骨架晶圓不良芯片國內(nèi)回收

時間：2023-03-16作者：龐博電子有限公司（中國香港）瀏覽：26

骨架晶圓不良芯片國內(nèi)回收不良芯片

不良芯片




不良芯片

MOS管型防反接保護(hù)電路利用了MOS管的開關(guān)特性，控制電路的導(dǎo)通和斷開來設(shè)計防反接保護(hù)電路，由于功率MOS管的內(nèi)阻很小，現(xiàn)在MOSFETRds（on）已經(jīng)能夠做到毫歐級，解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過大的問題。極性反接保護(hù)將保護(hù)用場效應(yīng)管與被保護(hù)電路串聯(lián)連接。一旦被保護(hù)電路的電源極性反接，保護(hù)用場效應(yīng)管會形成斷路，防止電流燒毀電路中的場效應(yīng)管元件，保護(hù)整體電路。N溝道MOS管防反接保護(hù)電路電路如示N溝道MOS管通過S管腳和D管腳串接于電源和負(fù)載之間，電阻R1為MOS管提供電壓偏置，利用MOS管的開關(guān)特性控制電路的導(dǎo)通和斷開，從而防止電源反接給負(fù)載帶來損壞。
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