280-30KVA-3Y電容器的廠家

時間：2022-10-24作者：醴陵市湘創(chuàng)電器有限公司瀏覽：52

可以增大電容量；再通過化學方法將陽氧化，形成一個氧化層，作為介質；然后，在陽鋁箔和陰鋁箔之間加一層電解紙作為隔離，壓合繞制；加注電解液，電解紙會吸收電解液，封裝成型。使用電解液的濕式鋁電解電容應用廣；優(yōu)點就是電容量大、額定電壓高、便宜；缺點也很明顯，就是壽命較短、溫度特性不好、ESR和ESL較大。對于硬件開發(fā)來說，需要避免過設計，在滿足性能要求的情況下，便宜就是的優(yōu)勢。下圖是基美(Kemet)的鋁電解電容產品，大致可以看出鋁電解電容的特點。原圖截圖于KEMET網站鋁電解電容也有使用二氧化錳、導電高分子聚合物等固態(tài)材料做電解質；聚合物鋁電解電容的結構大致如下圖所示：原圖出自PolymerAluminumElectrolyticCapacitors-Murata聚合物鋁電解電容的ESR較。
容值穩(wěn)定，瞬態(tài)響應好；由于是固態(tài)，抗沖擊振動能力比濕式的要好；可以做出較小的SMD封裝。當然，濕式的鋁電解電容也可以做SMD封裝，不過大都是長這樣：圖片來源于百度圖片而聚合物鋁電解電容的封裝長這樣：圖片來自Murata網站引申閱讀：PolymerCapacitorBasics(Part1):WhatIsaPolymerCapacitor?PolymerCapacitorBasics(Part2):WhatIsaPolymerCapacitor?鉭電解電容(Tantalumelectrolyticcapacitors)鉭(拼音tǎn)電解電容應用多的應該是利用二氧化錳做固態(tài)電解質，主要長這樣：圖片出自SolidTantalumMnO2Capacitors固態(tài)鉭電解電容內部結構大致如下圖所示：原圖出自Vishay技術文檔鉭電容與鋁電解電容。
在于鉭氧化物(五氧化二鉭)的介電常數比鋁氧化物(三氧化二鋁)的高不少，這樣相同的體積，鉭電容容量要比鋁電解電容的要大。鉭電容壽命較長，電性能加穩(wěn)定。鉭電容也有利用導電高分子聚合物(ConductivePolymer)做電解質，結構與上圖二氧化錳鉭電容類似，就是將二氧化錳換成導電聚合物；導電聚合物的電導率比二氧化錳高，這樣ESR就會低。另外還有濕式的鉭電容，特點就是**大容量、高耐壓、低直流漏電流，主要用于軍事和航天領域。濕式的鉭電容主要長這樣：截圖于Vishay技術文檔引申閱讀：GuideforTantalumSolidElectrolyteChipCapacitorswithPolymerCathodeWetElectrolyteTantalumCapacitors鈮電解電容(Niobiumelectrolyticcapacitors)鈮電解電容與鉭電解電容類。
就是鈮及其氧化物代替鉭；鈮氧化物(五氧化二鈮)的介電常數比鉭氧化物(五氧化二鉭)高；鈮電容的性能加穩(wěn)定，性高。湘創(chuàng)X有鈮電容系列產品，二氧化錳鉭電容外觀是黃色，而鈮電容外觀是橙紅色，大致長這樣：圖片出自湘創(chuàng)X網站引申閱讀：TantalumPolymerandNiobiumOxideCapacitorsOxiCap?-niobiumoxidecapacitor電解電容對比表，數據來源于維基百科，僅供參考。引申閱讀：Electrolyticcapacitor2.3陶瓷電容(CeramicCapacitor)陶瓷電容是以陶瓷材料作為介質材料，陶瓷材料有很多種，介電常數、穩(wěn)定性都有不同，適用于不同的場。
陶瓷電容，主要有以下幾種：瓷片電容(CeramicDiscCapacitor)瓷片電容的主要優(yōu)點就是可以耐高壓，通常用作安規(guī)電容，可以耐250V交流電壓。其外觀和結構如下圖所示：原圖出自本小節(jié)兩篇引申閱讀引申閱讀：Capacitors|DE1serieslineupCeramicCapacitor多層陶瓷電容(Multi-layerCeramicCapacitor)多層陶瓷電容，也就是MLCC，片狀(Chip)的多層陶瓷電容是目前上使用量的電容類型，其標準化封裝，尺寸小，適用于自動化高密度貼片生產。作者，也就是我自己設計的主板，自己拍的照片，加了藝術效果；沒有標引用和出處的圖片和內容，絕大多數都是我自己畫或弄出來。
剩下可能疏忽忘加了；標引用的圖片，很多都是我重新加工的，例如翻譯或幾張圖拼在一起等等，工具很土EXCEL+截圖。多層陶瓷電容的內部結構如下圖所示：原圖出自SMDMLCCforHighPowerApplications-KEMET多層陶瓷電容生產流程如下圖所示：原圖出自Capacitors,Part2"CeramicCapacitors[1]"由于多層陶瓷需要燒結瓷化，形成一體化結構，所以引線(Lead)封裝的多層陶瓷電容，也叫石(Monolithic)電容。在談談電感中也介紹過多層陶瓷工藝和ThinFilm工藝。ThinFilm技術在性能或工藝控制方面都比較，可以的控制器件的電性能和物理性。
因此，ThinFilm電容性能比較好，容值可以做到0.05pF，而容差可以做到0.01pF；比通常MLCC要好很多，像Murata的GJM系列，容值是0.1pF，容差通常都是0.05pF；因此，ThinFilm電容可以用于要求比較高的RF領域，湘創(chuàng)X有Accu-P?系列。引申閱讀ThinFilmCapacitor-湘創(chuàng)XCeramiccapacitorBMEandPMECeramic’sHiddenProperty-KEMET陶瓷介質的分類根據EIA-198-1F-2002，陶瓷介質主要分為四類：ClassI：具有溫度補償特性的陶瓷介質，其介電常數大都較低，不**過200。通常都是順電性介質(Paraelectric。
溫度、頻率以及偏置電壓下，介電常數比較穩(wěn)定，變化較小。損耗也很低，耗散因數小于0.01。截圖自MaterialsDevelopmentforCommercialMultilayerCeramicCapacitors，Page26性質穩(wěn)定，應用多的是C0G電容，也就是NP0。NP0是IEC/E**0384-1標準中規(guī)定的代號，即NegativePositiveZero，也就是用N和P來表示正負偏差。由于介電常數低，C0G電容的容值較小，可以做到0.1uF，0402封裝通常只有1000pF。ClassII，III：其中，溫度特性A-S屬于ClassII，介電常數幾千左右。溫度特性T-V屬于ClassII。
介電常數可以到20000，可以看出ClassIII的性能加不穩(wěn)定。根據IEC的分類，ClassII和III都屬于二類，高介電常數介質。像X5R和X7R都是ClassII電容，在電源去耦中應用較多，而Y5V屬于ClassIII電容，性能不太穩(wěn)定，個人覺得現在應用不多了。截圖自MaterialsDevelopmentforCommercialMultilayerCeramicCapacitors，Page103由于ClassII和III電容的容值可以做到幾百uF，但由于高介電常數介質，大都是鐵電性介質(Ferroelectric)，溫度穩(wěn)定性差。此外，鐵電性介質，在直流偏置電壓下介電常數會下降。
在談談電感一文中，介紹了鐵磁性介質存在磁滯現象，當內部磁場**過一定值時，會發(fā)生磁飽和現象，導致磁導率下降；同樣的，對于鐵電性介質存在電滯現象，當內部電場**過一定值時，會發(fā)生電飽和現象，導致介電常數下降。因此，當ClassII和III電容的直流偏置電壓**過一定值時，電容會明顯下降，如下圖所示：圖片來源GRM188R60J226MEA0-MurataClassIV：制作工藝和通常的陶瓷材料不一樣，內部陶瓷顆粒都是外面一層很薄的氧化層，而是導體。這種類型的電容容量很大，但擊穿電壓很小。由于此類電容的性能不穩(wěn)定，損耗高，現在已經基本被淘汰了。引申閱讀：ECA-EIA-198-1-F-2002MaterialsDevelopmentforCommercialMultilayerCeramicCapacitorsHysteresisinPiezoelectricandFerroelectricMaterials電容類型總結表原圖出自維基百科還有一類**級電。
就是容量特別大，可以替代電池作為供電設備，也可以和電池配合使用。**級電容充電速度快，可以地充放電，而且可以充到任何想要的電壓，只要不**過額定電壓?，F在應用也比較多，國內很多城市都有**級電容電動公交車；還有些電子產品上也有應用，例如一些行車記錄儀上，可以持續(xù)供電幾天。引申閱讀：WhatIsaSupercapacitor(EDLC)?MurataSupercapacitorTechnicalNoteCapacitortypesComparisonofMultilayerCeramicandTantalumCapacitors電容的應用與選型器件選型，其實就是從器件的規(guī)格書上提取相關的信息，判斷是否滿足產品的設計和應用的要。
3.1概述電容作為一個儲能元件，可以儲存能量。外部電源斷開后，電容也可能帶電。因此，提示十分必要。有些電子設備內部會貼個高壓危險，小時候拆過家里的黑白電視機，拆開后看到顯像管上貼了個高壓危險，那時就有個疑問，沒插電源也會有高壓嗎？工作后，拆過幾個電源適配器，被電的回味無窮……儲存能量就可以當電源，例如**級電容；存儲數據，應用非常廣。動態(tài)易失性存儲器(DRAM)就是利用集成的電容陣列存儲數據，電容充滿電就是1，放完電就是0。各種手機、電腦、中內存的使用量非常大，因此，內存行業(yè)都可以作為信息產業(yè)的*了。此外，電容還可以用作：定時：電容充放電需要時間，可以用做定時器；還可以做延時電路，常見的就是上電延時復。
一些定時芯片如NE556，可以產生三角波。諧振源：與電感一起組成LC諧振電路，產生固定頻率的信號。利用電容通高頻、阻低頻、隔直流的特性，電容還可以用作：電源去耦電源去耦應該是電容廣泛的應用，各種CPU、SOC、ASIC的周圍、背面放置了大量的電容，目的就是保持供電電壓的穩(wěn)定。，在DCDC電路中，需要選擇合適的輸入電容和輸出電容來降低電壓紋波。需要計算出相關參數。此外，像IC工作時，不同時刻需要的工作電流是不一樣的，因此，也需要大量的去耦電容，來工作電壓得穩(wěn)定。耦合隔直設計電路時，有些情況下，只希望傳遞交流信號，不希望傳遞直流信號，這時候可以使用串聯電容來耦號。例如多級放大器，為了防止直流偏置相互影。
靜態(tài)工作點計算復雜，通常級間使用電容耦合，這樣每一級靜態(tài)工作點可以立分析。例如PCIE、SATA這樣的高速串行信號，通常也使用電容進行交流耦合。旁路濾波旁路，顧名思義就是將不需要的交流信號導入大地。濾波其實也是一個意思。在微波射頻電路中，各種濾波器的設計都需要使用電容。此外，像EMC設計，對于接口處的LED燈，都會在信號線上加一顆濾波電容，這樣可以提高ESD測試時的性。3.2鋁電解電容3.2.1鋁電解電容(濕式)鋁電解電容(濕式)無論是插件還是貼片封裝，高度都比較高，而且ESR都較高，不適合于放置于IC附近做電源去耦，通常都是用于電源電路的輸入和輸出電容。原圖來自KEMET規(guī)格書容值從規(guī)格書中獲取電容值容。
通常鋁電解電容的容差都是±20%。計算容值和容值時，各項參數要滿足設計要求。額定電壓鋁電解電容通常只適用于直流場合，設計工作電壓至少要額定電壓的80%。對于有浪涌防護的電路，其額定浪涌電壓要防護器件(通常是TVS)的殘壓。例如，對于一些POE供電的設備，根據802.3at標準，工作電壓可達57V，那么選擇的TVS鉗位電壓有90多V，那么至少選擇額定電壓100V的鋁電解電容。此時，也只有鋁電解電容能同時滿足大容量的要求。原圖來自Littelfuse的TVS規(guī)格書耗散因數設計DCDC電路時，輸出電容的ESR影響輸出電壓紋波，因此需要知道鋁電解電容的ESR，但大多數鋁電解電容的規(guī)格書只給出了耗散因數tan。
可以根據以下公式來計算ESR：ESR=tanδ/(2πfC)例如，120Hz時，tanδ為16%，而C為220uF，則ESR約為965mΩ?？梢婁X電解電容的ESR非常大，這會導致輸出電壓紋波很大。因此，使用鋁電解電容時，需要配合使用片狀陶瓷電容，靠近DCDC芯片放置。隨著開關頻率和溫度的升高，ESR會下降。額定紋波電流電容的紋波電流，要滿足DCDC設計的輸入和輸出電容的RMS電流的需求。鋁電解電容的額定紋波電流需要根據開關頻率來修正。壽命鋁電解電容的壽命比較短，選型需要注意。而壽命是和工作溫度直接相關的，規(guī)格書通常給出產品溫度時的壽命，例如105℃時，壽命為2000小時。根據經驗規(guī)律，工作溫度每下降10。

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