固態(tài)硬盤壽命有多長 固態(tài)硬盤壽命介紹【圖文】

      如今,市面上消費級SSD基本上都是采用TLC閃存,經(jīng)過幾年技術(shù)發(fā)展,TLC閃存越來越成熟,正逐漸取代MLC成為主流,但它的取代者QLC悄然來襲,QLC閃存真的適合用在SSD上嗎?固態(tài)硬盤壽命有多長 呢?下面我們就來聊一聊QLC閃存,以及大家擔(dān)心的固態(tài)硬盤寫入壽命的問題。

      一、閃存的類型

      閃存芯片中,除了我們耳熟能祥的SLC、MLC、TLC以外,還有一種叫QLC閃存芯片。

      SLC = Single-Level Cell ,即1bit/cell,其結(jié)構(gòu)簡單但是執(zhí)行效率高,較大的特點就是速度快,壽命長,價格**貴(約MLC 3倍以上的價格),約10萬次擦寫壽命。

      MLC = Multi-Level Cell,即2bit/cell,其有00,01,10,11四個充電值。因此,要比SLC需要更多的訪問時間。其較大特點就是速度中等,壽命中等,價格比SLC便宜,約3000---10000次擦寫壽命。

      TLC = Trinary-Level Cell,即3bit/cell,每個單元可以存放比MLC多1/2的數(shù)據(jù),共八個充電值,111、110、101、011、010、001、000。較大特點就是速度慢壽命短,約500-1000次擦寫壽命,但價格是三者較低的。

      QLC = Quad-Level Cell,我們知道,TLC閃存是每個Cell單元存儲3位電荷,有8種狀態(tài),QLC閃存則是存儲4位電荷,有16種狀態(tài)。這意味著QLC閃存單位存儲密度較大,是TLC的2倍,單顆芯片可達到256GB甚至512GB。但是,也因如此,QLC閃存的電壓較難控制,寫入速度較低,可靠、穩(wěn)定性及壽命比TLC較差。

      二、固態(tài)硬盤怎么存儲?

      同機械硬盤原理區(qū)別很大,固態(tài)硬盤是用NAND Flash來存儲數(shù)據(jù)。NAND Flash在物理結(jié)構(gòu)上是由一個一個的“塊”組成。每個塊都有一定的擦除壽命(P/E),當(dāng)擦除壽命達到時,這個塊就會損壞了。不知道大家注意沒有,現(xiàn)在的固態(tài)硬盤和機械硬盤不同,容量都是120GB、240GB、480GB、960GB,而不是我們通常理解的128GB、256GB、512GB、960GB。近似規(guī)格的容量,其實都是用來校驗數(shù)據(jù)和備份冗余這些“塊”的。

      理論上,TLC閃存是為了能夠支持100TB級別的固態(tài)硬盤而設(shè)計出來的閃存結(jié)構(gòu)(密度大),當(dāng)然,這僅僅是理論支持而已,成本上依然不能讓普通用戶接受。所以存儲密度較大的QLC出現(xiàn),就是進一步加強固態(tài)硬盤容量的技術(shù)變革。小編預(yù)測QLC閃存的固態(tài)硬盤推出時,將是真正TB(960GB)級別固態(tài)硬盤走向普及的第一步(當(dāng)然不要幻想和機械硬盤同量同價哦)。而且在**大容量面前,寫入次數(shù)少的問題也可以依靠更多的冗余來彌補,較何況擦除壽命這個事兒,本身就沒什么可擔(dān)心的。

      三、固態(tài)硬盤能寫多少?

      根據(jù)NAND Flash的類型不同,擦除壽命P/E也不相同,目前存在的NAND Flash分為SLC、MLC、TLC三種類型,加上即將出現(xiàn)的QLC一共是四種。三種類型的閃存P/E分別為SLC 5000~10000次,MLC 1000~3000次,TLC 500~1000次。QLC有多少呢?根據(jù)現(xiàn)在的說法,QLC結(jié)構(gòu)的閃存P/E只有150次。150次那不是完全不能用嗎?別擔(dān)心,技術(shù)在進步,這只是初期的技術(shù)驗證產(chǎn)物,后續(xù)肯定會改良。別忘了TLC剛剛上市的時候,P/E不過500次而已。

      在這里,小編還要給大家解除一個誤區(qū),很多人說寫入次數(shù)太少了肯定壽命短,但是這個長短的概念可真不是單純字面理解的1000次、3000次什么的。舉個實際點的例子吧,小編的120GB固態(tài)硬盤是TLC的,按照1000次的P/E寫入次數(shù)計算,這塊硬盤的寫入總量應(yīng)該是120×1000=120000GB,如果是每天寫滿120GB,那么它的壽命理論是2.7年。是不是感覺很少呢?

      這就是問題所在,說說結(jié)果吧,從今年1月3日開始使用這塊固態(tài)硬盤,目前為止接近半年時間(180天)總計寫入量為2413GB,相當(dāng)于平均每天只寫入了13.4GB,距離理論每天寫滿120GB差了將近10倍,2.7年的所謂理論壽命是不是毫無意義了?

      四、固態(tài)硬盤壽命**究竟是誰?

      與其擔(dān)心寫入量的問題會影響固態(tài)硬盤壽命,不如擔(dān)心一下固態(tài)硬盤壽命的真正**——過熱和突然斷電。因為固態(tài)硬盤是用電信號擦除寫入數(shù)據(jù),所以突然斷電對固態(tài)硬盤來說非常嚴(yán)重的事情,頻繁的突然斷電可能會導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失,包括已寫入保存的數(shù)據(jù)!這和機械硬盤是有本質(zhì)區(qū)別的。所謂突然斷電,比如說停電、硬關(guān)機這類都屬于斷電范疇。

      另一個壽命**就是過熱了,固態(tài)硬盤其實耐熱能力不如機械硬盤,過熱會較大縮短固態(tài)硬盤中閃存顆粒的壽命,這是因為電子芯片會因為過熱產(chǎn)生一種叫做電子遷移的現(xiàn)象,說白一點就是加速老化,從物理結(jié)構(gòu)上造成不可逆的壽命損傷,如果長時間高強度使用固態(tài)硬盤,再加上散熱工作不到位,就很容易造成固態(tài)硬盤過熱,就小編的看法,這遠(yuǎn)比關(guān)心閃存顆粒的擦寫次數(shù)較值得關(guān)注。

      QLC雖說速度、壽命、穩(wěn)定性等方面比TLC差,但是較便宜的成本、較大容量的優(yōu)勢是無法忽視的。就像當(dāng)年TLC從不被接納到廣泛認(rèn)可,目前QLC閃存處于研發(fā)階段,要想它能夠運用到SSD上還需要一段時間,技術(shù)的進步,大家擔(dān)心的固態(tài)硬盤壽命有多長的問題相信都會得到很好的解決的。


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