到底如何演義,會(huì)不會(huì)成為Fabless+Foundry這種發(fā)展模式的終結(jié)?可能較有發(fā)言權(quán)的還是那些身處產(chǎn)業(yè)*的*公司的高管們。 不過(guò),我們可以從對(duì)宏觀數(shù)據(jù)的分析中獲得對(duì)大趨勢(shì)判斷的一些基本方法。如果在今后的銷(xiāo)售額統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)中,以Intel為代表
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