VTI一級(jí)代理商

時(shí)間：2020-01-05作者：深圳市英尚微電子有限公司瀏覽：225

low power sram主要是指低功耗SRAM存儲(chǔ)器，應(yīng)用于內(nèi)有電池供電對(duì)功耗非常敏感的產(chǎn)品，作為靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器的一種類別，靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器（SRAM）作為較重要的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，廣泛地嵌入于高性能微處理器。隨著集成電路制造工藝的不斷提升，存儲(chǔ)器占據(jù)芯片的功耗比例越來越大，高速低功耗的SRAM設(shè)計(jì)變得越來越重要。
Density	Org.	P/N	Vcc(V)	Speed(ns)	C/S Option	Package
16Mbit	1M x 16	VTI516NB16	3.3	45/55	2C/S	48BGA
8Mbit	512K x 16	VTI508NL16	3.3	45/55	1C/S	44TSOP2
8Mbit	512K x 16	VTI508NL16	3.3	45/55	1C/S	48BGA
8Mbit	1M x 8	VTI508HB08	5	45/55	2C/S	48BGA
8Mbit	1M x 8	VTI508HB08	5	45/55	2C/S	44TSOP2
8Mbit	512K x 16	VTI508NB16	3.3	45/55	2C/S	48BGA
8Mbit	512K x 16	VTI508NB16	3.3	45/55	2C/S	44TSOP2
8Mbit	1M x 8	VTI508NB08	3.3	45/55	2C/S	48BGA
8Mbit	1M x 8	VTI508NB08	3.3	45/55	2C/S	44TSOP2
8Mbit	512K x 16	VTI508HB16	5	45/55	2C/S	48BGA
8Mbit	512K x 16	VTI508HL16	5	45/55	1C/S	48BGA
8Mbit	512K x 16	VTI508HL16	5	45/55	1C/S	44TSOP2
4Mbit	256K x 16	VTI504NL16	3.3	45/55	1C/S	48BGA
4Mbit	256K x 16	VTI504NL16	3.3	45/55	1C/S	44TSOP2
4Mbit	256K x 16	VTI504HB16	5	45/55	2C/S	44TSOP2
4Mbit	512K x 8	VTI504HL08	5	45/55	1C/S	32SOP
4Mbit	512K x 8	VTI504HL08	5	45/55	1C/S	32TSOP2
4Mbit	512K x 8	VTI504HL08	5	45/55	1C/S	32TSOP1
4Mbit	512K x 8	VTI504HL08	5	45/55	1C/S	32sTSOP1
4Mbit	512K x 8	VTI504NL08	3.3	45/55	1C/S	32TSOP1
4Mbit	512K x 8	VTI504NL08	3.3	45/55	1C/S	32sTSOP1
4Mbit	256K x 16	VTI504HL16	5	45/55	1C/S	44TSOP2
4Mbit	512K x 8	VTI504NL08	3.3	45/55	1C/S	32SOP
4Mbit	512K x 8	VTI504NL08	3.3	45/55	1C/S	32TSOP2
4Mbit	256K x 16	VTI504NB16	3.3	45/55	2C/S	48BGA
4Mbit	256K x 16	VTI504NB16	3.3	45/55	2C/S	44TSOP2
2Mbit	256K x 8	VTI502HB08	5	45/55	2C/S	32sTSOP1
2Mbit	256K x 8	VTI502HB08	5	45/55	2C/S	32TSOP1
2Mbit	256K x 8	VTI502HB08	5	45/55	2C/S	32SOP
2Mbit	256K x 8	VTI502HB08	5	45/55	2C/S	32TSOP2
2Mbit	256K x 8	VTI502NB08	3.3	45/55	2C/S	32TSOP1
2Mbit	256K x 8	VTI502NB08	3.3	45/55	2C/S	32TSOP2
2Mbit	256K x 8	VTI502NB08	3.3	45/55	2C/S	32SOP
2Mbit	256K x 8	VTI502NB08	3.3	45/55	2C/S	32sTSOP1
2Mbit	256K x 8	VTI502NL08	3.3	45/55	1C/S	36BGA
2Mbit	128K x 16	VTI502NB16	3.3	45/55	2C/S	48BGA
2Mbit	128K x 16	VTI502NL16	3.3	45/55	1C/S	48BGA
2Mbit	128K x 16	VTI502NL16	3.3	45/55	1C/S	44TSOP2
2Mbit	128K x 16	VTI502HL16	5	45/55	1C/S	44TSOP2
1Mbit	128K x 8	VTI501NB08	3.3	45/55	2C/S	32TSOP1
1Mbit	128K x 8	VTI501NB08	3.3	45/55	2C/S	32sTSOP1
1Mbit	128K x 8	VTI501NB08	3.3	45/55	2C/S	32SOP
1Mbit	128K x 8	VTI501HB08	5	45/55	2C/S	32TSOP1
1Mbit	128K x 8	VTI501HB08	5	45/55	2C/S	32sTSOP1
1Mbit	128K x 8	VTI501HB08	5	45/55	2C/S	32SOP
1Mbit	64K x 16	VTI501NL16	3.3	45/55	1C/S	44TSOP2
1Mbit	64K x 16	VTI501NL16	3.3	45/55	1C/S	48BGA
1Mbit	64K x 16	VTI501HL16	5	45/55	1C/S	48BGA
1Mbit	64K x 16	VTI501HL16	5	45/55	1C/S	44TSOP2


深圳市英尚微電子有限公司專注于存儲(chǔ)器芯片IC,SRAM,MRAM,pSRAM,FLASH芯片,SDRAM等

• 詞條

  詞條說明

• VTI一級(jí)代理商

  low power sram主要是指低功耗SRAM存儲(chǔ)器，應(yīng)用于內(nèi)有電池供電對(duì)功耗非常敏感的產(chǎn)品，作為靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器的一種類別，靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器（SRAM）作為較重要的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，廣泛地嵌入于高性能微處理器。隨著集成電路制造工藝的不斷提升，存儲(chǔ)器占據(jù)芯片的功耗比例越來越大，高速低功耗的SRAM設(shè)計(jì)變得越來越重要。 Density Org. P/N Vcc(V) Speed(ns) C/S

• Everspin Serial MRAM存儲(chǔ)芯片MR20H40CDF

  Everspin在磁存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)，MRAM,STT-MRAM的制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)在半導(dǎo)體行業(yè)中是*一**的。擁有**過600多項(xiàng)有效**和申請(qǐng)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)產(chǎn)品組合，在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)（MTJ）STT-MRAM位單元的開發(fā)方面處于市場良好地位。英尚微電子作為everspin的**代理商,所提供的MRAM具有高度可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ).沒有寫延遲，并且讀/寫壽命不受限制。 產(chǎn)品描述 MR20H4

• 靈動(dòng)微電子的產(chǎn)品定位

  靈動(dòng)微電子MCU事業(yè)部表示，目前推出了參考設(shè)計(jì)方案有平衡車、無人機(jī)、電子標(biāo)簽、LED顯示控制、BLDC無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)、打印機(jī)、智慧家庭等。將來也還有計(jì)劃進(jìn)入工業(yè)控制、汽車電子和IoT等領(lǐng)域。 靈動(dòng)微電子這三款MCU采用了0.18um的工藝，基于ARM的內(nèi)核設(shè)計(jì)。它們分別是則是基于Cortex-M3內(nèi)核的MM32F103系列MCU，基于Cortex-M0內(nèi)核的MM32F031系列MCU和MM32P01

• 靈動(dòng)微ARM Cortex-M內(nèi)核測試向量生成

  靈動(dòng)微電子基于Arm Cortex-M系列內(nèi)核開發(fā)的MM32 MCU產(chǎn)品擁有F/L/SPIN/W/P五大系列，200多個(gè)型號(hào)規(guī)格，累計(jì)交付近億顆MCU，在本土通用32位MCU公司中****。靈動(dòng)微是本土僅有的同時(shí)獲得了ARM-KEIL、IAR、SEGGER***組織官方支持的本土MCU公司，是為數(shù)不多的建立了獨(dú)立且完善的生態(tài)體系的通用MCU公司，給客戶提供從優(yōu)異芯片產(chǎn)品到**算法、從完備參考設(shè)計(jì)