報(bào)廢晶片chipwafer芯片回收

時(shí)間：2023-11-01作者：龐博電子有限公司（中國香港）瀏覽：16

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2控制電纜應(yīng)經(jīng)受交流3000V試驗(yàn)電壓5min不擊穿。3架空絕緣電纜0.6/1kV單芯電纜浸水1h后經(jīng)受交流3500V試驗(yàn)電壓1min不擊穿。10kV單芯電纜浸水1h后經(jīng)受交流18000V試驗(yàn)電壓1min不擊穿。局部放電試驗(yàn)額定電壓6/6(6/10)、8.7/10(8.7/15)、26/35(26/45)kV交聯(lián)聚絕緣電力電纜的局部放電試驗(yàn)電壓按標(biāo)準(zhǔn)IEC60502和IEC60840從1.5U0提高到1.73U0電壓下，局部放電量不**過10PC。
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