三星晶片不良晶片大量處理

時(shí)間：2023-03-20作者：龐博電子有限公司（中國(guó)香港）瀏覽：44

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不良晶片




不良晶片

跳躍閉鎖繼電器線圈的電壓。跳躍閉鎖繼電器的電流線圈中的電壓降應(yīng)校驗(yàn)操作回路額定電壓的5%，電壓線圈動(dòng)作值不大于操作回路額定直流電壓的70%，保證操作直流電源在規(guī)定范圍內(nèi)波動(dòng)時(shí)，TBJ可靠動(dòng)作，同時(shí)TBJ電壓動(dòng)作值應(yīng)不小于操作回路額定直流電壓的50%，以保證操作回路直流電源接地時(shí)，保護(hù)不會(huì)誤動(dòng)作。這也是TBJ電氣檢驗(yàn)中必須要檢驗(yàn)的一個(gè)項(xiàng)目之一。跳躍閉鎖繼電器絕緣性能。跳躍閉鎖繼電器的電流線圈無(wú)電氣聯(lián)系的各導(dǎo)電部分之間，能承受工頻2000V電壓，時(shí)間為1分鐘，所有導(dǎo)電部分對(duì)安裝架之間，能承受工頻2000V電壓，時(shí)間1分鐘。
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