等離子處理器使用哪些常見氣體作為清理介質(zhì)？

時(shí)間：2023-03-07作者：深圳子柒科技有限公司瀏覽：106

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  詞條說明

• 電漿清洗機(jī)氫去除SiC表面污染物C和O

  SiC該材料是三代半導(dǎo)體材質(zhì)，具有高臨界擊穿電場(chǎng)、高導(dǎo)熱性、高載流子飽和漂移速度等特點(diǎn)。它是**半導(dǎo)體功率器件的*方向，在高壓、高溫、高頻、抗輻射半導(dǎo)體器件低損耗的優(yōu)良性能，是**半導(dǎo)體功率器件的*。? ? ? ??但經(jīng)傳統(tǒng)濕法處理后的SiC表面存在著殘留有C雜質(zhì)和表面容易被氧化等缺點(diǎn)，使得在SiC上不容易形成優(yōu)良的歐姆接觸和低界面態(tài)的MOS結(jié)

• plasma設(shè)備表面聚合同樣是非常普遍的反應(yīng)其一

  沉積層的存在有利于提高材料表面的黏結(jié)能力。在plasma設(shè)備對(duì)難粘塑料進(jìn)行處理時(shí)，往往伴隨聚合、蝕刻、活化等形式會(huì)同時(shí)出現(xiàn)。? ? ? ?當(dāng)材料表面有很高的光潔度要求時(shí)，要通過表面活化進(jìn)行鍍膜，沉積，粘接等不至于破壞材料表面光潔度時(shí)，采用plasma設(shè)備進(jìn)行活化。經(jīng)等離子活化后的材料表面水滴浸潤(rùn)效果顯著強(qiáng)于其它解決的方法。我們用plasma設(shè)備來做手機(jī)屏的清

• 工程產(chǎn)品冶金涂層氮?dú)獾入x子表面處理方法

  冶金涂層方法用于各種工程產(chǎn)品中，以提高它們的抗蝕性，耐磨性，疲勞強(qiáng)度和表面硬度。涂覆的方法有二種，一種是在工件表面上附著一層物質(zhì)；另一種是從工件表面向里形成一層不同物質(zhì)的擴(kuò)散層，該層具有可以測(cè)定的濃度梯度，而且和工件的近表面成為一體。這兩種涂層也可以同時(shí)存在。例如，目前對(duì)高載工件一般是先形成硬的氮化物擴(kuò)散層，用它來可靠地支持較硬的TiN附著層。許多這樣的冶金涂層正在用物相沉積(PVD)和化學(xué)氣相沉

• 等離子體CMOS工藝中應(yīng)用于集成電路制造中WAT方法研究

  WAT(Wafer Accept Test)即硅圓片接收測(cè)試，就是在半導(dǎo)體硅片完成所有的制程工藝后，對(duì)硅圓片上的各種測(cè)試結(jié)構(gòu)進(jìn)行電性測(cè)試，它是反映產(chǎn)品質(zhì)量的一種手段，是產(chǎn)品入庫前進(jìn)行的一道質(zhì)量檢驗(yàn)。? ? ? ??伴隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，等離子體工藝已廣泛應(yīng)用于集成電路制造中，離子注入、干法刻蝕、干法去膠、UV輻射、薄膜淀積等都可能會(huì)引入等離子體損