電子元器件可靠性試驗

時間：2020-07-09作者：深圳市訊科標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)服務(wù)有限公司瀏覽：113

一、可靠性評價

 

電子元器件的可靠性評價是指對電子元器件產(chǎn)品、半成品或模擬樣片(各種測試結(jié)構(gòu)圖形),通過各種可靠性評價方法，如可靠性試驗、加速壽命試驗和評價技術(shù)等，并運用數(shù)理統(tǒng)計工具和有關(guān)模擬仿真軟件來評定其壽命、失效率或可靠性質(zhì)量等級。同時，利用可靠性篩選技術(shù)來評價產(chǎn)品是否合格，剔除早期失效的不合格品。

 

隨著電子元器件可靠性的要求不斷提高，電子元器件向**微型化、高集成化、多功能化方向較加迅猛的發(fā)展，對器件的可靠性評價技術(shù)日益為人們所關(guān)注。近年來，在這方面也相繼**了很多好的進展。以集成電路為例，如果沿用傳統(tǒng)的可靠性試驗來評價產(chǎn)品可靠性，對于集成度高、生產(chǎn)數(shù)量少、試驗費用昂貴的器件產(chǎn)品，普遍感到有很大的困難。有的生產(chǎn)單位，開始采用加速壽命試驗方法，可以縮短一些評價時間。后來，又采用晶片級可靠性 (WLR) 評估技術(shù)，在生產(chǎn)過程中或封裝前用測試結(jié)構(gòu)樣片進行可靠性評估，加強了生產(chǎn)過程的控制,使影響器件可靠性的各種因素在生產(chǎn)過程中得到了及時的排除和改進。較近，又開展了在研制設(shè)計階段就開始針對產(chǎn)品可能存在的失效模式，在線路設(shè)計、版圖設(shè)計、工藝設(shè)計和封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計中進行可靠性設(shè)計，同時加強在線的可靠性質(zhì)量控制，使可靠性評價技術(shù)逐漸由“輸出”控制(成品控制)前移到了“輸入”端的設(shè)計控制、生產(chǎn)過程控制，逐步建立了內(nèi)建可靠性的概念，進一步實現(xiàn)了電子元器件的可靠性是“設(shè)計和制造進去，而不是靠篩選出來的”觀念。

 

二、可靠性評價技術(shù)的進展

 

以集成電路可靠性評價技術(shù)為例。它在原有的可靠性試驗、可靠性篩選、加速壽命試驗等評價技術(shù)的基礎(chǔ)上，又發(fā)展了晶片級可靠性評價方法、微電子測試結(jié)構(gòu)評價方法、結(jié)構(gòu)工藝質(zhì)量認(rèn)證評價方法、敏感參數(shù)評價方法、計算機輔助可靠性評價方法等。這些評價方法與傳統(tǒng)方法相比，都有節(jié)省試驗樣品、縮短試驗時間、減少試驗費用的特點，都是為了適應(yīng)當(dāng)今**大規(guī)模集成電路的發(fā)展而出現(xiàn)的評價方法，各自都具有很強的發(fā)展?jié)摿ΑＯ旅鎸@些評價方法做些簡要的介紹。

 

1、晶片級可靠性評價方法

 

由于芯片中元器件數(shù)目大幅度增加，在可靠性試驗中難于將應(yīng)力均勻地加到每個元器件上，使得可靠性試驗的評價方法感到了一定困難。由于芯片集成密度提高，伴隨而來的縱向和橫向幾何尺寸的微細化，也給失效機理的分析和失效部位的確定帶來困難。這些都增加了根據(jù)失效模式進行可靠性評價的難度。為此，目前在**上對于規(guī)模比較大的集成電路的可靠性評價的主要工作放在封裝成品前進行。這種方法稱之為晶片級可靠性(WLR)評價方法。

 

WLR評價方法是在芯片生產(chǎn)過程中，通過工藝監(jiān)測，對與主要失效模式有關(guān)的內(nèi)容進行評價。如由芯片上的Si-SiO2采集到氧化層中載流子陷阱密度、界面態(tài)密度、可動電荷和固定電荷密度、針孔密度、氮化硅中氧含量等監(jiān)測數(shù)據(jù)。利用這些數(shù)據(jù)來評價集成電路抗熱電子效應(yīng)能力和與時間有關(guān)的擊穿（TDDB）的可靠性。由芯片上金屬化層在熱電應(yīng)力作用下的監(jiān)測數(shù)據(jù)，用來評價集成電路金屬互連系統(tǒng)的可靠性。類似方法可用于芯片上對抗靜電、抗電浪涌能力的評價、對CMOS芯片的抗閂鎖能力評價等。

 

晶片級可靠性評價方法就是根據(jù)主要失效模式，設(shè)定芯片階段的監(jiān)測內(nèi)容，從監(jiān)測到的數(shù)據(jù)來評價集成電路的可靠性。由于這種方法是在生產(chǎn)過程中結(jié)合工藝監(jiān)測進行的，所以它能夠提供反饋，及時對影響可靠性的因素采取有效的改進措施，也有利于縮短產(chǎn)品可靠性增長的時間。不足之處是它不能反應(yīng)和解決引線封裝對集成電路可靠性帶來的影響。

 

2、微電子測試結(jié)構(gòu)可靠性評價的方法

 

多年來微電子測試結(jié)構(gòu)已廣泛用于集成電路生產(chǎn)中作為工藝監(jiān)測手段。隨著可靠性評價技術(shù)的發(fā)展，微電子測試結(jié)構(gòu)已被用于集成電路的可靠性評價。它可用于產(chǎn)品的研制階段，對可靠性設(shè)計進行評審；也可用于生產(chǎn)階段，對產(chǎn)品進行可靠性評價。它針對不同器件的主要失效模式，結(jié)合結(jié)構(gòu)及工藝特點，設(shè)計出不同的可測試的微電子結(jié)構(gòu)圖形。也可以針對**大規(guī)模集成電路（VLS1）中所有可靠性薄弱環(huán)節(jié)的單元電路來設(shè)計出微電子測試結(jié)構(gòu)。

 

這些測試結(jié)構(gòu)圖形，既可以在工藝過程中進行測試，也可以單獨封裝，施加各種應(yīng)力做各種可靠性試驗。根據(jù)這些測試數(shù)據(jù)以及這種結(jié)構(gòu)與VLSI具體結(jié)構(gòu)的關(guān)系得出VLSI的可靠性評價。

 

3、結(jié)構(gòu)工藝質(zhì)量認(rèn)證可靠性評價方法

 

美國、日本等國家開始研究通過對生產(chǎn)集成電路的生產(chǎn)線進行結(jié)構(gòu)工藝質(zhì)量認(rèn)證，來評價器件的可靠性。對生產(chǎn)線進行認(rèn)證或論證的內(nèi)容有：①針對生產(chǎn)器件的主要失效模式和機理，對器件的幾何結(jié)構(gòu)和材料結(jié)構(gòu)進行可靠性論證；②對生產(chǎn)線工藝設(shè)備的可控能力、監(jiān)測設(shè)備的配套程度和監(jiān)測精度、人員技術(shù)水平和可靠性意識進行認(rèn)證；③對各項工藝質(zhì)量參數(shù)和工藝質(zhì)量一致性進行認(rèn)證；④對可靠性管理進行認(rèn)證。

 

凡是認(rèn)證水平達到某一可靠性技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)要求，在這一生產(chǎn)線上生產(chǎn)的集成電路產(chǎn)品即達到了某一可靠性水平。這正是美國*部將原來使用的認(rèn)證合格器件清單（QPL）發(fā)展為認(rèn)證合格器件生產(chǎn)廠家清單（QML）所遵循的思想。這說明在美國，這一評價方法已在一定程度上進入了實用階段。

 

4、敏感參數(shù)可靠性評價方法

 

人們在長期可靠性實踐中發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體器件的某些參數(shù)與它本身的可靠性有很強的相關(guān)性。通過測定這些參數(shù)可以評估器件的可靠性水平。這些參數(shù)稱之為可靠性的敏感參數(shù)。如器件的低頻噪聲、雙較型晶體管小電流下的電流放大系數(shù)和pn結(jié)的反向漏電流等都與器件的可靠性有明顯的相關(guān)性。所以，**的可靠性工作者都在努力研究如何利用這些敏感參數(shù)來評估器件的可靠性或提高其評估精度。

 

以低頻噪聲為例，它與雙較型晶體管的hFE、MOSFET在負溫偏下的跨導(dǎo)退化和閾值電壓漂移有相關(guān)性。當(dāng)這些漂移失效成為器件的主要失效模式時，通過測定器件初始的低頻噪聲就可以評估出這些器件的可靠性。低頻噪聲(1/f噪聲)的大小反映了器件表面、界面結(jié)構(gòu)的完整程度，噪聲越大，說明結(jié)構(gòu)越不完整。器件的低頻噪聲來源于表面勢的起伏，表面勢的起伏是由于氧化層界面陷阱中電荷漲落引起的，界面陷阱密度越大，反映了界面缺陷越多，表面結(jié)構(gòu)越不完整，低頻噪聲越大。表面缺陷在器件工作時會導(dǎo)致器件性能的劣化，其中較明顯的就是器件參數(shù)的漂移。這就是用低頻噪聲作為敏感參數(shù)，評估器件可靠性的理論依據(jù)。

 

用敏感參數(shù)來評價電子元器件可靠性的較大優(yōu)點是省時、經(jīng)濟、非破壞性，所以引起了可靠性工作者的較大興趣。但是這種方法還不完全成熟，仍有一定的局限性，有待不斷探索更多的敏感參數(shù)、較有效的評估方法和不斷提高其評估精度。

 

5、計算機輔助可靠性評價方法

 

隨著集成電路功能、結(jié)構(gòu)的日益復(fù)雜，影響集成電路可靠性的因素也日趨復(fù)雜，要準(zhǔn)確地評價集成電路的可靠性勢必要依賴于精確的可靠性物理分析，建立復(fù)雜的數(shù)學(xué)模型，再經(jīng)過大量的數(shù)據(jù)處理。這些工作只有依靠計算機才能完成。所以，利用計算機進行可靠性評價是今后集成電路可靠性評價的必由之路。

 

計算機輔助可靠性評價工作由以下幾部分組成：

（1）計算機可靠性采集系統(tǒng)：能、精確地從集成電路上采集可靠性評價所需要的各種數(shù)據(jù)，如氧化層中各種電荷密度、器件可靠性的敏感參數(shù)、在一定應(yīng)力下熱載流子的俘獲速率，接觸電阻在熱應(yīng)力下的變化率、金屬化互連系統(tǒng)的徙動速率等；

（2）單一失效模式模擬器：把集成電路的結(jié)構(gòu)、工藝參數(shù)和承受應(yīng)力條件輸入模擬器就能給出具有這種失效模式的集成電路的壽命值；

（3）工藝模擬器：用于輸入工藝條件、輸出工藝結(jié)構(gòu)參數(shù)；

（4）器件模擬器：用于輸入工藝結(jié)構(gòu)參數(shù)、輸出器件參數(shù)；

（5）電路模擬器：用于輸入器件參數(shù)、輸出電路參數(shù)；

（6）組裝可靠性評價軟件包。

 

可靠性評價所用模擬軟件的關(guān)鍵是模擬的精度。它取決于可靠性物理模型的正確性、數(shù)據(jù)采集硬件的精度、可靠性數(shù)學(xué)模型的精度等。




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